Эпоха GaN в усилителях мощности Сатком

В статье описаны функции, характеристики транзисторов GaN с высокой подвижностью электронов в усилителях мощности. Предельной рабочей температурой широко распространенных до настоящего времени арсенид-галлиевых GaAs-транзисторов является 175 °C. Они уступают транзисторам на основе нитрида галлия GaN, устойчиво работающих и сохраняющих частотные характеристики при рабочих температурах до 2500 °C. Это значительно уменьшает проблему отвода тепла. Эти транзисторы работают при напряжении питания до 100 В против максимально 20 В для GaAs-транзисторов при эквивалентной мощности выходного сигнала. Поэтому GaN-транзисторы и усилители мощности на них особенно актуальны для приложений в космической сфере. В Paradise Datacom (США) разработаны усилители мощности в различных диапазонах частот с мощностью выходного сигнала от 50 до 750 Вт.