Analysis of the SRAM cell as SR flip-flop and Moore finite-state machine
Автор: Tyurin S.F.
Журнал: Вестник Пермского университета. Серия: Математика. Механика. Информатика @vestnik-psu-mmi
Рубрика: Информатика. Информационные системы
Статья в выпуске: 3 (26), 2014 года.
Бесплатный доступ
In the article is described the analysis of the SRAM cell as SR flip-flop and Moore finite-state machine. A six-transistor CMOS SRAM cell is modeling by NI Multisim (National Instruments Electronics Workbench Group).
Шеститранзисторная ячейка памяти sram, sram cell, sr триггер, moore finite-state machine, sr flip-flop, wired and, ni multisim
Короткий адрес: https://sciup.org/14729929
IDR: 14729929
Статья научная
