Аномальная термополевая эмиссия с поверхности ZrO2 / W наногетероструктуры

Проведено исследование полевых эмиссионных свойств ZrO2/W наногетероструктуры, образованной тонким (~ 10 нм) слоем ZrO2 на поверхности острийного микрокристалла W. Установлено, что при температуре вещества наногетероструктуры ~ 2000 K процесс эмиссии электронов возбуждается при низких значениях напряженности экстрагирующего (лапласова) поля (менее ~ 50 В/мкм). Показано, что в стационарном режиме электронной эмиссии с поверхности исследованной наногетероструктуры плотность эмиссионного тока может достигать аномально высоких значений (порядка ~ 10^8 А/см^2). Предложена феноменологическая модель обнаруженного явления - аномальной термополевой эмиссии электронов с поверхности наногетероструктур вида проводник (металл)-тонкий слой диэлектрика.