Автоматизированная установка для исследования микроплазменного пробоя в p-n-переходах

Автор: Ионычев В.К., Кадеркаев Р.Р., Симдянкин М.И., Шестеркина А.А.

Статья в выпуске: 18 т.4, 2016 года.

Бесплатный доступ

Приведено описание метода и установки для исследования микроплазменного пробоя p-n-перехода. Показано, что задержка лавинного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах p-n-переходов, что невозможно определить другими методами.

Глубокие центры, задержка лавинного пробоя, микроплазменный пробой

Короткий адрес: https://sciup.org/147249177

IDR: 147249177

Список литературы Автоматизированная установка для исследования микроплазменного пробоя в p-n-переходах

Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Влияние ловушек на запуск лавины при пробое фосфидгаллиевых p-n-переходов//Письма в ЖТФ. -1999. -Т. 25. -Вып. 5. -С. 9-13. EDN: RGPQNR
Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода//ФТП. -1999. -Т. 33. -Вып. 4. -С. 494-497. EDN: RGPKMJ
Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. -Л.: Энергия, 1980. -152 с.
Ионычев В. К., Ребров А. Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов//ФТП. -2009. -Т. 43. -Вып. 7. -С. 980-984. EDN: RCPYUL
Описание микроконтроллера AT90S2313 . -Режим доступа: http://www.atmel.ru/Documents/Documents.htm.

Статья научная