Automatic device for measuring resistivity of silicon four-point probe method
Автор: Vladimirov V.M., Grinin E.F., Sergiy M.E., Shepov V.N.
Журнал: Сибирский аэрокосмический журнал @vestnik-sibsau
Рубрика: Математика, механика, информатика
Статья в выпуске: 4 (25), 2009 года.
Бесплатный доступ
An automatic device for measuring the resistivity of single-crystalline silicon by means of the four-point probe method had been developed.
Single-crystalline silicon, resistivity, four-point probe method, automatic device
Короткий адрес: https://sciup.org/148176048
IDR: 148176048
Краткое сообщение
