Биполярные транзисторы с изолированным затвором в электрических машинах
Автор: Гарипов А.И., Борисов И.Д., Куцева К.В.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 4 (94), 2023 года.
Бесплатный доступ
Резюме: IGBT - биполярные транзисторы с изолированным затвором - относятся к классу силовых полупроводниковых приборов, которые сыграли важнейшую роль в создании электромобилей (EV). Компания Renesas заявила, что она поднимает планку производительности, выпустив новое поколение IGBT, в котором потери мощности снижены на 10% по сравнению с предыдущим поколением. Снижение мощности в IGBT-транзисторах серии AE5 поможет автопроизводителям экономить энергию аккумуляторов и увеличить дальность хода EV.
Транзисторы, биполярные транзисторы, чипы, электрические машины, полупроводниковые приборы
Короткий адрес: https://sciup.org/140300695
IDR: 140300695
Список литературы Биполярные транзисторы с изолированным затвором в электрических машинах
- Реферат: Биполярные транзисторы//referatmix.ru. URL: https://www.referatmix.ru/referats/38/referatmix_38535.htm (дата обращения 25.02.2023).
- FPGA Security Vulnerabilities and Countermeasures// electronicdesign.com. URL:https://www.electronicdesign.com/technologies/power/article/21249771/electronic-design-highvoltage-igbts-curb-power-loss-in-electric-vehicles-by-10(дата обращения 25.02.2023).
