Бистабильное переключение и эффекты памяти в оксидах переходных металлов
Автор: Пергамент Александр Лионович, Болдин Павел Анатольевич, Колчигин Владимир Владимирович, Стефанович Татьяна Генриховна
Журнал: Ученые записки Петрозаводского государственного университета @uchzap-petrsu
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 8 (121), 2011 года.
Бесплатный доступ
Переключение, элементы памяти, оксиды переходных металлов
Короткий адрес: https://sciup.org/14750036
IDR: 14750036
Список литературы Бистабильное переключение и эффекты памяти в оксидах переходных металлов
- Березина О. Я., Казакова Е. Л., Пергамен т А. Л., Сергеева О. В. Модификация электрических и оптических свойств тонких слоев гидратированного оксида ванадия при легировании водородом и вольфрамом//Ученые записки Петрозаводского государственного университета. 2010. № 6(111). С. 77-85.
- Кундозерова Т. В. Эффект резистивного переключения в оксиде ниобия//ВНКСФ-2010: Тез. докл. Волгоград, 2010. C. 456.
- Путролайнен В. В., Борисков П. П., Величко А. А., Кулдин Н. А., Пергамент А. Л. Эффект электрического переключения с памятью в гидратированном аморфном диоксиде ванадия//ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 2. С. 88-91.
- Путролайнен В. В., Величко А. А., Кулдин Н. А., Стефанович Г. Б. Биполярное резистивное переключение в структуре Si-SiO2-V2O5-Аu//Вестник Воронежского государственного технического университета. 2009. Т. 5. № 11. С. 99-102.
- Стефанович Г. Б., Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Т. Г. Оксидная электроника: физические явления, материалы и компоненты//Материалы Междунар. науч.-техн. конф. «Нанотехнологии-2010». Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2010. Ч. 2. С. 124-126.
- Burr G. W., Kurdi B. N., Scott J. C., Lam C. H., Gopala k r ish nan K., Shenoy R. S. Overview of candidate device technologies for storage-class memory//IBM Journal of Research and Development. 2010. Vol. 52. P. 449-464.
- Driscol l T., Kim H.-T., Chae B.-G., Di Ventra M., Basov D. N. Phase-transition driven memristive system//Applied Physics Letters. 2009. Vol. 95.
- Lee M.-J., Kim S. I., Lee C. B., Yin H., Ahn S.-E., Kang B. S., Kim K. H., Park J. C., Kim C. J., Song I., Kim S. W., St efanovich G., Le e J. H., Chu ng S. J., Kim Y. H., Pa rk Y. Low-Temperature-Grown Transition Metal Oxide Based Storage Materials and Oxide Transistors for High-Density Non-volatile Memory//Advanced Functional Materials. 2009. Vol. 19. P. 1587-1593.
- Luryi S., Xu J. M., Zaslavsky A. Future Trends in Microelectronics: the Nano Millennium (Part II: The Future Beyond Silicon). N. Y.: Wiley, 2002.
- Rаmirez A. P. Oxide Electronics Emerge//Science. 2007. Vol. 315. P. 1377-1378.
- Sawa A. Resistive switching in transition metal oxides//Materials Today. 2008. Vol. 11. Issue 6. P. 28-36.
Статья
