Диэлектрические свойства твердых растворов халькогенидов марганца, замещенных ионами гадолиния

Описаны материалы на основе твердых растворов GdxMn1-xS и GdxMn1-xSe, которые в перспективе могут использоваться в аэрокосмической отрасли в качестве сенсоров, датчиков, устройств записи-считывания информации. В твердых растворах GdхMn1-xA (A = S, Se) (x ≤ 0,2) проведены измерения емкости и тангенса угла диэлек- трических потерь на частоте 10 кГц без магнитного поля и в магнитном поле 8 кЭ в интервале температур 100-500 К. Обнаружен рост диэлектрической проницаемости и максимум диэлектрических потерь в области низких температур. Найдено смещение температуры максимума мнимой части диэлектрической проницаемости в сторону высоких температур с ростом концентрации. Для двух составов обнаружен магнитоемкостный эффект. Магнитоемкостный эффект δεН = (ε(Н,T) - ε(0,Т))/ε(0,Т)) был определен в результате исследования комплексной диэлектрической проницаемости. Синтез новых халькогенидных соединений при катионном замещении марганца гадолинием в системах MnS и MnSe позволит выяснить влияние анионной системы в результате исследования его диэлектрических свойств с концентрацией в области протекания ионов гадолиния по решетке x ≤ 0,2. Диэлектрические потери описываются в модели Дебая с замерзанием дипольных моментов и в модели орбитально-зарядового упорядочения.