Дисперсия продольных волн, распространяющихся в материалах с точечными дефектами

Бесплатный доступ

Исследуется распространение гармонических волн в материалах с точечными дефектами. Задача описывается системой дифференциальных уравнений, включающей в себя динамическое уравнение теории упругости и кинетические уравнения плотности дефектов, учитывающей взаимное влияние дефектов и распространяющейся волны, а также взаимную рекомбинацию дефектов. Рассматриваются как предельные случаи - материалы с одним типом точечных дефектов (вакансии, межузлия), так и общий случай, если материал содержит оба типа точечных дефектов (вакансии и межузлия). Проанализировано влияние на амплитуду и скорость гармонической волны параметров точечных дефектов, характеризующих диффузию дефектов, скорость их рекомбинации на стоках и изменение объема материала при образовании в нем одного точечного дефекта. Показано, что в средах с вакансиями продольные волны низкой частоты имеют большую амплитуду и скорость, чем в средах с межузлиями. При этом в средах с вакансиями скорости низкочастотных возмущений достигают больших значений, а в средах с межузлиями - меньших значений по сравнению с высокочастотными возмущениями. Выявлен частотный диапазон, в котором дисперсия продольных волн существенна, в средах с вакансиями она имеет нормальный, а в средах с межузлиями - аномальный характер. Увеличение коэффициента диффузии или уменьшение величины дилатационного параметра способствует более слабому проявлению дисперсии. Отмечено, что коэффициенты диффузии дефектов не влияют на существование дополнительной низкочастотной волны. Для волн высокой частоты среды с вакансиями и межузлиями практически неразличимы, наличие любых точечных дефектов почти не влияет на скорость распространения высокочастотных возмущений и их амплитуду.

Еще

Точечные дефекты, вакансии, межузлия, продольная волна, дисперсия

Короткий адрес: https://sciup.org/146282769

IDR: 146282769   |   DOI: 10.15593/perm.mech/2023.5.03

Список литературы Дисперсия продольных волн, распространяющихся в материалах с точечными дефектами

  • Мирзоев Ф.Х., Панченко В.Я., Шелепин Л.А. Лазерное управление процессами в твердом теле // Успехи физических наук. - 1996. - Т. 166, № 1. - С. 3-32.
  • Емельянов В.И., Уварова И.Ф. Электронно-деформационно-тепловая неустойчивость и фазовый переход полупроводник-металл под действием лазерного излучения с образованием сверхструктур // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1988. - Т. 94, № 8. - С. 255-269.
  • Емельянов В.И., Сумбатов А.А. Кристаллизационно-де-формационно-тепловая неустойчивость и формирование упорядоченных структур при лазерной кристаллизации // Поверхность: физика, химия, механика. - 1988. - № 7. - С. 122-127.
  • Емельянов В.И., Уварова И.Ф. Вакансионно-деформа-ционная неустойчивость в формировании упорядоченных структур при нагреве тонких металлических пленок // Металлофизика. - 1989. - Т. 11, № 5. - С. 101-106.
  • Емельянов В.И., Мирзоев Ф.Х., Шелепин Л.А. О механизмах образования упорядоченных структур дефектов при воздействии концентрированных потоков энергии // Квантовая электроника. - 1994. - Т. 21, № 8. - С. 769-772.
  • Мирзоев Ф.Х., Шелепин Л.А. Нелинейные волны деформации и плотности дефектов в металлических пластинах при воздействии внешних потоков энергии // Журнал технической физики. - 2001. - Т. 71, № 8. - С. 23-26.
  • Coupled heat transfer, fluid flow and solidification kinetics for laser additive manufacturing applications / M.D. Khomenko, F.K. Mirzade, N.W. Makoana, S. Pityana // Journal of Manufacturing Processes. - 2021. - Vol. 67. - Р. 611-618.
  • Сейдгазов Р.Д., Мирзаде Ф.Х. Пороговые условия термокапиллярного формирования глубокой каверны в аддитивном процессе селективного лазерного плавления металлического порошкового слоя // Сварочное производство. - 2021. -№ 5. - С. 20-30.
  • Сейдгазов Р.Д., Мирзаде Ф.Х. Возбуждение капиллярной волны как механизм образования пор в процессе глубокого проплавления лазерным излучением // Письма в Журнал технической физики. - 2023. - Т. 49, № U. - С. ЗЬЗЗ. DOI: 10.21883/PJTF.2023.12.55571.19553
  • Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация / пер. с нем. B.В. Климова, В.Н. Пальянова; под ред. М.И. Гусевой. - М.: Наука, ^83. - 360 с.
  • Оцуки Ё.-Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами / пер. с англ. В.В. Белошицкого, Л.И. Огнева, А.В. Тулупова; под ред. М.А. Кумахова. - М.: Мир, ^85. - 280 с.
  • Анищик В.М., Углов В.В. Модификация инструментальных материалов ионными и плазменными пучками. -Минск: Изд-во БГУ, 2003. - Ш с.
  • Defect production during ion implantation of various AIIIBV semiconductors / W. Wesch, E. Wendler, G. Gotz, N.P. Kekelidse // Journal of Applied Physics. - m9. - Vol. 65, no. 2. - P. 5^-526.
  • M. Native point defects in low-temperature-grown GaAs / X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz // Applied Physics Letters. - ^95. - Vol. 67, no. 2. - P. 279-28L
  • Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs / Н.Н. Дымова, А.Е. Куницын, А.В. Марков, В.В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников. - j997. - Т. 3j, № j2. - C. 1409-1413.
  • Formation of n+-layers in undoped and indium-doped GaAs wafers by Si and Si+P ion implantation / V.V. Chaldyshev, N.N. Dymova, A.E. Kunitsyn, A.V. Markov // Physica Status Sol-idi (a). - ^97. - Vol. !63, no. L - P. 8^6.
  • Napolitani E., Impellizzeri G. Ion implantation defects and shallow junctions in Si and Ge // Semiconductors and Semi-metals. - 2015. - Vol. 91. - P. 93-122.
  • Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И. Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, № 9. - С. 967-972. DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46228.8720
  • Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate / A.A. Nikolskaya, D.S. Koro-lev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, A.A. Sushkov, N.O. Krivulin, K.R. Muhamatchin, A.A. Elizarova, M.O. Marychev, A.A. Kona-kov, D.I. Tetelbaum, D.A. Pavlov // Applied Physics Letters. -2018. - Vol. 113. - P. 182103.
  • Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И. Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий // Физика и техника полупроводников. - 2020. - Т. 54, № 8. - С. 771-777. DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49649.9338
  • Photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si inclusions in SiO2/Si structure: Effect of irradiation dose and oxide film thickness / A. Nikolskaya, A. Belov, A. Mikhaylov, A. Konakov, D. Tetelbaum, D. Korolev // Applied Physics Letters. - 2021. -Vol. 118, no. 21. - P. 212101.
  • Influence of chemical nature of implanted atoms on photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si hexagonal silicon / A. Nikolskaya, D. Korolev, A. Belov, A. Konakov, D. Pavlov, A. Mikhaylov, D. Tetelbaum // Materials Letters. - 2022. -Vol. 308, part A. - P. 131103.
  • Luminescence of modified W-centers arising in silicon upon irradiation of the SiO2/Si system by Kr+ ions / A. Nikol-skaya, D. Korolev, A. Mikhaylov, A. Konakov, A. Okhapkin, S. Kraev, A. Sushkov, D. Pavlov, D. Tetelbaum // Materials Letters. - 2023. - Vol. 342. - P. 134302.
  • Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+ / А.А. Никольская, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.А. Конаков, А.И. Охап-кин, С.А. Краев, А.И. Андрианов, А. Д. Моисеев, А.А. Сушков, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Вестник Московского Университета. Серия 3. Физика. Астрономия. - 2023. - Т. 78, № 3. - С. 2330501. DOI: 10.55959/MSU0579-9392.78.2330501
  • Бурлак Г.Н., Островский И.В. Гистерезисные акустические явления, связанные с дислокационной нелинейностью в кристаллах // Письма в Журнал технической физики. -1997. - Т. 23, № 18. - С. 69-74.
  • Ерофеев В.И., Ромашов В.П. Влияние дислокаций на дисперсию и затухание ультразвука в твердом теле // Письма в Журнал технической физики. - 2002. - Т. 28, № 6. - С. 6-11.
  • Багдоев А.Г., Ерофеев В.И., Шекоян А.В. Линейные и нелинейные волны в диспергирующих сплошных средах. -М.: Физматлит, 2009. - 320 с.
  • Сарафанов Г.Ф. Коллективные и волновые эффекты в ансамбле дислокаций при пластической деформации металлов. - Нижний Новгород: Литера, 2010. - 359 с.
  • Ерофеев В.И., Мальханов А.О. Дисперсия и самомодуляция волн, распространяющихся в твердом теле с дислокациями // Физическая мезомеханика. - 2017. - Т. 20, № 4. -С. 69-76.
  • Ерофеев В.И., Артамонова О.А. Влияние точечных дефектов в материале на распространение нелинейной акустической волны // Труды XXII Сессии Российского акустического общества и Научного совета по акустике РАН. - М.: ГЕОС, 2010. - Т. 1. - С. 158-159.
  • Ерофеев В.И., Леонтьева А.В., Шекоян А.В. Ударные волны в термоупругой среде с точечными дефектами // Журнал технической физики. - 2020. - Т. 90, № 1. - С. 26-32.
  • Erofeev V.I., Leonteva A.V., Shekoyan A.V. Dispersion, attenuation and spatial localization of thermoelastic waves in a medium with point defects // Multiscale Solid Mechanics. Advanced Structured Materials. Altenbach H., Eremeyev V.A., Igumnov L.A. (eds). - Springer, Cham, 2021. - STRUCTMAT, Vol. 141. - P. 123-144.
  • Ерофеев В.И., Кажаев В.В., Семерикова Н.П. Волны в стержнях. Дисперсия Диссипация. Нелинейность. - М.: Физ-матлит, 2002. - 208 с.
Еще
Статья научная