Дисперсия продольных волн, распространяющихся в материалах с точечными дефектами
Автор: Ерофеев В.И., Леонтьева А.В., Шекоян А.В.
Статья в выпуске: 5, 2023 года.
Бесплатный доступ
Исследуется распространение гармонических волн в материалах с точечными дефектами. Задача описывается системой дифференциальных уравнений, включающей в себя динамическое уравнение теории упругости и кинетические уравнения плотности дефектов, учитывающей взаимное влияние дефектов и распространяющейся волны, а также взаимную рекомбинацию дефектов. Рассматриваются как предельные случаи - материалы с одним типом точечных дефектов (вакансии, межузлия), так и общий случай, если материал содержит оба типа точечных дефектов (вакансии и межузлия). Проанализировано влияние на амплитуду и скорость гармонической волны параметров точечных дефектов, характеризующих диффузию дефектов, скорость их рекомбинации на стоках и изменение объема материала при образовании в нем одного точечного дефекта. Показано, что в средах с вакансиями продольные волны низкой частоты имеют большую амплитуду и скорость, чем в средах с межузлиями. При этом в средах с вакансиями скорости низкочастотных возмущений достигают больших значений, а в средах с межузлиями - меньших значений по сравнению с высокочастотными возмущениями. Выявлен частотный диапазон, в котором дисперсия продольных волн существенна, в средах с вакансиями она имеет нормальный, а в средах с межузлиями - аномальный характер. Увеличение коэффициента диффузии или уменьшение величины дилатационного параметра способствует более слабому проявлению дисперсии. Отмечено, что коэффициенты диффузии дефектов не влияют на существование дополнительной низкочастотной волны. Для волн высокой частоты среды с вакансиями и межузлиями практически неразличимы, наличие любых точечных дефектов почти не влияет на скорость распространения высокочастотных возмущений и их амплитуду.
Точечные дефекты, вакансии, межузлия, продольная волна, дисперсия
Короткий адрес: https://sciup.org/146282769
IDR: 146282769 | DOI: 10.15593/perm.mech/2023.5.03
Текст научной статьи Дисперсия продольных волн, распространяющихся в материалах с точечными дефектами
ВЕСТНИК ПНИПУ. МЕХАНИКА № 5, 2023PNRPU MECHANICS BULLETIN
С 80-х гг. прошлого века интенсивно изучается влияние лазерного излучения на материалы. Теоретически и экспериментально было показано, что под воздействием лазерного луча в материалах образуются многочисленные точечные дефекты (вакансии, межузельные атомы), создающие в поверхностном слое напряженно-деформированное состояние [1–9].
Генерация точечных дефектов в материалах наблюдается и при ионной имплантации [10–24].
Прохождение продольной акустической волны способствует изменению в областях растяжения и сжатия энергии активации образования точечных дефектов, приводя к их пространственному перераспределению. Дефекты, мигрирующие по материалу, рекомбинируют на различного рода центрах. Роль таких центров могут играть дислокации, примеси внедрения и др.
Волновые эффекты в ансамблях дислокаций изучались в работах [25–29].
В [6] показано, что задачу о распространении акустической волны в материале с точечными дефектами следует рассматривать как самосогласованную, включающую в себя, наряду с динамическим уравнением теории упругости, кинетическое уравнение для плотности дефектов.
В [30] исследовано взаимодействие нелинейной волны деформации с полем концентрации точечных дефектов (вакансий, межузлий), приводящее как к рассеянию волны, так и к изменению энергии активации образования дефектов и их пространственному перераспределению. При этом предполагалось, что основными процессами, определяющими поведение дефектов, являются процессы генерации, рекомбинации и диффузии. Объемная взаимная рекомбинация разноименных дефектов не учитывалась.
В [31; 32] совместно с полем концентрации одного типа точечных дефектов проанализировано влияние внешнего нестационарного неоднородного температурного поля на нелинейные волны деформации.
В настоящей работе в линейной постановке задачи изучается дисперсия продольных волн, распространяющихся в материалах с точечными дефектами при учете объемной взаимной рекомбинации разноименных дефектов.
1. Постановка задачи
Распространение гармонической волны описывается линейной системой [6]:
d 2 U _ 2 <'U d t 2 l d x 2
_
X +— ц
Q V p
d « v d x

Q. i d n i p d x
д ny д U д 2 ny
-^ = q E^ + D v —v -P v n v д t д x д x
P iV n i ,
д n, _ д U _ д2 n i
= q; + D в, n — в nv .
д t E д x 1 д x 2 1 V
где to и k - частота и волновое число волны. Составляем определитель системы и приравниваем его нулю.
Дисперсионное уравнение в безразмерных переменных
Здесь U ( x , t ) - продольное перемещение частиц материала (волна считается плоской); n j ( x , t ) - объемная концентрация точечных дефектов ( j = V - для вакансий, j = i - для межузлий); c l = ( X + 2 ц)/р - скорость, с которой распространялась бы продольная волна в материале, если бы в нем отсутствовали дефекты; X , ц - константы Ламе; р - плотность материала; Q j -дилатационный параметр, характеризующий изменение объема материала при образовании в нем одного точечного дефекта. Для вакансий Q j < 0, для межузлий Q j > 0. Через q 0 обозначен темп генерации точечных дефектов в отсутствие деформации; второе слагаемое в правой части (2) представляет собой деформационную поправку в генерацию дефектов; Dj – коэффициент диффузии дефекта типа j ; в j - скорость рекомбинации на стоках. Через в iV и в Vi обозначены скорости взаимной рекомбинации дефектов типа «межузлие– вакансия» и типа «вакансия–межузлие» соответственно.
Путем исключения ni
_ toy к to =-------, к = т-------Т""
Р 1 + в V (в i + в V ) /cl
( to , к - безразмерные величины частоты и волнового числа, соответственно) получаем в следующем виде (черта опущена):
to + i ^— a 7 ( 1 + a 2 )( 1 + a 3 ) к to — to J —
— а з a 7 ( 1 + a 2 ) к 4 to2 — ( 1 + a 7 ( a 2 + a 3 ) ) к 2 to2 —
( a 2 — a4a 5) 2
4 to 2 +
( 1 + a 2 )
+ i a 7 ( 1 + a 2 )( 1 + a 3 ) к 4 to
—
a 1 ( 1+ a 6 )
1 + a 2
—
1 к 2 to +
+ a 3 a 2 ( 1 + a 2 ) 2 к 6 + a 7 ( a 2 + a 3 — a 1 ( a 3 + a 6 ) ) к 4 +
( a 2 — a 4 a 5 — a 1 ( a 2 + a 6 — a 4 — a 5 a 6 ) ) ( 1 + a 2 ) 2
где безразмерные параметры имеют вид
Г 2 ) q„ Q„ E V a, = X +— ц —---
1 I 3 Jp c l в у
a = ₽.
, 2 в V ’
a 3
к 2 = 0,
- 1 f дnV 5U п д2 nV R ni --' q ' DV - - вVn вiV ( дt дx дx
. - в у n _ в
4 в v ’ 5 в у ’
Q, a4 =---- , a, 6 Q v
= D l
D V , e V D V
c l 2
.
система (1)–(3) сводится к системе двух уравнений
д 2 U д t1
+
X +— ц
T-—f I |
c l — |
Гл 2 V X+ 3 ц |
3 q E Q i У PP ,V |
)д2 U ") д x 2 + |
X + |
2 3 - ц |
11 fa — |
в V Q i |
V n v |
3 У |
ц v |
в iV |
J д X |
|
|_Q |
■ д2 |
n V - + f X + |
2 3 ц |
Q D v д 3 n v = |
1 pp iv д x д t V |
3 J |
рв у д x 3 |
0,
д n V гл о п \д n V о \ n n V
-( » V o , +в i D V ли ■ в V )^
- (Dv+ Di )f-nV:+ did- "vv + дx д tд ди
+q Е(Ру — в)— q е дx дx д t
Все параметры положительны, кроме двух a 1 < 0, a 6 < 0 .
В комплексном дисперсионном уравнении (6) волновое число должно быть комплексным к = к 1 + ik 2 [33], где k 1 и k 2 – действительная и мнимая части волнового числа. С учетом этого обстоятельства продольное перемещение запишется в виде
U = U0 exp (к2 x) exp (ito t — ik1 x), здесь k1 и k2 характеризуют распространение и затухание волны соответственно при фиксированном значении частоты.
д г
+ q е Di я з + (e i e V — в iV в Vi ) n V = 0. д x 3
2. Среда с одним типом точечных дефектов
В систему дифференциальных уравнений (4), (5) подставляем решение в виде монохроматических волн с произвольными амплитудами U 0 , nV 0 :
Рассмотрим сначала два более простых частных случая, если в материале имеет место только один тип точечных дефектов: либо вакансии, либо межузлия. Система (1)–(3) будет иметь вид:
U = U 0 exp ( i to t — ikx ) ,
д 2 U — 2 д 2 и д t 2 c l д x 2
nv = n V exp ( i to t — ikx ) ,
f 2 ) Q j д n j — X +ц
I 3 J p
d n, d U 5 2 n j
— = qe—+d, —г - в n, dt dx dx2
( j = V и j = i в системах с вакансиями и межузлиями соответственно).
Комплексное дисперсионное соотношение (6) упростится ( a 2 = 0, a 3 = 0, a 4 = 0, a 6 = 0):
m 3 - i ( 1 + a 7 k 2 ) © 2 - k 2 © + i ( a 7 k 4 + ( 1 - a 1 ) k 2 ) = 0, (7)
( 2 ) q П, в ,D, где ax = 1 X + —ц 1^a7 =^~ (j = V, i).
I 3 Jp C l в j C l
Раскладывая волновое число и разделяя действительную и мнимую части дисперсионного уравнения (7), получим систему
to + 2a7kik2© — (k1 — k2 )©-
- 4 a 7 k3 k 2 + 4 a 7 k 1 k 2 3 — 2 ( 1 — a 1 ) k 1 k 2 = 0,
( 1 + a 7 ( k 1 - k 2 ) ) © + 2 kxk 2 ©-
- a7 (k4 + k4) + 6a7k12k22 - (1 - a1)(k2 - k22) = 0.
При решении системы (8) ограничимся рассмотрением волновых чисел с положительной действительной частью. Дисперсионные кривые k1 (©), k2 (©) изображены на рис. 1. Одна пара ветвей (k1, k2) (рис. 1, 1) имеет асимптоты в виде наклонной k1 = ©, исходящей из начала координат, и горизонтальной k2 = 0 прямых. Другая пара ветвей (рис. 1, 2) ограничена частями квад ратичной параболы k12 = ± — (рис. 1, короткий , 2a7
штриховой пунктир).

Рис. 1. Зависимости k 1 ( © ) (сплошная линия), k 2 ( © ) (длинный штриховой пунктир)
Fig. 1. Dependences k 1 ( © ) (solid line), k 2 ( m ) (long dash line)
Распространяющейся волне соответствует коэффи- k циент затухания у = —, принадлежащий интервалу k 1
- 1 <у< 1. Только у одной пары ветвей ( k 1 , k 2 ) этот коэффициент лежит в указанных пределах ( у , ^ 0, |у2| > 1). Для вакансий коэффициент затухания положителен ( Y 1 > 0), для межузлий - отрицателен ( у 1 < 0) (рис. 2).

Рис. 2. Зависимость у ( © ) при различных значениях параметра a 1 : a 1 < 0 (штриховой пунктир), a 1 > 0 (сплошная линия)
Fig. 2. Dependence у ( © ) at various values of parameter a 1 : a 1 < 0 (dash line), a 1 > 0 (solid line)
Отследить динамику одной ветви (соответствующей распространяющейся волне) дисперсионной кривой k 1 ( © ) при изменении параметров a 1 , a 7 позволяет разность этой ветви кривой со своей асимптотой. Рассмотрим функцию k 1 ( © ) = k 1 ( © ) - © . Влияние параметра a 1 на поведение кривой k 1 ( © ) показано на рис. 3. На рис. 4 изображены зависимости k 1 ( a 7 ) , характерные для низких и высоких частот.
В области низких частот видно наличие ярко выраженной дисперсии (см. рис. 3). При любых значениях частоты: k 1 < 0 при a 1 < 0 и k 1 > 0 при a 1 > 0 .
Зависимость k 1 ( © ) от параметра a 1 монотонная: при увеличении абсолютного значения параметра кривая сдвигается в сторону увеличения абсолютных значений k 1 . Зависимость k 1 ( © ) от параметра a 7 монотонная (убывающая при a 1 > 0 и возрастающая при a 1 < 0) в области низких частот и немонотонная в области высоких частот (см. рис. 4). При увеличении значения параметра a 7 кривая k 1 ( © ) сдвигается сначала в сторону увеличения, затем в сторону уменьшения абсолютных значений k 1 ( © >> 1 ).

Рис. 3. Зависимость к ( го ) при различных значениях параметра ai : а р) (короткий штриховой пунктир), a® (штрихпунктир), a ( 3 ) (длинный штриховой пунктир), a i4 (сплошная линия);
a (1) < ай< 0 < а№< aW аМ = ИI а(3) > U2)I a i . a i . . a i . a i , a i a i , a i a i
-
Fig. 3. Dependence k ( го ) at various values of parameter a i : a p) (dash line), a^ (dash-dot line), a ( 3 ) (long dash line), a (4 ) (solid line)' a ( i ) < aM< 0 < a№< aw aw = HI a№ > |ti(2) nue); a i < a i < < a i < a i , a i — a i , a i > a i

Рис. 4. Зависимость k i ( a 7 ) при фиксированном значении частоты го и различных значениях параметра a i: го < i (сплошная линия), го >> i (штриховой пунктир) и a i < 0 ( 1 ), a i > 0 ( 2 )
-
Fig. 4. Dependence ki ( a 7 ) at fixed frequency value го and various values of parameter a i: го < i (solid line), го >> i (dash line) and a i < 0 ( 1 ), a i > 0 ( 2 )
го
Зависимости фазовой v h — — k 1
и групповой
v gr
d го dk1
скоростей изображены на рис. 5. Для скоро- стей в средах с вакансиями и межузлиями на всем интервале частот выполняются неравенства vph > vgr и vph < vgr соответственно. На низких частотах скорости близки к значению v0 — ^i - ai , а на высоких - близки к единице (v„ ^ i). Причем, если дефектами являются вакансии, то v0 > v„, а если дефектами являются ме-жузлия, то v0 < v„ .


Рис. 5. Зависимости vph ( го ) (сплошная линия) и v gr ( го ) (длинный штриховой пунктир) при различных значениях параметра a i: a i < 0 ( a ), a i > 0 ( b )
-
Fig. 5. Dependences vph ( го ) (solid line) and v gr ( го ) (long dash line) at various values of parameter a i : a i < 0 ( a ), a i > 0 ( b )
-
3. Среда с двумя типами точечных дефектов
На низких частотах (см. рис. 5) очевидно, так же, как и на рис. 3, наличие дисперсии. В средах с вакансиями наблюдается нормальная дисперсия, в средах с межузлиями – аномальная дисперсия.
Рассмотрим теперь более сложный – общий случай, если в материале одновременно имеют место оба типа точечных дефектов: вакансии и межузлия. По-прежнему считаем, что волны бегут в положительном направлении оси x ( ki > 0).
По сравнению с предыдущим случаем, где у дисперсионной кривой две пары ветвей (из них только одна соответствует распространяющейся волне со слабым затуханием, к 2 ^ 0), здесь у кривой присутствует еще одна пара ветвей к 1 ( ю ) , к 2 ( ю ) , которая при определенных значениях параметров системы может соответствовать распространяющейся волне, имеющей постоянное ненулевое затухание.
Действительные ветви дисперсионной кривой (6) имеют три асимптоты: одна прямая и две квадратичные параболы с вершинами в начале координат ю = к1, ю = 2 a 7 (1 + a 2) к2, ю = 2 a 3 a 7 (1 + a 2) к2 .
Одна из трех ветвей зависимости к 1 ( ю ) имеет отсечку по волновому числу, если параметры системы удовлетворяют неравенству
-
- a 1 a 4 - a 2 - a 1 a 5 a 6 + a 1 a 6 + a 1 a 2 + a 4 a 5 > 0, (9)
левая часть которого не зависит от параметров a 3 , a 7 .
Соотношение параметров системы качественно влияет на вид дисперсионных кривых (рис. 6). Цифрами на рисунке условно пронумерованы пары ветвей (к1, к2). Соответствующие зависимости коэффициента затухания у1- у3 изображены на рис. 7. Асимптоты на рисунках, как и прежде, отмечены коротким штриховым пунктиром.

Рис. 6. Зависимости к 1 ( ю ) (сплошная линия), к 2 ( ю ) (длинный штриховой пунктир) при выполнении ( a ) и невыполнении ( b ) условия (9)

b
Fig. 6. Dependences к 1 ( ю ) (solid line), к 2 ( ю ) (long dash line) when ( a ) is met and condition (9) is not met ( b )

а b
Рис. 7. Зависимость у ( ю ) (сплошная линия) при выполнении ( a ) и невыполнении ( b ) условия (9)
Fig. 7. Dependence у ( ю ) (solid line) when ( a ) is met and condition (9) is not met ( b )

Рис. 8. Зависимости к 1 ( го ) (сплошная линия), к 2 ( го ) (длинный штриховой пунктир) и у ( го ) (штрихпунктирная

b
линия) при выполнении ( a ) и невыполнении ( b ) условия (9)
-
Fig. 8. Dependences к 1 ( го ) (solid line), к 2 ( го ) (long dash line) and у ( го ) (dash-dot line) when ( a ) is met and condition (9) is not met ( b )
Рис. 9. Зависимости v ph ( го ) (сплошная линия) и v gr ( го ) (длинный штриховой пунктир) при выполнении ( a ) и невыполнении ( b ) условия (9)
b
-
Fig. 9. Dependences v ph ( го ) (solid line) and vgr ( го ) (long dash line) when ( a ) is met and condition (9) is not met ( b )
Отсечка по волновому числу k 1 , наблюдаемая на рис. 6, a , отсутствует на рис. 6, b .
При справедливости неравенства (9) на низких частотах может существовать еще одна продольная волна (
-
1
Параметры a 3 и a 7 не влияют на существование второй низкочастотной волны.
Зависимости к 1 ( го ) , к 2 ( го ) и у ( го ) распространяющейся волны представлены на рис. 8.
Из анализа к ( го ) следует, что кривая к1 ( го ) в основном лежит ниже своей асимптоты (см. рис. 8, a ). Кривые к 2 ( го ) и у ( го ) меняют знак. Величины к 1 и к 2 разных знаков на низких и одного знака на высоких частотах. На низких частотах по мере распространения волны ее амплитуда уменьшается (волна затухает), аналогичное поведение наблюдается в однотипных средах с межузлиями. На высоких частотах амплитуда волны увеличивается (волна усиливается). Увеличение амплитуды волны типично для сред с вакансиями.
При нарушении неравенства (9) на всем интервале частот k 1 и k 2 имеют один знак.
Кривые фазовой и групповой скоростей показаны на рис. 9.
Кривая групповой скорости расположена как ниже, так и выше кривой фазовой скорости (см. рис. 9, a ). На низких и высоких частотах расположены участки с нормальной дисперсией, заключающие между собой участок с аномальной дисперсией.
На высоких частотах в обоих вариантах имеется нормальная дисперсия.
Очевидно, что если коэффициенты диффузий дефектов равны ( a 3 → 1 ), то асимптоты – параболы дисперсионной кривой (6) совпадают. Кривые фазовой и групповой скоростей имеют одну точку пересечения. На низких частотах проявляется нормальная дисперсия, на высоких – аномальная.
Заключение
Моделируемая среда такова, что в отсутствие каких-либо дефектов имеем классическую упругую среду, продольная волна в которой распространяется без дисперсии и затухания. Точечные дефекты способствуют
Список литературы Дисперсия продольных волн, распространяющихся в материалах с точечными дефектами
- Мирзоев Ф.Х., Панченко В.Я., Шелепин Л.А. Лазерное управление процессами в твердом теле // Успехи физических наук. - 1996. - Т. 166, № 1. - С. 3-32.
- Емельянов В.И., Уварова И.Ф. Электронно-деформационно-тепловая неустойчивость и фазовый переход полупроводник-металл под действием лазерного излучения с образованием сверхструктур // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1988. - Т. 94, № 8. - С. 255-269.
- Емельянов В.И., Сумбатов А.А. Кристаллизационно-де-формационно-тепловая неустойчивость и формирование упорядоченных структур при лазерной кристаллизации // Поверхность: физика, химия, механика. - 1988. - № 7. - С. 122-127.
- Емельянов В.И., Уварова И.Ф. Вакансионно-деформа-ционная неустойчивость в формировании упорядоченных структур при нагреве тонких металлических пленок // Металлофизика. - 1989. - Т. 11, № 5. - С. 101-106.
- Емельянов В.И., Мирзоев Ф.Х., Шелепин Л.А. О механизмах образования упорядоченных структур дефектов при воздействии концентрированных потоков энергии // Квантовая электроника. - 1994. - Т. 21, № 8. - С. 769-772.
- Мирзоев Ф.Х., Шелепин Л.А. Нелинейные волны деформации и плотности дефектов в металлических пластинах при воздействии внешних потоков энергии // Журнал технической физики. - 2001. - Т. 71, № 8. - С. 23-26.
- Coupled heat transfer, fluid flow and solidification kinetics for laser additive manufacturing applications / M.D. Khomenko, F.K. Mirzade, N.W. Makoana, S. Pityana // Journal of Manufacturing Processes. - 2021. - Vol. 67. - Р. 611-618.
- Сейдгазов Р.Д., Мирзаде Ф.Х. Пороговые условия термокапиллярного формирования глубокой каверны в аддитивном процессе селективного лазерного плавления металлического порошкового слоя // Сварочное производство. - 2021. -№ 5. - С. 20-30.
- Сейдгазов Р.Д., Мирзаде Ф.Х. Возбуждение капиллярной волны как механизм образования пор в процессе глубокого проплавления лазерным излучением // Письма в Журнал технической физики. - 2023. - Т. 49, № U. - С. ЗЬЗЗ. DOI: 10.21883/PJTF.2023.12.55571.19553
- Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация / пер. с нем. B.В. Климова, В.Н. Пальянова; под ред. М.И. Гусевой. - М.: Наука, ^83. - 360 с.
- Оцуки Ё.-Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами / пер. с англ. В.В. Белошицкого, Л.И. Огнева, А.В. Тулупова; под ред. М.А. Кумахова. - М.: Мир, ^85. - 280 с.
- Анищик В.М., Углов В.В. Модификация инструментальных материалов ионными и плазменными пучками. -Минск: Изд-во БГУ, 2003. - Ш с.
- Defect production during ion implantation of various AIIIBV semiconductors / W. Wesch, E. Wendler, G. Gotz, N.P. Kekelidse // Journal of Applied Physics. - m9. - Vol. 65, no. 2. - P. 5^-526.
- M. Native point defects in low-temperature-grown GaAs / X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz // Applied Physics Letters. - ^95. - Vol. 67, no. 2. - P. 279-28L
- Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs / Н.Н. Дымова, А.Е. Куницын, А.В. Марков, В.В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников. - j997. - Т. 3j, № j2. - C. 1409-1413.
- Formation of n+-layers in undoped and indium-doped GaAs wafers by Si and Si+P ion implantation / V.V. Chaldyshev, N.N. Dymova, A.E. Kunitsyn, A.V. Markov // Physica Status Sol-idi (a). - ^97. - Vol. !63, no. L - P. 8^6.
- Napolitani E., Impellizzeri G. Ion implantation defects and shallow junctions in Si and Ge // Semiconductors and Semi-metals. - 2015. - Vol. 91. - P. 93-122.
- Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И. Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, № 9. - С. 967-972. DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46228.8720
- Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate / A.A. Nikolskaya, D.S. Koro-lev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, A.A. Sushkov, N.O. Krivulin, K.R. Muhamatchin, A.A. Elizarova, M.O. Marychev, A.A. Kona-kov, D.I. Tetelbaum, D.A. Pavlov // Applied Physics Letters. -2018. - Vol. 113. - P. 182103.
- Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И. Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий // Физика и техника полупроводников. - 2020. - Т. 54, № 8. - С. 771-777. DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49649.9338
- Photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si inclusions in SiO2/Si structure: Effect of irradiation dose and oxide film thickness / A. Nikolskaya, A. Belov, A. Mikhaylov, A. Konakov, D. Tetelbaum, D. Korolev // Applied Physics Letters. - 2021. -Vol. 118, no. 21. - P. 212101.
- Influence of chemical nature of implanted atoms on photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si hexagonal silicon / A. Nikolskaya, D. Korolev, A. Belov, A. Konakov, D. Pavlov, A. Mikhaylov, D. Tetelbaum // Materials Letters. - 2022. -Vol. 308, part A. - P. 131103.
- Luminescence of modified W-centers arising in silicon upon irradiation of the SiO2/Si system by Kr+ ions / A. Nikol-skaya, D. Korolev, A. Mikhaylov, A. Konakov, A. Okhapkin, S. Kraev, A. Sushkov, D. Pavlov, D. Tetelbaum // Materials Letters. - 2023. - Vol. 342. - P. 134302.
- Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+ / А.А. Никольская, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.А. Конаков, А.И. Охап-кин, С.А. Краев, А.И. Андрианов, А. Д. Моисеев, А.А. Сушков, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Вестник Московского Университета. Серия 3. Физика. Астрономия. - 2023. - Т. 78, № 3. - С. 2330501. DOI: 10.55959/MSU0579-9392.78.2330501
- Бурлак Г.Н., Островский И.В. Гистерезисные акустические явления, связанные с дислокационной нелинейностью в кристаллах // Письма в Журнал технической физики. -1997. - Т. 23, № 18. - С. 69-74.
- Ерофеев В.И., Ромашов В.П. Влияние дислокаций на дисперсию и затухание ультразвука в твердом теле // Письма в Журнал технической физики. - 2002. - Т. 28, № 6. - С. 6-11.
- Багдоев А.Г., Ерофеев В.И., Шекоян А.В. Линейные и нелинейные волны в диспергирующих сплошных средах. -М.: Физматлит, 2009. - 320 с.
- Сарафанов Г.Ф. Коллективные и волновые эффекты в ансамбле дислокаций при пластической деформации металлов. - Нижний Новгород: Литера, 2010. - 359 с.
- Ерофеев В.И., Мальханов А.О. Дисперсия и самомодуляция волн, распространяющихся в твердом теле с дислокациями // Физическая мезомеханика. - 2017. - Т. 20, № 4. -С. 69-76.
- Ерофеев В.И., Артамонова О.А. Влияние точечных дефектов в материале на распространение нелинейной акустической волны // Труды XXII Сессии Российского акустического общества и Научного совета по акустике РАН. - М.: ГЕОС, 2010. - Т. 1. - С. 158-159.
- Ерофеев В.И., Леонтьева А.В., Шекоян А.В. Ударные волны в термоупругой среде с точечными дефектами // Журнал технической физики. - 2020. - Т. 90, № 1. - С. 26-32.
- Erofeev V.I., Leonteva A.V., Shekoyan A.V. Dispersion, attenuation and spatial localization of thermoelastic waves in a medium with point defects // Multiscale Solid Mechanics. Advanced Structured Materials. Altenbach H., Eremeyev V.A., Igumnov L.A. (eds). - Springer, Cham, 2021. - STRUCTMAT, Vol. 141. - P. 123-144.
- Ерофеев В.И., Кажаев В.В., Семерикова Н.П. Волны в стержнях. Дисперсия Диссипация. Нелинейность. - М.: Физ-матлит, 2002. - 208 с.