Effect of laser processing on the parameters of gallium arsenide Schottky diodes

Автор: Bekbergenov S.E., Bazarbayeva F.M.

Журнал: Форум молодых ученых @forum-nauka

Статья в выпуске: 12 (76), 2022 года.

Бесплатный доступ

The article considers the effect of laser processing on the parameters of gallium arsenide Schottky diodes. In the experiment, diode structures with a Pt-n-n+-GaAs Schottky barrier were used, formed on epitaxial GaAs structures with a dopant concentration in the n-layer of 1 3 1016 cm-3 and its thickness of ~5 6 μm.

Parameters, diode, structure, barrier, schottky, laser, plate, diameter

Короткий адрес: https://sciup.org/140297064

IDR: 140297064

Список литературы Effect of laser processing on the parameters of gallium arsenide Schottky diodes

Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения. //ФТП. 1990. т.24. №11. с.2024-2028.
Воронков В.П., Вяткин А.П., Иванов Б.В., Кулешов С.М., Рухадзе З.А. Вольтамперные характеристики контактов Pd-GaAs подвергнутых лазерному отжигу. //ФТП. 1989. т.23. №3 С.562-564.
Бер Б.Я. Дайнова И.Р., Коробов В.А., Кулагина М.М., Прощепа Г.В., Пятаев В.З., Островский А.Ю., Этинбург М.М. Лазерное формирование омических контактов к арсениду галлия n-типа. //Письма в ЖТФ. 1991. т. 17. №20. С.74-79.

Статья научная