Формирование нанокристаллов кремния при термических отжигах пленок оксида кремния
Автор: Нальгиева М.А., Баркинхоева Л.М.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 4 (58), 2020 года.
Бесплатный доступ
Представлены опытные сведения о виде энергетического распределения электронных состояний в зоне проводимости и в валентной зоне и для исследованных кремниевых наноразмерных структур. Определено то, что повышение пористости приводит к сдвигу дна зоны проводимости и также повышает ширину запрещённой зоны. Представлено то, что при естественном старении пористого кремния фотолюминесцентные свойства деградируют, что приводит к окислению слоя аморфного кремния, покрывающего развитую поверхность пористого слоя. После низкоэнергетической плазменной обработке пленок кристаллического кремния образуется диоксид кремния, по толщине существенно превышающий толщину естественного оксида кремния.
Электронные состояния, пористый кремний, фотолюминесцентные свойства
Короткий адрес: https://sciup.org/140275355
IDR: 140275355
Список литературы Формирование нанокристаллов кремния при термических отжигах пленок оксида кремния
- Фотолюминесцентные свойства нанокристаллов кремния в зависимости от их размера // Физ. Rev. B. - 2000. - V. 62, N. 23. - P. 15942.Россия
- The structure and electronic structure of the surface layers of silicon wafers after processing in a low-energy plasma of hydrogen and argon / C.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, Izvestiya VUZov - 2011. - No. 2, S. - 15 - 20.
- Модификация поверхности и окисление кремниевых пластин после низкоэнергетической плазменной обработки в водороде, гелии и аргоне / С.Ю. Турищев В.А. Терехов, Е.В. // 2013. - Т. 16, вып. 6. - С. 1377 - 1381.
- The structure and electronic structure of the surface layers of silicon wafers after processing in a low-energy plasma of hydrogen and argon / C.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, Izvestiya VUZov - 2011. - No. 2, S. - 15 - 20.
