Генерация и накопление вакансий в кристалле, выращиваемом из расплава

Предложена модель образования вакансий в кристалле, выращиваемом из расплава, в результате его неплотной упаковки при кристаллизации. Рассчитана зависимость концентрации вакансий от скорости вытягивания слитка из расплава v, градиента температур на фронте кристаллизации G и параметров диффузионно-дрейфового переноса вакансий в горячей зоне кристалла. Показано, что вакансионный рост кристалла происхо- дит, если параметр Воронкова Е = ^ > Е., где Е. = ^ b'b, здесь ч\ = -^-, N0 и № - термодинамические g ■ ' 1-т, 2n 0равновесные концентрации атомов в расплаве и кристалле соответственно, еь - энергия кристаллизации атомов, Dls - коэффициент диффузии на границе «расплав-кристалл». Предложенная модель позволяет провести оценки режимов роста слитка из расплава.