Гетерогенные реакции атомов йода в лазерной среде O2 (1)-I

Автор: Торбин Алексей Петрович, Михеев Павел Анатольевич, Азязов Валерий Николаевич

Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc

Рубрика: Физика и электроника

Статья в выпуске: 4-1 т.15, 2013 года.

Бесплатный доступ

Генерация атомов йода вне активной среды химического кислородно-йодного лазера позволяет увеличить его энергетическую эффективность и расширить диапазон рабочих параметров. Однако значительная часть наработанного атомарного йода может прорекомбинировать или образовать химическую связь с побочными продуктами разряда и материалом стенки во время транспортировки от генератора до места инжекции. В представленной работе была впервые проведена оценка верхней границы вероятности рекомбинации атомов йода на стенке для исследуемых материалов (никеля, нержавеющей стали, плексигласа и тефлона) и она составила rec 10 -5.

Атомарный йод, кислородно-йодный лазер, гетерогенная рекомбинация

Короткий адрес: https://sciup.org/148202224

IDR: 148202224

Текст научной статьи Гетерогенные реакции атомов йода в лазерной среде O2 (1)-I

Генерация атомов йода вне активной среды кис-лородно-йодного лазера (КИЛ) позволяет увеличить его энергетическую эффективность и расширить диапазон рабочих параметров [1-4]. В качестве источников атомарного йода для КИЛ были предложены электроразрядные [1-8] и химические [9-10] генераторы. Атомы йода могут эффективно нарабатываться в ходе диссоциации йодсодержащих молекул в плазме электрического разряда [58]. В [5] изучался процесс генерации атомов йода в ходе диссоциации CF3I, CH3I или I2 в плазме высокочастотного (ВЧ) разряда. Обнаружено, что максимальная эффективность диссоциации наблюдалась при использовании I2 в качестве донора атомов йода и Ar в качестве газа-носителя. В [7, 8] атомы йода нарабатывались в плазме электрического разряда постоянного тока в газовой смеси Ar-CH3I , которые впоследствии инжектировались в поток синглетного кислорода O 2 ( 1 A ). Было показано, что в схеме с внешней наработкой атомов йода с CH 3 I в качестве донора, время жизни O 2 ( 1 A ) увеличивалось на 30% по сравнению с обычной диссоциацией I2 в потоке синглетного кислорода.

В [9-10] были исследованы химические генераторы атомов йода, основанные на газо-фазных реакциях HI с атомами фтора или хлора. Были получены высокие концентрации атомов йода в лазерной кювете (до 3.2 х 1015 см-3). Выход атомарного йода по отношению к F2 и HI был весьма высок (I/F 2 < 100%, I/HI 60%).

Важную роль в КИЛ с внешним генератором атомов йода играют процессы гибели атомов йода в потоке и на стенках как в ходе их генерации, так и в ходе транспортировки до места инжекции. Процесс гомогенной трехчастичной рекомбинации

I + I + M ^ I 2 + M (1) был активно исследован в [11-13], в то время как имеется недостаточно информации о процессе рекомбинации атомов йода на стенке:

I + стенка ^ 1/2 I 2 + стенка. (2)

Атомы йода могут также реагировать с материалами стенок генератора, тракта транспортировки и/или смесительного блока:

I + M s ^ продукты. (3)

Активная среда КИЛ создается путем смешения первоначально разделённых кислородных и йодных потоков. Для обеспечения быстрого смешивания потоков в КИЛ используется большое число мелкоразмерных сопел, к каждому из которых подводятся газы по каналам малого диаметра [4]. В этом случае влияние процессов (2) и (3) на скорость гибели I в ходе транспортировки по узким каналам может быть существенным.

В [14] экспериментально исследовано влияние материалов стенок на скорость рекомбинации атомов йода в активной среде КИЛ при различных материалах стенок: нержавеющей стали (НС), никеле (Ni), тефлоне (Тф) и плексигласе (ПС). Было обнаружено, что скорость гетерогенной рекомбинации атомов была ниже скорости их гомогенной рекомбинации. В настоящей работе развита математическая модель, описывающая динамику рекомбинации атомов йода в гетерогенных и гомогенных процессах в ходе транспортировки по каналам постоянного сечения. На основе модели проведен анализ экспериментальных данных представленных в [14].

Изменение концентрации атомов йода вдоль координаты по потоку в канале постоянного се-

Известия Самарского научного центра Российской академии наук, т. 15, №4, 2013

чения с протекающими в это время гомогенными и гетерогенными процессами (1)-(3) описывается следующим уравнением баланса [15]:

Z k M N I N M + k - 2 N H N- 2 ) o + K N- ) o - N- P 2 1

dNi = _ mpNo (4) dx U U где NI – концентрация атомов йода в ядре потока, kM – константа скорости процесса трехчастичной рекомбинации (1) в буферном газе M, kI2 - константа скорости процесса (1) для M=I2, NM – концентрация буферного газа M, (NI2 )0 и (N I )0 -начальные концентрации I2 и I соответственно, P – коэффициент массопереноса, s - удельная поверхность контакта газ-твёрдое тело, U – скорость газа, x – координата вдоль потока. Коэффициент массо-переноса P может быть выражен из формулы:

Здесь P g - коэффициент массопереноса в газовой фазе, P S = vy rec /4 - кинетический коэффициент массопереноса, u – тепловая скорость атомов йода, У rec - вероятность рекомбинации атомов на стенке в процессе (2). Первое слагаемое в правой части выражения (4) описывает уменьшение концентрации атомарного йода в ходе гомогенного процесса (1), а второе – перенос атомов из ядра потока к стенке и их потери в гетерогенных процессах (2) и (3). Отметим, что коэффициент массопереноса в трубке диаметром

NuD d находится из выражения Pg = , а удельная поверхность из о =4d-, где Nu - число Нуссельта, DI – коэффициент диффузии атомов йода.

После интегрирования выражения (4) получаем следующую зависимость концентрации атомов йода от координаты по потоку в канале постоянного сечения:

_ 1 ln N - ( A ( N - ) 2 + B ( N - ) o + C )_

  • 2    C     ( N - ) 0 ( AN - + BN - + C )

    VT ) VT),



ячейку, находящуюся за зоной диссоциации, параллельно верхней и нижней стенке помещали две пластинки из Cu, Ni, НС, Тф или ПС. Расстояние между верхней и нижней стенками в измерительной ячейке составляло 15 мм, тонкие пластинки делили пространство на равные части высотой h =0.5 cm.

На рис. 1 представлена временная зависимость интенсивности излучения I2 на переходе B-X. Эксперименты показали, что интенсивность свечения йода возрастала в присутствии пластин, но падала со временем и возвращалась к той интенсивности, которая наблюдалась в отсутствие пластин за время около 20 секунд. Поверхностные активные центры (сайты), на которых происходит рекомбинация атомов, оккупируются молекулярным йодом за относительно короткое время, подавляя тем самым процесс гетерогенной рекомбинации. В случае медных пластин вид временной зависимости выглядел так же, только интенсивность излучения была в два раза выше. В [14] было высказано предположение, что атомарный йод или хлор реагировал с медной поверхностью и продукт реакции непрерывно обновлял поверхность контакта фаз, на которой эффективно протекала гетерогенная рекомбинация атомов йода.

Таким образом, скорость поверхностной рекомбинации для материалов стенки из Ni, НС, Тф и ПС ниже скорости трёхчастичной рекомбинации в потоке. Для этих материалов вероятность рекомбинации на стенке У rec очень мала. В этом случае коэффициент массопереноса в газовой фазе намного больше кинетический коэффициент массоперено-са P g >> P s . Тогда как следует из (5) P = P s , т. е . поток атомов йода к стенке, претерпевающих рекомбинацию, будет определяться следующим выражением [15]: j w = vy rec NI /4 , где NI - концентрация атомов йода. Для условий эксперимента рис. 1 скорость гомогенной рекомбинации превышает скорость гетерогенной рекомбинации:

Рис. 1. Временная зависимость интенсивности излучения на переходе I2B-X при O2:N2=1:1, давлении газа 2.5 Торр и доле молекул йода в кислороде 0.5% [14]

^k o 2 N O 2 + k N 2 N N 2 ) N I VY rec CT N I /4 . (7)

В условиях эксперимента [14] концентрации молекул кислорода, азота и атомов йода равнялись соответственно NO2=Nn2 = 3.5 X 1016 см-3, N I = 3.5 X 1014 см-3, константы скоростей трехчастичной рекомбинации атомов йода на О2 и N2 равны соответственно k O2 =1.9r10-32 см6/с, k N2 =1 X 10-32 см6/с [16]. Учитывая, что б =2/h =4 см-1 и и =2.4 X 10 4 см/с находим из (7), что верхняя граница вероятности рекомбинации на стенке для исследуемых материалов (Ni, НС, Тф и ПС) составляет Y ec 10-5.

Анализ экспериментальных данных приведенных в работе [14] на основе предложенной в данной работе математической модели показал, что верхняя граница вероятности рекомбинации на стенке для материалов (Ni, НС, Тф и ПС) составляет Y 10-5. Для этих материалов потери атомов йода в гетерогенных процессах при их доставке от генератора до активной среды лазера будут незначительными и данные материалы могут быть использованы для изготовления узлов КИЛ с внешним генератором атомов йода.

В [4] представлены выходные характеристики КИЛ для двух режимов работы. В первом режиме молекулы I2 инжектировались непосредственно в поток синглетного кислорода, а во втором атомы йода нарабатывались во вне активной среды и затем инжектировались в нее. В последнем случае было зафиксировано почти четырехкратное увеличение выходной мощности. Отметим, что в этой работе генератор атомов йода, тракт транспортировки и смесительный блок были сделаны из материалов с низким значением Y rec .

Работа выполнена при поддержке Государственного контракта № 16.740.11.0494 в рамках федеральной целевой программы “Научные и научно-педагогические кадры инновационной России”.

Список литературы Гетерогенные реакции атомов йода в лазерной среде O2 (1)-I

  • Output power enhancement of a chemical oxygen-iodine laser by predissociated iodine injection/M. Endo, D. Sugimoto, H. Okamoto, K. Nanri, T. Uchiyama, S. Takeda, T. Fujioka//Jpn. J. Appl. Phys. 39, P.468-474 (2000).
  • Power enhancement in chemical oxygen-iodine lasers by iodine predissociation via corona/glow discharge/A. Katz, Z. Dahan, V. Rybalkin, K. Waichman, B.D. Barmashenko, S. Rosenwaks//Appl. Phys. Lett. 90, P.161122/3 (2007).
  • Benavides G.F., Zimmerman J.W., Woodard et al. Gain and continuous-wave laser power enhancement with a secondary discharge to predissociate molecular iodine in an electric oxygen-iodine laser//Appl. Phys. Lett. 92, P.041116/3 (2008).
  • Mikheyev P.A., Zagidullin M.V., Azyazov V.N. Chemical oxygen-iodine laser with external production of iodine atoms in CH3I/Ar dc glow discharge//Appl. Phys. B 101(1-2), P.7-10 (2010).
  • Dissociation of molecular iodine in RF discharge for oxygen-iodine lasers/V. Jirasek, J. Schmiedberger, M. Censky, J. Kodymova,//Eur. Phys. Jour. D 66, P.89 (2012).
  • Mikheyev, P.A., Azyazov, V.N. Properties of O2(1Δ)-I(2P1/2) laser medium with a dc glow discharge iodine atom generator// J. Appl. Phys. 104(12), P.123111/6 (2008).
  • Parameters of an electric-discharge generator of iodine atoms for a chemical oxygen-iodine laser/V.N. Azyazov, M.V. Vorob'ev, A.I. Voronov, N.V. Kupryaev, P.A. Mikheyev, N.I. Ufimtsev//Quantum Electron. 39(1), P.84-88 (2009).
  • Mikheyev, P. A., Shepelenko, A. A., Voronov, A. I., Kupryaev, N. V., "Production of iodine atoms by dissociating CH3I and HI in a dc glow discharge in the flow of argon," J. Phys. D: Appl. Phys. 37(22), P.3202-3206 (2004).
  • Development of the Chemical Oxygen-Iodine Laser (COIL) with chemical generation of atomic iodine/J., Kodymova O. Spalek, V. Jirasek, M. Censky, G.D. Hager//Appl. Phys. A. 00, P.331-336 (2003).
  • Chemical oxygen-iodine laser with atomic iodine generated via fluorine atoms/V. Jirasek, M. Censky, O. Spalek, J. Kodymova, I. Pickova, I. Jakubec//Chem. Phys. 345, P.14-22 (2008).
  • Chang H.W., Burns G. Recombination of iodine atoms by flash photolysis over a wide temperature range. VII. Recombination between 206 and 300 K//J. Chem. Phys. 64, P.349-353 (1976).
  • Antrim R.E., Burns G., Ip J.K.K. Recombination of iodine atoms by flash photolysis over a wide temperature range. VIII. I2 in O2//Can. J. Chem. 55, P.749-756 (1977).
  • Ip J.K.K., Burns G. Recombination of iodine atoms by flash photolysis over a wide temperature range. II. I2 in He, Ar, Xe, N2, CO//J. Chem. Phys. 56, P.3155-3161 (1972).
  • Formation of I2(3P0) in the presence of О2(a1)/V.N. Azyazov, P.A. Mikheyev, N.I. Ufimtsev, I.O. Antonov, M.C. Heaven//J. Appl. Phys. 102(12), P.123108/7 (2007).
  • Azyazov V.N. New mechanism of heterogeneous relaxation of electronic energy in the active medium of an oxygen-iodine laser//Quantum Electron. 24(1), P.23-25 (1994).
  • NIST Chemical Kinetics Database. URL: http://kinetics.nist.gov/kinetics/(дата обращения 28.09.2012).
Еще
Статья научная