Химико-механическое полирование. Часть 1. Основные закономерности: обзор
Автор: Гольдштейн Роберт Вениаминович, Осипенко Николай Михайлович
Статья в выпуске: 3, 2011 года.
Бесплатный доступ
Химико-механическое полирование (ХМП) - перспективная технология микро- и наноэлектроники. Аналитический обзор показывает, что к настоящему времени разработка моделей ХМП остается актуальным научным направлением. Отмечено, что известные модели процесса ХМП не учитывают специфику химических и механических аспектов взаимодействия рабочей жидкости и частиц с полируемой поверхностью, а также взаимодействие с ней пористой поверхности вязкоупругого полировальника, отсутствует описание элементарных актов такого взаимодействия.
Химико-механическое полирование, абразив, жидкость, планаризация, модель
Короткий адрес: https://sciup.org/146211385
IDR: 146211385 | УДК: :
Chemical-mechanical polishing. Part 1. Main characteristic: review
Chemical-mechanical polishing (CMP) is a perspective technology in fabrication of micro - and nanoelectronics elements, devices and systems. The development of models of CMP processes remains to be the actual problem. It is pointed out that known CMP models do not account for the features of chemical and mechanical mechanisms of interaction of active fluid and particles with a polished surface as well as an interaction of a viscoelastic pad with the surface. A description of the elementary acts of such interaction are absent in the available models.
