Использование параметра растворимости для подбора растворителей термообработанных полимерных позитивных фоторезистных масок, применяемых во "взрывной" фотолитографии

Использование параметра растворимости для подбора растворителей термообработанных полимерных позитивных фоторезистных масок, применяемых во "взрывной" фотолитографии

Автор: Лысич Дарья Владимировна

Журнал: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия: Химия @vestnik-susu-chemistry

Рубрика: Физическая химия

Статья в выпуске: 3 т.9, 2017 года.

Бесплатный доступ

Определен параметр растворимости для позитивного фоторезиста на основе новолачных смол и орто-нафтохинондиазидов. Параметр растворимости использован для изучения растворимости фоторезистов в обычной и «взрывной» (обратной) фотолитографии. Изучено влияние присутствия водородных связей на изменение величины параметра растворимости. Рассчитано изменение параметра растворимости фоторезиста при экспонировании его УФ светом. Предложены критерии отбора состава проявителя для позитивных фоторезистов для осуществления «взрывной» (обратной) фотолитографии.

"взрывная" фотолитография, параметр растворимости, смеси растворителей, энергия когезии, ван-дер-ваальсов объем, сшивка, водородная связь

Короткий адрес: https://sciup.org/147160394

IDR: 147160394   |   DOI: 10.14529/chem170304

Список литературы Использование параметра растворимости для подбора растворителей термообработанных полимерных позитивных фоторезистных масок, применяемых во "взрывной" фотолитографии

  • Пат. 7036109 B1 A США Imaging integrated circuits with focused ion beam/C.-C. Tsao, T.R. Lundquist, W. Thompson, E. Le Roy, E.A. Delenia; заявитель и патентообладатель -Credence Systems Corporation. № 10/274,431; заявл. 17.10.2002; опубл. 25.04.2006, Бюл. № 23. -14 с.
  • Пат. 3645178 A США Apparatus for exposing photoresist in cylinders/C.G. Speicher; заявитель и патентообладатель -Ibm. № 811,151; заявл. 27.03.1969; опубл. 29.02.1972, Бюл. № 19. -6 с.
  • Пат. 5643700 A США Photoresist composition and method of exposing photoresist/Y. Otsuka; заявитель и патентообладатель -Sony Corporation. № 07/966,442; заявл. 26.10.1992; опубл. 01.07.1997, Бюл. № 17. -6 с.
  • Пат. 6756186 B2 США Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices/W.D. Collins, W.L. Snyder, D.A. Steigerwald; заявитель и патентообладатель -Lumileds Lighting U.S., Llc. № 10/104,883; заявл. 22.03.2002; опубл. 29.06.2004, Бюл. № 15. -9 с.
  • Пат. 3645179 A США Apparatus for exposing photoresist in cylinders/K.N. Karol; заявитель и патентообладатель -Ibm. № 811,023; заявл. 27.03.1969; опубл. 29.02.1972, Бюл. № 13. -6 с.
  • Пат. 4212935 A США Method of modifying the development profile of photoresists/B.J. Canavello, M. Hatzakis, J.M. Shaw; заявитель и патентообладатель -International Business Machines Corporation. № 05/880,926; заявл. 24.02.1978; опубл. 15.07.1980, Бюл. № 8. -12 с.
  • Пат. 6159662 A США Photoresist development method with reduced cycle time and improved performance/Y.-H. Chen, Y.D. Chen; заявитель и патентообладатель -Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. № 09/312,600; заявл. 17.05.1999; опубл. 12.12.2000, Бюл. № 14. -10 с.
  • Аскадский, А.А. Химическое строение и физические свойства полимеров/А.А. Аскадский, Ю.И. Матвеев. -М.: Химия, 1983. -248 с.
  • Аскадский, А.А. Компьютерное материаловедение полимеров. Т. 1.Атомно-молекулярный уровень/А.А. Аскадский, В.И. Кондращенко. -М.: Научный мир, 1999. -544 с.
  • Об оценке плотности энергии когезии низкомолекулярных жидкостей и полимеров/А.А. Аскадский, В.И. Кондращенко, Г.Л. Слонимский, В.В. Коршак//Высокомолекулярные соединения. Серия А. -1977. -А 19. -№ 5. -С. 1004-1013.
  • Аскадский, А.А. О структуре отвержденных фенол-формальдегидных смол/А.А. Аскадский, В.И. Кондращенко//Высокомолекулярные соединения. Серия А. -1997. -Т. 39, № 10. -С. 1625-1634.
  • Аскадский, А.А. О предсказании растворимости полимеров/А.А. Аскадский, Ю.И. Матвеев, М.С. Матевосян//Высокомолекулярные соединения. Серия А. -1990. -Т. 32б, № 10. -С. 2157-2166.
  • Аскадский, А.А. Об изменении плотности упаковки макромолекул при физических превращениях в полимерах/А.А. Аскадский, Г.Л. Слонимский, А.И. Китайгородский//Высокомолекулярные соединения. Серия А. -1976. -Т. 16, № 2. -С. 424-430.
  • Аскадский, А.А. Развитие работ, посвященных анализу пористой структуры и растворимости полимеров/А.А. Аскадский//Высокомолекулярные соединения. Серия А. -2012. -Т. 54, № 11. -С. 1620-1630.
  • Пырх, Т.В. Свойства разбавленных растворов высокомолекулярного полилактида/Т.В. Пырх, А.А. Мажеева, О.В. Зайцева//Успехи в химии и химической технологии. -2008. -Т. 22, № 5 (85). -С. 70-73.
  • Koenhen, D.M. New Procedure To Calculate the Hansen Solubility Parameters of Polymers/D.M. Koenhen, V. Smolders//Journal Applied polymer science. -1975. -№ 19. -P. 1163-1179.
  • Пат. 3887373 A США Non-polluting photoresist developing process/R.G. Hays, H.G. Hughes, W.L Hunter; заявитель и патентообладатель -Motorola Inc. № 424,138; заявл. 12.12.1973; опубл. 03.06.1975, Бюл. № 22. -4 с.
  • Zhang, X. The effect of soft bake on adhesion property between SU-8 photoresist and Ni substrate by molecular dynamics simulation/X. Zhang, L. Du, Z. Xu//Journal Applied polymer science. -2013. -P. 4456-4462.
  • Пат. 7033726 B2 США Photoresist polymeric compound and photoresist resin composition/M. Nishimura, H. Koyama, K. Tsutsumi; заявитель и патентообладатель -Daicel Chemical Industries, Ltd. № 10/494,686; заявл. 28.10.2003; опубл. 25.04.2006, Бюл. № 6. -14 с.
  • ТУ 2378-005-29135749-2007. Фоторезист позитивный ФП-383. -М.: Фраст-М, 2007. -51 с.
  • Пат. 4814258 A США PMGI Bi-layer lift-off process/G. Tam; заявитель и патентообладатель -Motorola Inc. № 07/077,357; заявл. 24.07.1987; опубл. 21.03.1989, Бюл. № 9. -6 с.
  • Пат. 4430419 A США Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof/K. Harada; заявитель и патентообладатель -Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation. № 06/339,414; заявл. 15.01.1982; опубл. 07.02.1984, Бюл. № 7. -12 с.
  • Пат. 4524121 A США Positive photoresists containing preformed polyglutarimide polymer/R.D. Gleim, M.P. de Grandpre; заявитель и патентообладатель -Rohm And Haas Company. № 06/553,221; заявл. 21.11.1983; опубл. 18.06.1985, Бюл. № 11. -12 с.
  • Пат. 5234990 A США Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography/T. Flaim, J. Lamb, K.A. Moeckli, T. Brewer; заявитель и патентообладатель -Brewer Science, Inc. № 07/835,715; заявл. 12.02.1992; опубл. 10.08.1993, Бюл. № 14. -11 с.
  • Пат. 4877718 A США Positive-working photosensitive polyimide operated by photo induced molecular weight changes/J.A. Moore, A.N. Dasheff, F.B. Kaufman; заявитель и патентообладатель -Rennsselaer Polytechnic Institute, International Business Machines Corporation. № 07/249,393; заявл. 26.09.1988; опубл. 31.10.1989, Бюл. № 2. -9 с.
  • Пат. 4191573 A США Photosensitive positive image forming process with two photo-sensitive layers/T. Toyama, M. Iwasaki; заявитель и патентообладатель -Fuji Photo Film Co., Ltd. № 05/887,911; заявл. 17.03.1978; опубл. 04.03.1980, Бюл. № 4. -7 с.
  • Пат. 4835086 A США Polysulfone barrier layer for bi-level photoresists/S. Jain; заявитель и патентообладатель -Hoechst Celanese Corporation. № 07/156,353; заявл. 12.02.1988; опубл. 30.05.7989, Бюл. № 3. -6 с.
  • Пат. 4212935 A США Method of modifying the development profile of photoresists/B.J. Canavello, M. Hatzakis, J.M. Shaw; заявитель и патентообладатель -International Business Machines Corporation. № 05/880,926; заявл. 24.02.1978; опубл. 15.07.1980, Бюл. № 6. -12 с.
  • Пат. 1985005194 A1 США Method of applying poly(methacrylic anhydride) resist to a semiconductor/R.G. Brault; заявитель и патентообладатель -Hughes Aircraft Company. № 1984/001365; заявл. 27.08.1984; опубл. 21.11.1985, Бюл. № 24. -10 с.
  • Пат. 1999060448 A1 США Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates/D.C. Skee; заявитель и патентообладатель -Mallinckrodt Inc. № 1999/010875; заявл. 17.05.1999; опубл. 25.11.1999, Бюл. № 28. -8 с.
  • Пат. 2007139315 A1 США Stripper composition for photoresist/H. Han, M.-C. Park, K.-J. Kim, S.-W. Seo, H.-J. Kwon, K.-H. Ahn, B.-K. Choi, S.-J. Min, J.-Y. Hwang; заявитель и патентообладатель -Katsumi Abe. № 2007/002542; заявл. 25.05.2007; опубл. 06.12.2007, Бюл. № 26. -12 с.
  • Пат. 6824952 B1 США Deep-UV Anti-reflective resist compositions/D.W. Minsek, D.J. Nawrocki; заявитель и патентообладатель -Microchem Corp. № 09/951,718; заявл. 13.09.2001; опубл. 30.11.2004, Бюл. № 25. -10 с.
  • Пат. 4626491 A США Deep Ultra-violet lithographic resist composition and process of using/R.G. Gleim, M.P. de Grandpre; заявитель и патентообладатель -J. T. Baker Chemical Company. № 06/775,322; заявл. 12.09.1985; опубл. 02.12.1986, Бюл. № 31. -4 с.
  • Пат. 4519872 A США Use of depolymerizable polymers in the fabrication of lift-off structure for multilevel metal processes/R. Herbert, H.R. Anderson, H.S. Sachdev, K.G. Sachdev; заявитель и патентообладатель -International Business Machines Corporation. № 06/619,516; заявл. 11.06.1984; опубл. 28.05.1985, Бюл. № 29. -8 с.
  • Пат. 4238559 A США Two layer resist system/B.-C. Feng, G. C. Feng; заявитель и патентообладатель -International Business Machines Corporation. № 05/936,435; заявл. 24.08.1978; опубл. 09.12.1980, Бюл. № 30. -7 с.
  • Пат. 6432209 B2 США Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates/J.J. Sahbari; заявитель и патентообладатель -Silicon Valley Chemlabs. № 09/034,552; заявл. 03.03.1998; опубл. 13.08.2002, Бюл. № 13. -4 с.
  • Глинка, Н.Л. Общая химия/Н.Л. Глинка. -М.: Юрайт, 2011. -886 с.
  • Моро, У. Микролитография/У. Моро. -М.: Мир, 1990. -1240 с.
  • Aguda, R.M. Solvent swelling of dictyonema oil shale/R.M. Aguda -North Carolina, Chemical engineering Raleigh, 2007. -147 p.
  • Kilk, K. Solvent swelling of dictyonema Oil Shale/K. Kilk, N. Savest, J. Hruljova, E. Tearo, S. Kamenev, V. Oja//Oil Shale. 2010. -V. 27. №. 1. -P. 26-36.
  • Fried, J. Polymer science and technology/J. Fried. -New Jersey, Prentice Hall, 2014. 453 p.
  • Gharagheizi, F. New procedure to calculate the hansen solubility parameters of polymers/F. Gharagheizi. -Tehran, Iran, 2000. -456 p.
  • Aguda, R. M. Modeling the solubility of sclareol in organic solvents using solubility parameters/R. M. Aguda, North Carolina, Raleigh, 2007. -71 p.
  • Cheremisinoff, N.P. Industrial solvents handbook/N.P. Cheremisinoff. -New York Basel, Marcel Dekken Inc, 2003. -147 p.
Еще
Статья научная
SciUp 2024 © 2024 ©