Исследование физических процессов, возникающих в условиях низких температур и токов в светоизлучающих наногетероструктурах на основе полупроводниковых нитридов
Автор: Менькович Е.А., Тарасов С.А., Ламкин И.А., Suihkonen S., Svensk O., Lipsanen H.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Нанофизика и нанотехнологии
Статья в выпуске: 1 (21) т.6, 2014 года.
Бесплатный доступ
Исследованы светоизлучающие наногероструктуры с множественными квантовыми ямами на основе твердых растворов (Al, Ga, In)N. Изучены свойства структур двух типов: содержащие сверхрешетку (тип А) или имеющие в своем составе увеличенное число квантовых ям (тип B). Эксперимент был проведен в условиях криогенных температур (10−300 K) и низких токов (10 нА-2 мА). Было проведено сравнение параметров наноструктур разного типа. Установлено, что структуры типа А обладают лучшими рабочими характеристиками и более высокой стабильностью излучения. Рассмотрено влияние сверхрешетки на упругие напряжения и деформацию решетки на гетерограницах, в том числе на возникающее из-за них встроенное электрическое поле. Показано увеличение интенсивности излучения и снижение эффекта саморазогрева в структуре типа А, что обусловлено уменьшением дефектности в таких наноструктурах.
Наногетероструктуры, люминесценция, сверхрешетка, криогенные температуры, упругие напряжения
Короткий адрес: https://sciup.org/142185965
IDR: 142185965
Список литературы Исследование физических процессов, возникающих в условиях низких температур и токов в светоизлучающих наногетероструктурах на основе полупроводниковых нитридов
- Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Крыжановская Н.В., Синицын М.А., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Мизеров М.Н. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками//Физика и техника полупроводников. -2010. -Т. 44, вып. 6. -С. 837-840
- Menkovich E.A., Tarasov S.A., Lamkin I.A. Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides//Functional Materials. -2012. -Т 19, N 2. -P. 233-237
- Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN//Физика и техника полупроводников. -2011 -Т. 45, вып. 6. -С. 770-777
- Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Черняков А.Е., Цацульников А.Ф. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530-560 нм//Письма в Журнал технической физики. -2010. -Т. 36, вып. 22. -С. 89-95
- Davydov S.Yu., Solomonov A.V. Ellastic properties of gallium and aluminum nitrides//Technical Physics Letters. -1999. -Т. 25, N 8. -С. 601-602
- Ламкин И.А., Тарасов С.А., Пихтин А.Н. Оптимизация технологии получения омических контактов к эпитаксиальным слоям 𝑝-GaN//Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». -2011. -№ 5. -С. 14-18
- Калинин Б.В., Ламкин И.А., Тарасов С.А. Моделирование вольт-фарадных и вольтамперных характеристик DHFET на основе гетероструктур AlGaN/GaN//Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». -2012. -№ 2. -С. 16-20
- Менькович Е.А., Ламкин И.А., Тарасов С.А. Тест-система определения параметров светодиодов и быстрой диагностики их качества//Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». -2012. -№ 10. -С. 18-23
- Nanhui N., Huaibing W., Jianping L., Naixin L., Yanhui X., Jun H., Jun D., Guangdi S. Improved quality of InGaN/GaN multiple quantum wells by a strain relief layer//Journal of Crystal Growth. -2006. -V. 286, N 2. -P. 209-212
- T¨orm¨a P.T., Svensk O., Ali M., Suihkonen S., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Effect of InGaN underneath layer on MOVPE-grown InGaN/GaN blue LEDs//Journal of Crystal Growth. -2008. -V. 310, N 23. -P. 5162-5165
