Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоёв CdHgTe
Автор: Филиппов С.Н., Болтарь К.О.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Полупроводниковая электроника
Статья в выпуске: 1 (5) т.2, 2010 года.
Бесплатный доступ
Короткий адрес: https://sciup.org/142185638
IDR: 142185638
Статья
