Исследование поверхностной структуры твердых тел и жидкостей методом эллипсометрии с учетом математической некорректности обратной задачи. 3. Об определении всех параметров полупроводников со сверхтонкими окисными пленками на основе реального эксперимента
Автор: Семененко Альберт Иванович, Семененко И.А.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Обзоры, исследования, приборы
Статья в выпуске: 3 т.21, 2011 года.
Бесплатный доступ
Работа посвящена дальнейшему развитию метода последовательных приближений в решении математически некорректной обратной задачи эллипсометрии для полупроводников со сверхтонкими окисными пленками. Основной целью здесь является разработка дополнительной процедуры, обеспечивающей выбор однозначного решения. Речь идет о процедуре, направляющей процесс сходимости к оптимальным значениям параметров, наиболее приближенным к их точным значениям. Это уточнение к методу сделано на основе реального эксперимента. Для этого использованы измерения, проведенные на образце арсенида галлия в нескольких точках образца. При этом получена важная информация, касающаяся неоднородности подобных образцов вдоль поверхности и связанная с характером обработки образцов. Подвергнут сомнению способ сертификации поверхности полупроводников по определенным признакам, не затрагивающим наличия выраженного нарушенного слоя.
Эллипсометрия, поляризационные углы, математически некорректная обратная задача, критерий, оптимальное решение, численный эксперимент, сверхтонкая пленка, подложка, оптические постоянные
Короткий адрес: https://sciup.org/14264738
IDR: 14264738 | УДК: 535.5.511:531.7
Solid body and liquid superficial structure study by ellipsometry considering mathematical inverse problem incorrectness. Part 3. On the determination of all the parameters of semiconductors with superthin oxide films on the basis of the real experiment
The work is devoted to the further development of the method of progressive approximation in the solution of mathematically incorrect ellipsometry inverse problem for the semiconductors with superthin oxide films. The main task is development of the additional procedure providing the choice of the only solution. The procedure directing convergence process to optimum parameter values mostly approximate to their true values is discussed. This improvement of the method is made on the basis of the real experiment. For this purpose measurements made on the sample of gallium arsenide in several point of the sample were used. Important data concerning heterogeneity of such samples along their surface and associated with the character of sample treatment were obtained. Certification method of semiconductors surface due to certain signs which are not associated with the presence of the expressed damaged layer was questioned.
