Исследование устойчивости дислокационной подсистемы ГЦК кристаллов при интенсивных деформирующих воздействиях

стойчивость подсистемы дислокаций для f.c.c. одно- и поликристалла при различной интенсивности деформированных эффектов. Показано наличие двух стационарных значений плотности дислокаций: стационарного ps (1) и неустойчивого ps (2). Для одного ps (1) = 0. При ps (1) p ps (2) плотность дислокаций уменьшается с деформацией в поликристаллах при p ps (1) - увеличиваясь приближаясь к стационарному значению ps (1). При p ps (2) происходит рост плотности дислокаций. Когда плотность дислокаций близка к ps (2), материал может разделяться на участках устойчивого состояния кристалла и областей высоких дефектов, состояние которых может приближаться к аморфному. С уменьшением размера зерна d сближаются стационарные значения плотности дислокаций, динамическое диспропорционирование области становится узким и исчезает, когда оба стационарных состояния совпадают.