Исследование закономерностей процесса химического осаждения дисульфида молибдена из газовой фазы в системе Mo(Co)6-C2H6S2
Автор: Юссеф Х.
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Машиностроение и машиноведение
Статья в выпуске: 6 т.24, 2022 года.
Бесплатный доступ
В этой статье изучено влияние температуры и состава газа в реакторе на морфологию, структуру и состав тонких пленок, осаждаемых с использованием нового серосодержащего реагента C2H6S2. Существование горизонтальных слоев и их деформация, подтвержденные дифракцией рентгеновских лучей и комбинационным рассеянием, позволяют предположить, что вертикальные дендриты растут из горизонтальных слоев, которые изгибаются из-за деформации, что очень похоже на рост вертикальных нанолепестков. Однако переход от вертикального роста дендритов при низкой температуре и высоких скоростях осаждения к росту вертикальных листов при высокой температуре или более низких скоростях осаждения позволяет предположить, что механизм образования может быть описан моделью агрегации, ограниченной диффузией. Результаты экспериментальных исследований показали, что вертикальные дендриты являются основной морфологии пленок, осаждаемых при низком давлении в реакторе, тогда как при относительно высоком давлении удается вырастить монослой за разумное время. Вероятность образования слоев, состоящих из дендритов или плоских фрагментов, сильно зависит как от температуры осаждения, так и от состава реакционной газовой смеси в реакторе.
Нанолепестки, mos2 наноструктуры, наноструктурные элементы
Короткий адрес: https://sciup.org/148325333
IDR: 148325333 | DOI: 10.37313/1990-5378-2022-24-6-51-64
Список литературы Исследование закономерностей процесса химического осаждения дисульфида молибдена из газовой фазы в системе Mo(Co)6-C2H6S2
- Liu K.K., Zhang W., Lee Y.H. Growth of Large-Area and Highly Crystalline MoS2 Thin Layers on Insulating Substrates // Nano Letters. 2012. V. 12. P. 1538-1544.
- Superior stability and high capacity of restacked molybdenum disulfi de as anode material for lithium ion batteries / G. Du, Z. Guo, S. Wang, R. Zeng, Z. Chen, and H. Liu // Chemical Communications. 2010. V. 46. P.1106-1108.
- Hwang H., Kim H., Cho J. MoS2 nanoplates consisting of disordered graphene-like layers for high rate lithium battery anode materials // Nano Letters. 2011. V. 11. P. 4826-4830.
- High-mobility and low-power thin-fi lm transistors based on multilayer MoS2 crystals / S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang // Nature Communications. 2012. V. 3. P. 1011.
- Fuhrer High mobility ambipolar MoS2 fi eld-effect transistors: Substrate and dielectric effects / W. Bao, X. Cai, D. Kim, K. Sridhara, M. S. Fuhrer // Applied Physics Letters. 2013.V.102. P. 042104.
- High-mobility and low-power thin-fi lm transistors based on multilayer MoS2 crystals / S. Kim, et al. // Nature Communications. 2012. Vol. 3. p. 1011.
- High performance multilayer MoS2 transistors with scandium contacts / S. Das, H.Y. Chen, A. V. Penumatcha, and J. Appenzeller // Nano Letters. 2012. V.13. P. 100- 105.
- Control of valley polarization in monolayer MoS2 by optical helicity / K. F. Mak, K. L. He, J. Shan, T. F. Heinz // Nature Nanotechnology. 2012. V. 7. P. 494-498.
- Valley polarization in MoS2 monolayers by optical pumping / H. L. Zeng, J. F. Dai, W. Yao, D. Xiao, X. D. Cui // Nature Nanotechnology. 2012. V. 7. P. 490-493.
- Splendiani A., Sun L., Zhang Y. Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS2 // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 1271-1275.
- Atomically Thin MoS2: A New Direct-Gap Semiconductor / K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 105. 136805.