Изменение параметров диодов Шоттки под воздействием лазерного излучения
Автор: Бекбергенов С., Базарбаева Ф.М.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 6 (60), 2020 года.
Бесплатный доступ
В статье рассматриваются изменение параметров диодов шоттки под воздействием лазерного излучения.
Диод, шоттки, лазер, дефект, фактор, кристалл, порог, параметр, полупроводник
Короткий адрес: https://sciup.org/140275513
IDR: 140275513
Список литературы Изменение параметров диодов Шоттки под воздействием лазерного излучения
- Belyaev A.E., Venger E.F., Ermolovich I.B., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Svechnikov G.S., Soloviev E.A., Fedorenko L.L. Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures. Kiev:, Intas. 2002, 192p.
- Готра З.Ю., Осередько С.А. Управление свойствами поверхностных слоев в технологии микроэлектроники с помощью лазерного излучения. Зарубежная электронная техника, 1985, №12, с.3-50.
- Тагаев М.Б., Камалов А.Б., Бекбергенов С.Е., Насыров М.У. Влияние лазерной и ультразвуковой обработок на электрофизические свойства диодных структур Cr-GaAs. Материалы X Международной конференции "Физика полупроводников тонких пленок". Ивано-Франковск, Украина, 15-21 мая 2005 г, с.123.
- Баимбетов Ф.Б., Джумамухамбетов Н.Г. Механизм воздействия лазерных импульсов на полупроводники AIIIBV. ФХОМ, 1999, №1, с.38-40.
- Качурин Г.А., Нидаев Е.В. Лазерный отжиг точечных дефектов в кремнии и арсениде галлия. ФТП, 1980, т.14, №3, с.424-427.
- Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs-Ni, модифицированного лазерным излучением. ФТП, 2000, т.34, вып.8, с.976-977.
Статья научная
