Электрическая проводимость системы (Au; In) = Si (111)

Автор: Бондаренко Л.В., Цуканов Д.А., Борисенко Е.А., Грузнев Д.В., Матецкий А.В., Зотов А.В., Саранин ..

Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt

Рубрика: Физика, электроника, нанотехнологии

Статья в выпуске: 2 (10) т.3, 2011 года.

Бесплатный доступ

Короткий адрес: https://sciup.org/142185753

IDR: 142185753

Список литературы Электрическая проводимость системы (Au; In) = Si (111)

  • Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. John Wiley & Sove Chichester, 1994.
  • Hasegawa S., Tong X., Takeda S., Sato N., Nogano T. Structures and electronic transport on silicon surfaces//Progress in Surface Science. 1999. V. 60. P. 89-257.
  • Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G. Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si (100)//Phys. Low-Dim. Struct. 1998. V. 07. P. 109-116.
  • Hasegawa S., Grey F. Electronic transport at semiconductor surfaces from point-contact transistor to micro-four-point probes//Surf. Sci. 2002. V. 500. P. 84-104.
  • Tsoukanov D.A., Ryzhkov S.V., Gruznev D.V., Lifshits V.G. The role of the surface phases in surface conductivity//Appl. Surf. Sci. 2000. V. 162-163, N 01. P. 168-171.
  • Nagao T., Voges C., Pfnuer H., Henzler M., Ino S., Shimokoshi F., Hasegawa S. Diffraction from small antiphase domains:..p3 p3..Au,..p3 p3..Au, 6 6..Au phases of Au adsorbed Si (111)//Appl. Surf. Sci. 1998. V. 130-132. P. 47-53.
  • Gruznev D.V., Filippov I.N., Olyanich D.A., Chubenko D.N., Kuyanov I.A., Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G. Si(111)􀀀 􀀀p3 p3􀀀Au phase modified by In adsorption: Stabilization of a homogeneous surface by stress relief//Phys. Rev. B. 2006. V. 73, N 11. P. 115335-7.
  • Kim J.K., Kim K.S., Mc Chesney J.L., Rotenberg E., Hwang H.N., Hwang C.C., Yeom H.W. Two-dimensional electron gas formed on the indium-adsorbed Si(111)p3 p3.. Au surface//Phys. Rev. B. 2009. V. 80, N 7. P. 75312.
  • Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику по верхности. М.: Наука, 2006.
  • Лифшиц В.Г., Репинский С.М. Процессы на поверхности твердых тел. Владивосток: Дальнаука, 2003.
  • Tanikawa T., Yoo K., Matsuda I., Hasegawa S., Hasegawa Y. Nonmetallic transport property of the Si(111)7 7 surface//Phys. Rev. B. 2003. V. 68, N 11. P. 113303.
  • Батавин В.В., Концевой Ю.А. Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводнико вых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.
  • Yamazaki S., Matsuda I., Hasegawa S. Increase of surface electrical conduction by In deposition on 􀀀 p3 p3 􀀀 Au surface//Abstracts of RJSSS-7. 2006.
  • Luo E.Z., Heun S., Kennedy M., Wollschlager J., Henzler M. Surface roughness and conductivity of thin Ag films//Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 4858.
  • Takeda S., Tong X., Ino S., Hasegawa S. Structure-dependent electrical conduction through indium atomic layers on the Si (111) surface//Surf. Sci. 1998. V. 415, N 3. P. 264-273.
  • Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K. Analysis of surface structures through determination of their composition using STM: Si(100)4 3􀀀In and Si(111)4 1􀀀In reconstructions//Phys. Rev. B. 1999. V. 60, N 20. P. 14372-14381.
Еще
Статья