Электропроводность нанофрагментированного и модифицированного фуллереном алюминия

Автор: Замешин Андрей Александрович, Попов Михаил Юрьевич, Медведев Вячеслав Валериевич, Перфилов Сергей Алексеевич, Ломакин Роман Леонидович, Буга Сергей Геннадьевич, Денисов Виктор Николаевич, Кириченко Алексей Николаевич, Татьянин Евгений Васильевич, Аксененков Виктор Владимирович, Бланк Владимир Давыдович

Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt

Рубрика: Полупроводниковая электроника и нанотехнологии

Статья в выпуске: 3 (15) т.4, 2012 года.

Бесплатный доступ

В данной работе исследована электропроводность нанофрагментированного алюминия, модифицированного фуллереном C60, показана возможность оптимизации его электрических и механических свойств. Предложена модель, позволяющая оценить электропроводность такого материала. Получены и исследованы образцы с различными массовыми долями C60 и размерами алюминиевых кристаллитов, определены средний размер кристаллитов, электропроводность и твердость этих образцов. Проведено сравнение теоретической модели с экспериментальными данными. Модель хорошо согласуется с экспериментом. Исследования структуры материала методом спектроскопии комбинационного рассеяния показывают наличие ковалентных связей между алюминием в кластерах и молекулами C60 и согласуются с предложенной оболочечной моделью структуры.

Еще

Нанокомпозит, электропроводность, алюминий, фуллерен

Короткий адрес: https://sciup.org/142185856

IDR: 142185856

Список литературы Электропроводность нанофрагментированного и модифицированного фуллереном алюминия

  • Валиев Р.З., Александров И.В. Объемные наноструктурные металлические материалы: получение, структура и свойства. -М.: ИКЦ Академкнига, 2007.
  • Khan A. S., Farrokh B., Takacs, L. Effect of grain refinement on mechanical properties of ball-milled bulk aluminium//Materials Science and Engineering. A. -2008. -V. 489. -P. 77-84.
  • Bulk Nanostructured Materials/ed. by M.J. Zehetbauer, Y.T. Zhu. -Weinheim: WILEYVCH, 2009.
  • Popov M., et al. Fulleride of aluminum nanoclusters//Journal of Applied Physics. -2010. -V. 108. -P. 094317.
  • Аввакумов Е.Г. Механические методы активации химических процессов. -Новосибирск: Наука, 1986.
  • Mohamed F.A. A dislocation model for the minimum grain size obtainable by milling//Acta Materialia. -2003. -V. 51. -P. 4107-4119.
  • Esawi A.M.K., Morsi K., Sayed, A., Gawad A.A., Borah P. Fabrication and properties of dispersed carbon nanotube-aluminium composites//Materials Science and Engineering A. -2009. -V. 508. -P. 167-173.
  • Choi H.J., Kwon G.B., Lee G.Y., Bae D.H.Reinforcement with carbon nanotubes in aluminium matrix composites//Scripta Materialia. -2008. -V. 59. -P. 360-363.
  • Lide D.R. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 88th Edition. -2007.
  • Беляев А.И., Бочвар О.С., Буйнов Н.Н. [и др.]. Металловедение алюминия и его сплавов: cправ. изд. -М.: Металлургия, 1983.
  • Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Eklund P.C. Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes. 1996.
  • Mohamed F.A., Xun, Y. Correlations between the minimum grain size produced by milling and material parameters//Materials Science and Engineering. A. -2003. -V. 354. -P. 133-139.
  • Mayadas A.F., Shatzkes M., Janak J.F. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of specular reflection at external surfaces//Applied Physics Letters. -1969. -V. 14, N. 11. -P. 345-347.
  • Mayadas A.F. Electrical-resistivity model for polycrystalline films: the case of arbitrary reflection at external surfaces//Physical Rewiew. B. -1970. -V. 1, N. 4. -P. 1382-1389.
  • 15. Tochitskii E.I., Belyavskii N.M. Grain-boundary electron scattering effect on metal film resistivity // Physica Status Solidi (A). - 1980. - V. 61. - P. K21. 16. J.W.C. de Vries. Temperature and thickness dependence of the resistivity of thin polycrystalline aluminium, cobalt, nickel, palladium, silver and gold films // Thin Solid Films. - 1988. - V. 167. - P. 25-32.
  • Palacios J.J., Perez-Jimenez A.J., Louis E., Verges J.A. Electronic transport through 𝐶60 molecules//Nanotechnology. -2001. -V. 12. -P. 160-163.
Еще
Статья научная