Количественная растровая электронная микроскопия материалов и структур твердотельной электроники
Автор: Конников С.Г.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Обзоры
Статья в выпуске: 1 т.10, 2000 года.
Бесплатный доступ
Растровая электронная микроскопия - современный метод диагностики материалов и структур твердотельной электроники. Приводится краткая историческая справка о создании и совершенствовании РЭМ. Рассматривается природа сигналов, генерируемых и регистрируемых в РЭМ, и их информативность. Иллюстрируются некоторые примеры применения РЭМ.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264109
IDR: 14264109
Список литературы Количественная растровая электронная микроскопия материалов и структур твердотельной электроники
- Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые исследования полупроводниковых материалов и приборов. М.: Энергия, 1978. 148 с.
- Konnikov S.G. Electron Probe Analysis of Semiconductor Heterostructures//Semiconductor heterostructure: Physical Processes and application/Ed. by Zh. I. Alferov. Mir Publishers, Moscow, 1989. P. 244-270.
- Микроанализ и растровая электронная микроскопия. М.: Мир, 1985. 406 с.
- Конников С.Г., Соловьев В.А., Уманский В.Е., Чистяков В.М. Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в РЭМ//ФТП. 1989. Т. 23, № 8. С. 1411-1416 (1-я часть); 1990. Т. 24, № 9. С. 271-276 (2-я часть).
- Соловьев В.А., Конников С.Г., Гаевский М.Э., Шанцев Д.В. Количественная низкотемпературная растровая электронная микроскопия тонких ВТСП-пленок//Изв. РАН, сер.физ. 1996. т. 60, № 2. с. 32-37.
- Tretyakov V., Kazakov S., Bobyl' A. and Konnikov S. Study of Thin Films of High Temperature Seperconductors Based on YBaCuO by EPMA//Microhim Acta. 2000. N 1. P. 1-11.
- Усиков А.С., Третьяков В.В., Лундин В.В., Задиранов Ю.М., Пушной Б.В., Конников С.Г. Исследование методом микрокатодолюминесценции ростовых особенностей эпитаксиальных GaN слоев на сапфире//Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25, № 7. С. 9-17.
Статья научная
