Компьютерное моделирование сечения неупругого рассеяния электронов в трехслойных структурах типа "пленка-интерфейс-подложка"

Изложены возможности разработанной компьютерной программы, с помощью которой проведено теоретическое исследование потерь энергии электронов в трехслойных структурах, в которых промежуточный слой состоит частично из материалов верхнего и нижнего слоев. Изучено влияние распределения элементов пленки и подложки в промежуточном слое, а также механизма роста пленки (послойного или островкового) на потери энергии электронов в структуре «Fe/Fe-Si/Si».