Конструирование летательных аппаратов на основе эффекта Бифельда-Брауна

Конструирование летательных аппаратов на основе эффекта

Бифельда-Брауна

Известен так называемый эффект Бифельда-Брауна (BiefieldBrown Effect), состоящий в том, что плоский конденсатор, находящийся под высоким постоянным напряжением, имеет тенденцию к движению в сторону положительного полюса [1-4]. – см. рис. 1.

Рис.1. Изменение веса конденсатора в зависимости от полярности приложенного к нему напряжения.

В [1] приведены обстоятельное описание и анализ этого эффекта и приведены многочисленные ссылки по теме. Там же рассмотрено и проанализировано несколько известных гипотез о природе этого эффекта. При этом показано, что все эти гипотезы по тем или иным причинам оказываются недостаточными для полного объяснения этого эффекта. Кроме того, все эти гипотезы используют новые, не общепринятые представления о физических явлениях.

Автором предлагается объяснение природы сил, движущих конденсатор, в рамках существующей физической парадигмы. Объяснение основано на применении обнаруженного автором вариационного принципа экстремума в электромеханических и электродинамических системах [5]. Показано, что эти силы могут быть найдены из решения уравнений Максвелла. Предлагается также метод и программы расчета этих сил. Метод позволяет найти оптимальную конфигурацию конденсатора, при которой отношение силы к площади конденсатора становится максимальным. Показывается, что существующие материалы позволяют конструировать практически реализуемые конструкции.

В частности, сила давления (измеряемая в ньютонах) на положительную пластину конденсатора извне определяется как

F = 3 • 10-9 SU 2£т , где S[м ] - площадь конденсатора, U[В] - постоянное напряжение на конденсаторе, £m - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика в конденсаторе.

Пример 1 . Для диэлектрика-оргстекла (плексиглас) при £ m = 3.5, S = 1м 2 имеем: F = 10 - ⁸ U ² н. В частности, F = 1н/м ² при U=10 000в, F = 100 н/м ² при U=100 000в.

Пример 2 . Для керамического диэлектрика (керамика [6]) при £ m = 35000, S = 1м ² имеем: F = 10 - 4 U ² н. В частности, F = 1н/м ² при U=100b, F = 100 н/м ² при U=1000b.

Толщина диэлектрика определяется по величине пробойного напряжения для данного материала.

Возможность безопорного движения объясняется тем, что заряды конденсатора взаимодействуют с электрическим полем конденсатора. То, что заряд и созданное им поле, являются автономными и независимыми объектами (а не единым объектом), показано еще Фарадеем.

C1

C2

Рис.2. Простейшая конструкция.

Несимметричность конденсатора объясняется в предложенной теории взаимной несимметрией отрицательных зарядов (электронов) и положительных зарядов (ионов), размеры которых отличаются на несколько порядков.

На рис. 2 показана принципиальная схема простейшей конструкции, где

V – бортовой высоковольтный источник постоянного напряжения,

С - плоские конденсаторы.

Направление перемещения конструкции регулируется включением того или иного конденсатора и полярностью напряжения, приложенного к нему.

Подробнее см. на сайте