Контактная сканирующая емкостная микроскопия большеразмерных образцов

Обсуждается применение методики контактной сканирующей емкостной микроскопии (КСЕМ) для характеризации с высоким пространственным разрешением распределения концентрации носителей в полупроводниках на большеразмерных образцах с развитым рельефом. Предложены метод и устройство для реализации КСЕМ, позволяющие более чем на порядок по сравнению с известными подходами уменьшить влияние на получаемые результаты эффекта изменения паразитной емкости в процессе сканирования. Представлены соответствующие экспериментальные результаты.