Контроль изменений работы выхода и прозрачности потенциального барьера монокристаллов W(100) и GaAs(110) в области покрытий субмонослойного диапазона
Автор: Асалханов Ю.И., Абарыков В.Н.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Оригинальные статьи
Статья в выпуске: 1 т.12, 2002 года.
Бесплатный доступ
Продемонстрирована высокая чувствительность метода задерживающего потенциала Андерсона к изменению степени покрытия поверхностей твердых тел адсорбатом субмонослойного диапазона. На примере поэтапного удаления естественного окисла с поверхностей монокристаллов W(100) и GaAs(110) отмечены очевидное сходство и существенные различия в изменениях вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в металлы и полупроводники.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264228
IDR: 14264228
Список литературы Контроль изменений работы выхода и прозрачности потенциального барьера монокристаллов W(100) и GaAs(110) в области покрытий субмонослойного диапазона
- Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1950. 304 с.
- Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 120 с.
- Асалханов Ю.И., Иванов К.Н., Ширапова Д.Ц. Установка для исследования зависимости контактной разности потенциалов твердых тел от толщины адсорбированного слоя молекул на их поверхности//ПТЭ. 1991. № 1. C. 167-170.
- Асалханов Ю.И., Домбровский И.И., Алексеев С.А. Юстируемая электронная пушка для получения пучка медленных электронов//ПТЭ. 1992. № 1. C. 135-138.
- Асалханов Ю.И. Исследование адсорбции газов на поверхности Мо(100) эллипсометрическим методом: Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук. Л.: ЛГУ, 1975. 127 с.
- Асалханов Ю.И., Дондоков Д.Д., Пронькинов И.Т. Устройство для позиционирования образца в вакууме: А.с. № 1406661 (СССР)//Б.И. 1988. № 24.
- Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981. 67 с.
Статья научная
