Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев NCdTe:In
Автор: Сенокосов Э.А., Сорочан В.В.
Журнал: Инженерные технологии и системы @vestnik-mrsu
Рубрика: Физические приборы и устройства
Статья в выпуске: 3, 2007 года.
Бесплатный доступ
Короткий адрес: https://sciup.org/14718878
IDR: 14718878
Список литературы Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев NCdTe:In
- Клюканов А. А. Технология и конструирование в электронной аппаратуре/А. А. Клкжанов, Э. А. Сенокосов, Д. Е. Богинский, В. В. Сорочан, Л. В. Фещенко//2003. № 1. С. 49 -51.
- Марченко А. Н. Полупроводниковые сенсорные потенциометрические элементы/А. Н. Марченко, С. В. Свечников, А. К. Смовж. М.: Радио и связь, 1988.
- Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения/под ред. А. И. Фримера, И. И. Та-убкина. М.: Мир, 1965.
- Сенокосов Э. А. Получение и физические процессы в монокристаллических слоях и пленочных гетеропереходах соединений AIIBVI на сапфире: дис.. д-ра физ.-мат. наук/Э. А. Сенокосов. Кишинев, 1989.
- Сенокосов Э. А. Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе слоев nCdTe:In/Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан//Вестник Приднестровского университета. № 2 (20). 2004. С. 105 -109.
- Соболева Н. А. Фотоэлектронные приборы/Н. А. Соболева, А. Е. Меламид//М.: Высш. шк., 1974. С. 354.
- Сенокосов Э. А. Способ измерения спектрального распределения стационарной фотопроводимости полупроводников/Э. А. Сенокосов, Д. А. Шербан, А. А. Клюканов, С. А. Сергеев, В. М. Фёдоров, А. Н. Усатый//АС СССР. № 1 499 119. Приоритет от 1. 12. 87. Опубл. 8. 08. 89.
- Клюканов А. А. Двукоординатные фотодатчики на основе однородных проводящих полупроводниковых пленок/А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан, Л. Д. Цирулик//ЖТФ. 2003. Т. 73. С. 123 -125.
- Клюканов А. А. Устройство для определения координаты светового пятна/А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, А. Н. Усатый, В. М. Федоров//АС СССР. № 1 499 119. Приоритет от 7.01.87. Опубл. 7.08.89.
- Сенокосов Э. А. Устройство для регистрации слабых световых сигналов/Э. А. Сенокосов, А. А. Клюканов, А. Н. Усатый, С. А. Сергеев, В. М. Федоров//АС СССР. № 1 436 796. Приоритет от 12. 08. 86. Опубл. 8. 07. 88.
- Niu Н. A position-sensitive MOS device using lateral photovoltaic effect/H. Niu, C. Aoki, T.'Matsuda //Jap. J. Appl. Phys. Vol. 26. №. 1. January. 1987. P. L35 -L37.
Статья
