Математическое моделирование рентгеновской дифракции на пористых кристаллах. 1. Когерентное рассеяние
Автор: Пунегов Василий Ильич
Журнал: Известия Коми научного центра УрО РАН @izvestia-komisc
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 3 (11), 2012 года.
Бесплатный доступ
В рамках статистической динамической теории дифракции рентгеновских лучей на пористых кристаллах проведено численное моделирование углового распределения интенсивности когерентного рассеяния вблизи узла обратной решетки. Показаны особенности формирования контуров равной интенсивно- сти, а также вертикальных и латеральных сечений когерентного рассеяния в обратном пространстве от пористых пленок, многослойных структур и сверх- решеток в зависимости от величины статического фактора Дебая-Валлера и упругих деформаций в пористых слоях.
Статистическая теория рентгеновской дифракции, когерентное рассеяние, пористые кристаллы, численное моделирование
Короткий адрес: https://sciup.org/14992539
IDR: 14992539 | УДК: 548.732
Mathematical simulation of X-ray diffraction on porous crystals. 1. Coherent scattering
In the framework of the statistical dynamical theory of X-ray diffraction on porous crystals the numerical simulation of the angular distribution of coherent scattering near the reciprocal lattice node was carried out. The features of the equal intensity contours formation, the vertical and lateral scans of the coherent scattering from porous films, multilayer structures and superlattices in reciprocal space were shown as a function of the static Debye-Waller factor and elastic strains.
Список литературы Математическое моделирование рентгеновской дифракции на пористых кристаллах. 1. Когерентное рассеяние
- Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon//Bell System Tech. J. 1956. Vol. 35. P. 333-347.
- Canham L.T. Si Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution//Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P.1046-1048.
- Lehmann V., Gösele U. Porous Silicon Formation: A Quantum Wire Effect//Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. P. 856-858.
- Cullis G., Canham L.T, Calcott P. D. J. The structural and luminescence properties of porous silicon J. Appl. Phys., 1997. Vol. 82, P. 909-965.
- Kochergin V., Föll H. Porous Semiconductors. Optical Properties and Applications. Springer-Verlag, London, 2009. 207p.
- Lomov A.A. Bellet D., Dolino G. X-ray Diffraction Study of Thin Porous Silicon Layers.//Phys. Stat. Sol. (b). 1995. Vol.190. P. 219-226.
- Punegov V.I, Lomov A.A., Shcherbachev K.D. Characterization of InP porous layer by highresolution x-ray diffraction//Phys. Stat. Sol. (a). 2007. Vol. 204. P. 2620-2625.
- Пунегов В.И., Ломов А.А. Теория дифракции рентгеновских лучей в нанопористых кристаллах с латеральной квазипериодичностью//Письма в ЖТФ. 2008. Т.34, № 6. C.30-35.
- А.А.Ломов, В.И.Пунегов, А.Л.Васильев, Д.Но-хавица, П.Гладков, А.А.Карцев, Д.В.Новиков//Кристаллография. 2010. Т.55. № 2. С. 196-204.
- Пунегов В.И., Ломов А.А. О рассеянии рентгеновских лучей на многослойных пористых структурах//Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. № 3. C.47-60.
- Kato N. Statistical Dynamical Theory of Crystal Diffraction. I. General Formulation//Acta Cryst. A. 1980. Vol.36. P. 763-769.
- Takagi S. A Dynamical Theory of Diffraction for a Distorted Crystal//J. Phys. Soc. Japan 1969. Vol. 26. P.1239-1253.
- Punegov V.I., Nesterets Ya.I., Roshchupkin D.V. Coherent and diffuse X-ray scattering in crystals modulated by surface acoustic wave//J. Appl. Cryst. 2010. Vol. 43. N.3. P. 520-530.
- Punegov V.I. X-ray diffraction from multilayer structures with statistically distributed microdefects.//Phys.Stat.Sol. (a). 1993. Vol. 136. P. 9-19.
- Пунегов В.И. Динамическая дифракция на слоисто-неоднородных системах с дефектами//Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. №.2. С.25-29.
- Ida T., Ando M., Toraya H. Extended pseudo-Voigt function for approximating the Voigt profile.//J. Appl. Cryst. 2000. Vol. 33. P. 1311-1316.
- Stepanov S.A.//http://sergey.gmca.aps.anl.gov
- Nohavica D., Gladkov P., Zelinka J., Dvořák M., Pirov J. "Micro-and Nanopores Formation in A III B V Semiconductors"//Proc. of the Conf., NANO. 2004, Brno, Czech Republic. P.176-182.
- Arsentyev I.N., Bobyl A.B., Konnikov S.G. et al. Porous nanostructured InP: technology, properties, application//Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. Vol. 8, N 4. P. 95-104.
- Authier A. Dynamical Theory of X-Ray Diffraction. Oxford University Press, New York. 2001. 661p.
- Berger M.G., Dieker C., Thonissen M. et al. Porosity superlattice: a new class of Si heterostructures//J. Phys. D: Appl. Phys. 1994. Vol. 27. 1333-1336.
- Buttard D., Bellet D., Baumbach T. X-ray diffraction investigation of porous silicon superlattices//Thin Solid Films. 1996. Vol. 276. P. 69-72.
- Buttard D., Bellet D., Dolino G., Baumbach T. Thin layers and multilayers of porous silicon: X-ray diffraction investigation//J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 5814-5822.
- Buttard D., Bellet D., Dolino G., Baumbach T. X-ray diffuse scattering of p-type porous silicon//J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. P. 2742-2752.
