МДП-структура и ультразвук
Автор: Кучкаров Б.Х., Кахаров М.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 12 (67), 2019 года.
Бесплатный доступ
Исследовано влияние ультразвука на МДП-Структуру типа. Показано, что ультразвукое воздействие приводит к уменьшению заряда при подложке.
Мдп-структур, ультразвуковое облучение, характеристики, релаксация
Короткий адрес: https://sciup.org/140247396
IDR: 140247396
Список литературы МДП-структура и ультразвук
- Pershenkov V.S., Popov V.D., Shalimov A.V. The surface radiation effects in IMS. Energoatomizdat, 1988. P.187.
- ГГ Гулямов, НЮ Шарибаев, Определение дискретного спектра плотности поверхностных состояний моп-структур Al-SiO2-Si, облученных нейтронами//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 13-13
- G Gulyamov, NY Sharibaev, Determination of the density of surface states at the semiconductor-insulator interface in a metal-insulator-semiconductor structure//Semiconductors 45 (2), 174-178.
- Г Гулямов, НЮ Шарибаев, Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре//Физика и техника полупроводников 45 (2), 178-182
- G Gulyamov, IN Karimov, NY Sharibaev, UI Erkaboev, Opredelenie plotno sti pove r hnostnyh sostoyanij na granicy raz de la poluprovodnikdielektrik v stru ktu rah AlSiO2 Si i AlSiO2nSi pri niz koj temperature//Uzbek Journal of Physics 12 (3), 143-146
- G Gulyamov, NY Sharibaev, UI Erkaboev, The temperature dependence of the density of states in semiconductors//World Journal of Condensed Matter Physics 3 (04), 216
- Zaveryuhina B.N. Zaveryuhina N.N., Vlasov S.I., Zaveryuhina E.B. Akustostimulted change to density and energy spectrum of the surrface conditions in monocrystals of p- silicon. The Letters in JTF. 2008, V. 34, № 6. P.36.
- Gulyamov G., N.Yu. Sharibaev, Semiconductors, 2011, Vol. 45, No. 2, pp.174-178
Статья научная
