Метод испытаний интегральных схем на стойкость к дозовому воздействию на основе совместного применения гамма- и рентгеновских источников

Автор: Согоян Армен Вагоевич, Артамонов Алексей Сергеевич, Богданов Юрий Иванович, Никифоров Александр Юрьевич

Статья в выпуске: 4-5, 2011 года.

Бесплатный доступ

Предлагается метод совместных испытаний электронной компонентной базы на стойкость к дозовому воздействию на основе рационального сочетания гамма и рентгеновских испытательных установок. Определена область применимости данного метода, приведен пошаговый алгоритм процедуры совместных испытаний, дан пример использования данного метода.

Поглощенная доза, радиационная стойкость, калибровка

Короткий адрес: https://sciup.org/14967053

IDR: 14967053

Список литературы Метод испытаний интегральных схем на стойкость к дозовому воздействию на основе совместного применения гамма- и рентгеновских источников

Fleetwood, D.M., Winokur, P.S., Schwank, J.R. Using laboratory X-ray and cobalt-60 irradiations to predict CMOS device response in strategic and space environments./IEEE Transaction on Nuclear Science, 1988. -Vol 35. -PP. 1497 -1505.
Palkuti L.J, LePage J.J. X-Ray Wafer Probe for Total Dose Testing./IEEE Transaction on Nuclear Science, 1982. -Vol 29. -PP. 1832 -1837.
Fleetwood D.M., Beegle R.W., Sexton F.W., Winokur P.S., Miller S.L., Treece R.K., Schwank J.R., Jones R.V., McWhorter P.J. Using a 10-keV X-Ray Source for Hardness Assurance./IEEE Transaction on Nuclear Science, 1986. -Vol 33. -PP. 1330 -1336.
Dozier C.M., Brown D.B., Throckmorton J.L., Ma D.I. Defect Production in SiO2 by X-Ray and Co-60 Radiations./IEEE Transaction on Nuclear Science, 1985. -Vol 35. -pp. 4363 -4368.
Oldham T.R., McGarrity J.M. Comparison of Co-60 Response and 10 keV X-ray Response in MOS Capacitors.//IEEE Trans, 1983. -Vol. NS-30. -N 6. -P. 4377.
Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ./Е.Р. Аствацатурьян, А.Ю. Никифоров, А.И. Чумаков и др./Вестник РАДТЕХ, 1991. -№ 2. -С. 44 -47.
Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем./М.И. Критенко, А.Ю.Никифоров, В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике, 1994. -С. 145 -146.
Основные положения концепции создания и внедрения имитационных методов оценки и прогнозирования радиационной стойкости ППП и ИС./А.Ю.Никифоров, П.К. Скоробогатов, В.А.Телец, А.И.Чумаков и др./Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА, 1994. -Вып. 3 -4.
IC space radiation effects experimental simulation and estimation methods./Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Telets V.A., Sogoyan A.V./Radiation Measurements, 1999. -V. 30.
IC's Radiation Effects Modeling and Estimation./Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Pershenkov V.S., Skorobogatov P.K./Microelectronics Reliability, 2000. -V. 40. -№ 12.
Методы прогнозирования эффектов полной дозы в элементах современной микроэлектроники./Беляков В.В., Першенков В.С., Зебрев Г.И., Согоян А.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К./Микроэлектроника, 2003. -Т. 32. -№ 1. -С. 31 -46.
Nikiforov A.Y., Chumakov A.I. Simulation of space radiation effects in microelectronic parts./Effects of space weather on technology infrastructure, 2004 -Kluwer Academic Publishers, Netherlands.
Никифоров А.Ю., Согоян А.В. Моделирование дозовых эффектов в паразитных МОП-структурах КМОП БИС при воздействии высокоинтенсивного импульсного ионизирующего излучения./Микроэлектроника, 2004. -Т. 33. -№ 2. -С. 108 -121.
Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах./Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Чумаков А.И. и др./Модель космоса: Научно-информационное издание: в 2 т. -Т. 2: Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. -М.: КДУ, 2007.
Методы испытаний на стойкость к воздействию радиационных факторов космического пространства и импульсную электрическую прочность./Никифоров А.Ю., Чумаков А.И., Скоробогатов П.К., Телец В.А., Улимов В.Н. и др./Модель космоса: Научно-информационное издание: в 2 т. -Т. 2: Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. -М.: КДУ, 2007.
Методика оперативного неразрушающего контроля дозовой стойкости КМОП БИС на КНС структурах./Давыдов Г.Г., Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Киргизова А.В., Петров А.Г., Седаков А.Ю., Яшанин И.Б./Микроэлектроника, 2008. -Т. 37. -№ 1. -С. 67 -77.
Согоян А.В. Оценка стойкости КМОП СБИС к фактору поглощенной дозы при воздействии импульсного излучения./Микроэлектроника, 2011. -Т. 40. -№ 3. -С. 200 -208.
ASTM F1467 -11 Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (≈10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effects Testing of Semiconductor Devices and Microcircuits.
ASTM E666 -09 Standard Practice for Calculating Absorbed Dose From Gamma or X Radiation.
Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний./РД В 319.03.22-97.
Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Испытания на стойкость к воздействию специальных факторов и импульсную электрическую прочность./ОСТ 11 073.013 (ч.10)
Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Рациональный состав и последовательность испытаний на соответствие заданным требованиям по РС./РД В 319.03.31-99

Еще

Статья научная