Метод испытаний интегральных схем на стойкость к дозовому воздействию на основе совместного применения гамма- и рентгеновских источников

И спытания электронной компонентной базы (ЭКБ) – интегральных схем (ИС), полупроводниковых приборов, изделий твердотельной СВЧ-электроники и электронных модулей на стойкость к воздействию радиационных факторов по требованию нормативных документов могут проводиться с использованием моделирующих и/или имитирующих установок.

Моделирующие установки (МУ) – источники дестабилизирующих воздействий, имеющие единую физическую природу и близкие характеристики с воздействующими в реальных условиях специальными факторами. Испытания ЭКБ с использованием МУ (ускорителей, реакторов, изотопных и других источников) основаны на обеспечении эквивалентного воспроизведения характеристик реальных радиационных факторов и эффектов их воздействия при испытательных воздействиях МУ.

С момента постановки задачи радиационных испытаний ЭКБ и примерно до середины 80-х гг. прошлого века основным источником стационарных дозовых воздействий являлись МУ на основе изотопных источников Co60. Изотопные МУ представляют собой уникальные сложные технические устройства с массивной биологической защитой персонала, обычно сооружавшиеся по индивидуальным проектам. Высокая энергия гамма-квантов (около 1 МэВ) определяет их высокую проникающую способность и слабую зависимость поглощенной дозы в активных областях ЭКБ от конструктивно-технологических особенностей объектов.

Источниками испытательных гамма-воздействий, кроме изотопных источников, могут являться ускорители электронов (в режиме генерации гамма-излучения), а также ядерные реакторы.

Развитие элементной базы, а также рост быстродействия и функциональной сложности ЭКБ выявил существенный недостаток МУ – значительное расстояние (2…15 м) от объ- екта испытаний до измерительной аппаратуры. Эта особенность МУ, связанная с наличием мощной биологической защиты, существенно ограничивала объем контролируемых параметров ЭКБ в процессе воздействия, снижала достоверность испытаний, так как значительная часть информативных параметров ЭКБ (в т.ч. прецизионных, быстродействия) принципиально не удавалось определить в условиях дистанционных измерений. Невысокие доступность и пропускная способность гамма-установок и отсутствие возможности оперативной проверки всех необходимых режимов и условий работы ЭКБ непосредственно в условиях облучения обусловило недостаточную технико-экономическую эффективность испытаний.

В целях преодоления указанного недостатка изотопных МУ в нашей стране и за рубежом в конце 80-х – начале 90-х гг. прошлого века начали развиваться имитационные методы испытаний на базе относительно низкоэнергетичных (10…100 кэВ) и компактных рентгеновских источников. Так, рентгеновские имитаторы (например, фирмы Aracor, США) установлены во многих ведущих зарубежных лабораториях и организациях, занимающихся испытаниями ЭКБ на радиационную стойкость. В нашей стране ведущая роль в создании и применении рентгеновских имитаторов принадлежит ОАО «ЭНПО « СПЭЛС».

Имитирующие установки (имитаторы) – источники дестабилизирующих воздействий различной физической природы, обеспечивающие проявление и адекватное моделирование в изделиях доминирующих эффектов, вызываемых воздействием радиационных факторов в реальных условиях. Испытания с использованием имитаторов основаны на обеспечении эквивалентного воспроизведения при имитирующих воздействиях характера изменения параметров, отказов и сбоев ЭКБ по сравнению со специальными факторами в реальных условиях по критерию адекватности моделирования доминирующих эффектов.

Процесс внедрения рентгеновских имитационных установок в практику испытаний ЭКБ на стойкость к дозовому воздействию сопровождался теоретическими и экспериментальными исследованиями по обоснованию эквивалентности эффектов дозовых воздействий различных видов излучений [1 – 17], в результате которых как в нашей стране, так и за рубежом, рентгеновские имитационные установки были включены в действующие стандарты испытаний ЭКБ [18 – 21].

Особенности применения рентгеновских установок

Основной проблемой применения имитационных установок на базе рентгеновских источников является низкая энергия и соответственно проникающая способность рентгеновского излучения, значимая зависимость поглощенной дозы в активных областях от конструктивно-технологических особенностей объектов и связанная с этим необходимость квалифицированного определения количественных характеристик эквивалентного дозового воздействия (дозиметрического сопровождения) с учетом технологического разнообразия современных ЭКБ, конструкций корпусов и т.п.

В настоящее время значительное число объектов испытаний представляют собой ЭКБ иностранного производства (ИП), применяющиеся в космической аппаратуре (КА). Предприятия – разработчики КА стараются максимально уменьшить (до 3…5) число образцов ЭКБ каждого типа в выборке, передаваемой на испытание. При этом большинство типов ЭКБ имеют пластиковые корпуса. Сложность дозиметрического сопровождения испытаний данных объектов вызвана невозможностью в большинстве случаев получить у предприятия – изготовителя ЭКБ данные о конструктивных особенностях, технологии, химическом составе корпуса и т.п. Расчетные методы, которые можно было применять для ЭКБ отечественных производителей при наличии информации о конструкции и химическом составе корпуса и технологических особенностях активных элементов, практически не работают в случае ЭКБ ИП.

Таким образом, в работе предлагается метод совместных испытаний ЭКБ на стойкость к дозовому воздействию на гамма- и рентгеновских установках, позволяющий сочетать достоинства МУ и имитаторов.

Область применения метода совместных испытаний

Метод испытаний ЭКБ на радиационную стойкость по дозовым эффектам с совместным использованием гамма- и рентгеновских установок разработан в целях уточнения и развития метода дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний, изложенного в [11], и распространяется на кремниевые ЭКБ в корпусном или бескорпусном исполнениях в КМОП (на монокремниевых, эпатаксиальных, кремний-на-сапфире и кремний-на-изоля-торе структурах), биполярных, и БиКМОП (включая SiGe) элементно-технологических базисах.

К испытаниям допускаются ЭКБ, удовлетворяющие следующим условиям:

• ♦    количество образцов в выборке не менее 3;

• ♦    выборка образцов для испытаний произведена из одной производственной партии, и достоверно установлена идентичность образцов в выборке.

Метод калибровки

Основным методом дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний является метод «калибровки», в соответствии с которым из всей совокупности радиационно чувствительных параметров изделия выбирается один – q_k , который называется «калибровочным» и наиболее полно характеризует радиационный отклик изделия в целом. При этом считается, что эквивалентная поглощенная доза рентгеновского излучения соответствует поглощенной дозе γ -излучения ( D_γ ), если обе они вызывают тождественное изменение значения калибровочного параметра при одинаковых условиях проведения испытаний (режим, температура, временной интервал от момента начала облучения до проведения измерений): D_э(q_k) = D_γ(q_k) .

Функция D_γ(qk) называется калибровочной зависимостью и определяется по результатам испытаний изделия на гамма-установке. Данная зависимость является градуировочной для дозиметра рентгеновского излучения, в качестве которого используется само испытуемое изделие.

В качестве калибровочного параметра q_к выбирают такой электрический параметр изделия, изменение которого при воздействии ионизирующего излучения определяется дозовыми (поверхностными ионизационными) эффектами. К дополнительным требованиям при выборе калибровочного параметра относятся простота измерений при проведении испытаний на МУ, наименьшая подверженность воздействию электромагнитных помех и наводок, наибольшие чувствительность к D_γ и протяженность линейного или хотя бы «плавного» монотонного участка зависимости q_к = q_к(D_γ) .

Алгоритм проведения совместных испытаний

Испытания ЭКБ на дозовую стойкость с использованием гамма- и рентгеновской установок проводятся по следующему алгоритму.

1 Прогнозирование уровня радиационной стойкости ЭКБ и выбор наиболее критичного режима функционирования. Прогнозирование осуществляется приведенными ниже (в порядке убывания значимости) способами:

• ♦    по собственным результатам ранее проведенных испытаний ЭКБ данного типа (типономинала) и данного предприятия-изготовителя;

• ♦    по результатам ранее проведенных испытаний ЭКБ данного типа (типономинала) и данного предприятия-изготовителя другими испытательными центрами;

• ♦    по результатам ранее проведенных испытаний конструктивных аналогов ЭКБ данного предприятия-изготовителя;

• ♦    по результатам ранее проведенных испытаний функциональных аналогов данных функциональных групп ЭКБ различных предприятий-изготовителей;

• ♦    по конструкционным данным ЭКБ.

Результатом прогнозирования является предварительный выбор калибровочного параметра из заданных в программе-методике испытаний контролируемых параметров, выбор критического (наиболее радиационно чувствительного) электрического режима и режима функционирования.

В случае отсутствия технически обоснованного заключения о параметрах критического электрического режима рекомендуемым является электрический режим, соответствующий максимально допустимому в соответствии с ТУ напряжению питания.

• 2    Анализ конструкции ЭКБ и расчетная оценка коэффициента ослабления корпусом (защитным покрытием) дозового воздействия от рентгеновского излучения. Оценка коэффициента ослабления производится расчетным путем на основе данных о типе, толщине и химическом составе корпуса (защитного покрытия) ЭКБ.

• 3    Облучение одного образца ЭКБ на рентгеновском имитаторе с контролем заданных в программе-методике испытаний параметров-критериев в выбранном режиме функционирования в нормальных климатических условиях. Для предварительно выбранного калибровочного параметра и параметров-критериев требуется определение зависимости q = q(D_X) .

Мощность поглощенной дозы рентгеновского излучения на поверхности кристалла с учетом расчетной оценки коэффициента ослабления должна находиться в диапазоне мощностей доз МУ, которая будет использоваться для калибровки. Облучение проводится до отказа по большинству параметров-критериев или до уровня воздействия, при котором радиационно-индуцированное изменение начального значения предварительно выбранного калибровочного параметра и параметров-критериев, превышает погрешность измерения более чем в 100 раз. При выборе режимов облучения необходимо стремиться к выполнению условия t_обл > 10× t_изм , где t_обл – полное время облучения, t_изм – суммарное время измерений параметров в процессе облучения.

В случае малой радиационной чувствительности калибровочного параметра и других параметров-критериев (изменение начального значения менее стократной погрешности измерения) определение уровня стойкости проводится по результатам испытаний сокращенной выборки (но не менее 2 шт.) на МУ с учетом требований РД 319.03.31-99.

• 4    Облучение одного образца ЭКБ на МУ с контролем заданных параметров-критериев в выбранном режиме функционирования в нормальных климатических условиях. Для предварительно выбранного калибровочного параметра и параметров-критериев требуется определение зависимости q = q(D_γ) .

Мощность поглощенной дозы гамма-излучения должна находиться в диапазоне 0,5…2,0 от мощности поглощенной дозы рентгеновского излучения на поверхности кристалла с учетом расчетной оценки коэффициента ослабления.

Облучение проводится до уровня Dγ0, при котором происходит отказ хотя бы по одному параметру-критерию, либо радиационно-индуцированное изменение начального значения калибровочного параметра и параметров-критериев, превышает погрешность измерения более чем в 100 раз. Определение мощности поглощенной дозы производится стандартными дозиметрическими средствами МУ. При выборе режимов облучения необходимо стремиться к выполнению условия tобл > 10 × tизм, где tобл – полное время облучения, tизм – суммарное время измерений параметров в процессе облучения.

• 5    Сравнительный анализ результатов испытаний на рентгеновском имитаторе и гамма-установке, принятие решения о допустимости проведения испытаний на рентгеновском имитаторе и определение калибровочного коэффициента.

Условия применимости метода совместных испытаний

Метод совместных испытаний может применяться в случае, если существует калибровочное преобразование вида

Dγ = kDX ,

где k – коэффициент, относительно которого имеет место приближенное подобие зависимостей q_k(D_X) и qк(D_γ) :

max

D.,

днФУ ИА-дфФА дкуФА

< V0,04 + <52,

где δ – относительная инструментальная погрешность измерения величины q (указанная в паспорте средства измерения); q_kγ(D_γ) – зависимость приращения критериального параметра от уровня поглощенной дозы D_γ , полученная на МУ (п.4); q_kX(D_X) – зависимость приращения критериального параметра от уровня воздействия D_X , полученная на рентгеновском имитаторе (п.3). Определение коэффициента k зависимости (1) может производиться методом наименьших квадратов.

Проверка выполнения условия (2) должна проводиться не менее, чем в двух точках, по дозе D_γ . При выполнении условия (2) принимается решение о применимости метода калибровочной дозиметрии.

Проводятся испытания группы образцов № 1 объемом n_γ на МУ и группы №2 объемом n_Х на рентгеновском имитаторе, n_X > n_γ . Испытания обеих групп проводятся в одинаковом электрическом режиме и в одинаковых климатических условиях.

Методика определения коэффициента k зависит от характера изменения функций q_γi(D_γ) , где i - номер образца в группе 1: i = 1…n_γ .

В качестве калибровочного целесообразно выбирать параметр, относительное приращение которого является наибольшим. При наличии нескольких параметров-критериев с близкими (до 20%) относительными значениями приращений – нижеследующие пункты выполняются для каждого параметра.

В случае если в интервале доз 0…D_γ0 зависимость q_γi(D_γ) имеет максимум в окрестности точки D_{γi max} , она нормируется на значение q_{γi l} , измеренное в точке D_{γi l} , ближайшей к D_{γi max} . Если в интервале доз 0… D_γ0 зависимость q_γi(D_γ) имеет несколько максимумов, следует выбирать главный максимум. При отсутствии максимума нормировка зависимости не производится.

Выбирается калибровочный уровень значения параметра q₀ . Калибровочный уровень целесообразно выбирать близким к значению, соответствующему границе допуска на параметр, установленной для объекта испытаний.

Для j -го образца группы № 1, j=1…n_γ , по экспериментальной зависимости q_γ j (D_γ) определяется значение дозы D_γ j из условия

Пример применения метода совместных испытаний

Чт/ДуУ^ q»

При необходимости для определения величины D_γ j из неравенства (3) может применяться линейная интерполяция зависимости q_γ j (D_γ) . Аналогично определяются значения D_Xi , i = 1…n_X для группы № 2.

Вычисляется точечная оценка k – коэффициента калибровки:

В качестве примера применения метода совместных испытаний рассмотрим испытания типовой микросхемы – HEF4013BT. ИС HEF4013BT (фирма-изготовитель NXP Semiconductors) представляет собой сдвоенный D-триггер, выполненный по КМОП-технологии.

Определим коэффициент калибровки для ИС HEF4013BT. В процессе облучения контролировалось функциониро-

k = DT, DX

(4а)

D X

n X

¹ D , n x £ X

(4б)

n X

D = n S D .

Y i = 1

(4в)

При наличии нескольких параметров-критериев с близкими относительными значениями приращений в качестве калибровочного выбирается параметр, для которого значение ве-

личины

5 = 7 5 X + 5 2

\2\2

, S( D X - D x )   . S( D „" D )

¹ i = 1 . ¹ i = 1 __________________________ 22

nX     Dx        n7Dv

X

является наименьшим.

Вычисляется нижняя граница k_L доверительного интервала

коэффициента калибровки:

k L

= k - 7Q k2 + Q2 - Q1Q2

,

Q 1

^1-2*nx + nx -2

Q 2

где

( n x ⁺ n y

- 2)

t, a , ^{1 -} 2 n n x ⁺ n x

- 2

— +

П х

A

1

n

' 7

ⁿX                  2

У D.-D Xi X i=1_________________________

^DX ²

A

1

,,

n x

вание, и измерялись зависимости параметров – критериев годности ( U OH , I OH , I OL , I CCH , I CCL ) от уровня воздействия ( рис. 1 ).

Далее необходимо провести анализ применимости метода. С этой целью проводится облучение микросхемы на гамма-установке (образец 13) и источнике рентгеновского излучения (образец 6). На рис. 2 показаны результаты совмещения зависимостей приращения тока потребления в режиме SET для указанных образцов. Поиск коэффициента калибровочного преобразования вида (1) проводился методом наименьших квадратов. При значении k = 0,0328 соотношение (2) выполняется уже при условии δ = 0 не менее чем при трех значениях уровня воздействия. Таким образом, можно сделать вывод о том, что метод совместных испытаний применим к данному объекту.

Далее проводится облучение двух групп микросхем. Первая группа (2 образца, включая № 13) облучается на гамма-установке, вторая группа (5 образцов, включая № 6) – на рентгеновской установке.

В качестве калибровочного параметра выбирается ток потребления в состоянии SET ( I_CCH ). Поскольку зависимость приращения параметра от уровня воздействия является монотонной, ее нормировка не производится.

Выбирается калибровочный уровень значения параметра q₀ = 3 мА. Для j -го образца группы 1, j = 1…n _γ, по экспериментальной зависимости q_γ j (D_γ) определяется значение дозы D_γ j из условия ( рис. 3 ):

q Y j ⁽ D Y j ) q 0

q0

< 5 .

В результате D_γ = {51,6; 44,6} . Аналогично определяются значения D_Xi , I = 1…n_X , для группы 2: D_X={1734, 1733, 1521, 1488, 1569} .

Вычисляется точечная оценка k – коэффициента калибровки:

i =1 ______________

2 D X

nr, ⁺ x

V 7

,,

(nx + ny i- a,N — квантиль распределения Стьюдента с N степе-

-2)

нями свободы, отвечающий уровню значимости α/2 . Уровень

доверия (доверительная вероятность) P = 1 – α определяется

Dx = 1609; Dy = 48,1;

нормативно-технической документацией. Если его значение не установлено, оно принимается равным 0,95 [22]. В качестве коэффициента калибровки принимается значение K = k_L . Отношение k/k_L > 1 играет роль нормы испытаний [22], которая оказывается зависящей от количества образцов в выборке. При этом относительная погрешность дозиметрии Δ будет

k = DX = 0,0299.

D X

определяться относительными погрешностями дозиметрии гамма-излучения (Δ _γ ) и рентгеновского излучения (Δ _X ):

N = ( 1 + A _z ) ( 1 + A x ) - 1 -A _z + A x .

Оценку соответствия изделий заданным требованиям проводят согласно требованиям ГОСТ РВ 20.57.415 и [22].

Вычисляется нижняя граница k_L доверительного интервала коэффициента калибровки при P = 0,95 : K = k_L = 0,025 . Относительная погрешность измерения длительности облучения на источнике рентгеновского излучения Δ _X при автоматическом управлении источником составляет менее 1%, поэтому погрешность дозиметрии испытаний определяется относительной погрешностью дозиметрии гамма-излучения Δ _γ , которая согласно паспорту системы дозиметрического сопровождения составляет 15%.

В случае обоснованной применимости рентгеновских испытаний оценка информативных параметров ЭКБ, недоступных для условий измерения гамма-установки, прово-

Рис. 1. Экспериментальные зависимости некоторых параметров HEF4013BT от уровня воздействия: а) UOH; б) IOH; IOL, в) ICCH; г) ICCL

Рис. 2. Совмещение зависимостей приращения тока потребления в режиме SET, полученных при облучении HEF4013BT на гамма-установке (образец 13) и источнике рентгеновского излучения (образец 6) при k = 0,0328

Рис. 3. Определение уровней воздействия Di, соответствующих заданным критериям q0

дится на рентгеновском источнике, в противном случае весь комплекс работ проводится на гамма-установке.

Выводы и заключение

Метод испытаний ЭКБ на радиационную стойкость по дозовым эффектам с совместным использованием гамма- и рентгеновских установок уточняет и развивает метод дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний, изложенный в нормативных документах. Применение описанного метода позволяет повысить достоверность дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний и в полной мере сочетать в одном цикле испытаний возможности и достоинства как моделирующих установок, обеспечивающих достоверность испытаний по адекватности испытательных воздействий, так и рентгеновских имитаторов, позволяющих определить все информативные параметры ЭКБ (в том числе прецизионные и быстродействия), проверить все необходимые режимы и условия работы ЭКБ непосредственно в условиях облучения. Достоинством предлагаемого метода совместных испытаний ЭКБ является возможность работы с малыми выборками объектов, а также наличие четких критериев применимости

• 1.    Fleetwood, D.M., Winokur, P.S., Schwank, J.R. Using laboratory X-ray and cobalt-60 irradiations to predict CMOS device response in strategic and space environments. / IEEE Transaction on Nuclear Science, 1988. – Vol 35. – PP. 1497 – 1505.

• 2.    Palkuti L.J, LePage J.J. X-Ray Wafer Probe for Total Dose Testing. /IEEE Transaction on Nuclear Science, 1982. – Vol 29. – PP. 1832 – 1837.

• 3.    Fleetwood D.M., Beegle R.W., Sexton F.W., Winokur P.S., Miller S.L., Treece R.K., Schwank J.R., Jones R.V., McWhorter P.J. Using a 10-keV X-Ray Source for Hardness Assurance. / IEEE Transaction on Nuclear Science, 1986. – Vol 33. – PP. 1330 – 1336.

• 4.    Dozier C.M., Brown D.B., Throckmorton J.L., Ma D.I. Defect Production in SiO2 by X-Ray and Co-60 Radiations. / IEEE Transaction on Nuclear Science, 1985. – Vol 35. – PP. 4363 – 4368.

• 5.    Oldham T.R., McGarrity J.M. Comparison of Co-60 Response and 10 keV X-ray Response in MOS Capacitors. // IEEE Trans, 1983. – Vol. NS-30. – N 6. – P. 4377.

• 6.    Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. / Е.Р. Аствацатурьян, А.Ю. Никифоров, А.И. Чумаков и др. / Вестник РАДТЕХ, 1991. – № 2. – С. 44 – 47.

• 7.    Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем./ М.И. Критенко, А.Ю.Никифоров, В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике, 1994. – С. 145 – 146.

• 8.    Основные положения концепции создания и внедрения имитационных методов оценки и прогнозирования ради-

  ационной стойкости ППП и ИС./ А.Ю.Никифоров, П.К. Скоробогатов, В.А.Телец, А.И.Чумаков и др./ Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА, 1994. – Вып. 3 – 4.

• 9.    IC space radiation effects experimental simulation and estimation methods./ Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Telets V.A., Sogoyan A.V./ Radiation Measurements, 1999. – V. 30.

• 10.    IC’s Radiation Effects Modeling and Estimation./ Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Pershenkov V.S., Skorobogatov P.K. / Microelectronics Reliability, 2000. – V. 40. – № 12.

• 11.    Методы прогнозирования эффектов полной дозы в элементах современной микроэлектроники./ Беляков В.В., Першенков В.С., Зебрев Г.И., Согоян А.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. /Микроэлектроника, 2003. – Т. 32. – № 1. – С. 31 – 46.

• 12.    Nikiforov A.Y., Chumakov A.I. Simulation of space radiation effects in microelectronic parts./ Effects of space weather on technology infrastructure, 2004 – Kluwer Academic Publishers, Netherlands.

• 13.    Никифоров А.Ю., Согоян А.В. Моделирование дозовых эффектов в паразитных МОП-структурах КМОП БИС при воздействии высокоинтенсивного импульсного ионизирующего излучения./Микроэлектроника, 2004. – Т. 33. – № 2. – С. 108 – 121.

• 14.    Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах./Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Чумаков А.И. и др./ Модель космоса: Научно-информационное издание: в 2 т. – Т. 2: Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. – М.: КДУ, 2007.

• 15.    Методы испытаний на стойкость к воздействию радиационных факторов космического пространства и импульсную электрическую прочность./ Никифоров А.Ю., Чумаков А.И., Скоробогатов П.К., Телец В.А., Улимов В.Н. и др./ Модель космоса: Научно-информационное издание: в 2 т. – Т. 2: Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. – М.: КДУ, 2007.

• 16.    Методика оперативного неразрушающего контроля дозовой стойкости КМОП БИС на КНС структурах./ Давыдов Г.Г., Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Киргизова А.В., Петров А.Г., Седаков А.Ю., Яшанин И.Б./ Микроэлектроника, 2008. – Т. 37. – № 1. – С. 67 – 77.

• 17.    Согоян А.В. Оценка стойкости КМОП СБИС к фактору поглощенной дозы при воздействии импульсного излучения./ Микроэлектроника, 2011. – Т. 40. – № 3. – С. 200 – 208.

• 18.    ASTM F1467 – 11 Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (≈10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effects Testing of Semiconductor Devices and Microcircuits.

• 19.    ASTM E666 – 09 Standard Practice for Calculating Absorbed Dose From Gamma or X Radiation.

• 20.    Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний./ РД В 319.03.22-97.

• 21.    Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Испытания на стойкость к воздействию специальных факторов и импульсную электрическую прочность. /ОСТ 11 073.013 (ч. 10).

• 22.    Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Рациональный состав и последовательность испытаний на соответствие заданным требованиям по РС./ РД В 319.03.31-99.