Метод сканирующей туннельной микроскопии в исследовании электрических свойств поверхности примесного кремния
Автор: Кулумбетов А.С.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 12 (102), 2023 года.
Бесплатный доступ
В обзорной статье излагается работы исследовании примесного кремния методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). На сегодняшний день исследование и сравнение электрических свойств на поверхности примесного кремния на макро и микроуровне является актуальным для создания фотоэлементов и электронных устройств. Были приведены работы по изучению поверхностного потенциала, проводимости, p-n перехода, структуры и дефектов примесного кремния.
Кремний, сканирующая туннельная микроскопия, примесный кремний, атомно-силовая микроскопия
Короткий адрес: https://sciup.org/140302709
IDR: 140302709
Список литературы Метод сканирующей туннельной микроскопии в исследовании электрических свойств поверхности примесного кремния
- Leonid Bolotov, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama. Scanning tunnelling spectroscopy of atomic clusters deposited on oxidized silicon surfaces: induced surface dipole and resonant electron injection []// Journal of Physics: Condensed Matter. - 2003.- №42(15). DOI: 10.1088/0953-8984/15/42/006
- Королев Е.В., Александрова Г.А., Пчеляков О.П. Исследование топографии солнечных элементов методом атомно-силовой микроскопии // Актуальные проблемы авиации и космонавтики. 2015. №11. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-topografii-solnechnyh-elementov-metodom-atomno-silovoy-mikroskopii (дата обращения: 29.12.2023). EDN: VSCJNL
- Wei Ye, Kyoungmin Min, Pamela Peña Martin, Angus A. Rockett, N.R. Aluru, Joseph W. Lyding, Scanning tunneling spectroscopy and density functional calculation of silicon dangling bonds on the Si(100)-2×1:H surface []//Surface Science.-2013.- №(609).- URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0039602812004207. DOI: 10.1016/j.susc.2012.11.015
- Różański, P.T., Bryant, G.W. & Zieliński, M. Scanning tunneling microscopy of buried dopants in silicon: images and their uncertainties. npj Comput Mater 8, 182 (2022). DOI: 10.1038/s41524-022-00857-w EDN: RACQIV
- Цуканов Дмитрий Анатольевич, Грузнев Дмитрий Вячеславович, Лавринайтис Мария Валерьевна Исследование кристаллической структуры и электрических свойств поверхностных фаз металлов на кремнии // Вестник ДВО РАН. 2006. №4. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-kristallicheskoy-struktury-i-elektricheskih-svoystv-poverhnostnyh-faz-metallov-na-kremnii (дата обращения: 29.12.2023).
- Насимов Д.А., Шеглов Д.В., Родякина Е.Е., Kosolobov S.S. Fedina L.I., Teys L.A., Латяшев А.В. AFM and STM studies of quenched Si(111) surface [https://www.researchgate.net/publication/289265450_AFM_and_STM_studies_of_quenched_Si111_surface]//Physics of Low-Dimensional Structures.-2003.- №3. EDN: LHREOV
- Hatem Labidi., Marco Taucer., Mohammad Rashidi., Mohammad Koleini., Lucian Livadaru., Jason Pitters., Martin Cloutier., Mark Salomons., and Robert A Wolkow., Published 15 July 2015. New Journal of Physics, Volume 17, 17 073023. DOI: 10.1088/1367-2630/17/7/073023
- F.M. Serry, K. Kjoller, J. T. Thornton, R. J. Tench, and D. Cook A.B. Electric Force Microscopy, Surface Potential Imaging, and Surface Electric Modification with the Atomic Force Microscope (AFM). 2004. Veeco Inst. https://studyres.com/doc/20719320/electric-force-microscopy-surface-potential-imaging-and..?ysclid=lmkkils75n766506361.
