Model of temperature assignment of silicon growing
Автор: Sakhanski S.P., Barkin S.M.
Журнал: Сибирский аэрокосмический журнал @vestnik-sibsau
Рубрика: Авиационная и ракетно-космическая техника
Статья в выпуске: 3 (29), 2010 года.
Бесплатный доступ
Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing system by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.
Model, temperature, growing, mono crystal, silicon
Короткий адрес: https://sciup.org/148176222
IDR: 148176222
Статья обзорная
