Модифицированный масс-рефлектрон
Автор: Голиков Ю.К., Краснов Н.В., Бубляев Р.А.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Оригинальные статьи
Статья в выпуске: 4 т.15, 2005 года.
Бесплатный доступ
В статье анализируется новая электронно-оптическая схема трехкомпонентного масс-рефлектрона. Она состоит из двух дрейфовых промежутков, разделенных двойным электрическим слоем, и одинарного плоского электростатического зеркала-компенсатора. В реальной конструкции двойной слой заменяется двумя близко расположенными сеточками, исполненными в виде системы параллельных металлических нитей. Данная схема обеспечивает третий порядок фокусировки по энергии при низком уровне аберраций 4-го порядка. В работе развивается последовательная аналитическая теория такого модифицированного масс-рефлектрона и показывается, что по отношению к общей схеме рефлектронов с тройным зеркалом предлагаемый вариант является оптимальным.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264406
IDR: 14264406
Текст научной статьи Модифицированный масс-рефлектрон
Известно, какую выдающуюся роль в развитии времяпролетной масс-спектрометрии сыграла идея масс-рефлектрона [1]. Классическая его схема, состоящая из дрейфовой трубки и плоского электростатического зеркала, уже обеспечила энергетическую фокусировку первого порядка для полных пакетов. Желание улучшить качество фокусировки породило схему с двойным зеркалом из двух плоских конденсаторов, вплотную следующих друг за другом [2]. Здесь удается получить фокусировку второго порядка, и масс-спектрометр становится весьма совершенным. Этот успех естественно порождает мысль использовать тройные, четверные и т. д. зеркала для получения любого заданного нами порядка фокусировки. Иллюзии однако разбиваются рассеивающим и затеняющим действием сеток, разделяющих секции зеркала, сводящим на нет все теоретические преимущества многоэлектродных систем. Именно поэтому на практике доминирует схема с двойным зеркалом как своеобразный оптимум [3].
Тем не менее мы решаемся предложить новый вариант схемы, идейно прилегающий к первоначальной; мы назвали его "модифицированный масс-рефлектрон" [4]. Несмотря на то что эта область как будто бы исхожена вдоль и поперек, мы неожиданно наталкиваемся на принципиально новые и технологически приемлемые решения.
ФИЗИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ
Рассмотрим сначала масс-рефлектрон в его первоначальной классической форме: заземленная дрейфовая трубка длины H снабжена на конце отражающим плоским зеркалом с потенциалом Ф 0
и зазором l между пластиной и сеткой (рис. 1). Ион массы m и зарядом q стартует из источника I в момент t 0 = 0 с энергией E и пролетает двойной путь до детектора D за время t D , которое мы представим в виде
t D = н 2mKк ( e ), (1)
где
к = + ^ E , Ц = -2—
E 2 Ф 0 H
.
Графики функции K ( Е ) суть ямы с крутыми левыми берегами при E ^ 0 и перегибистым пологим правым берегом при E ^^ (рис. 2). На дне
dK ямы — = 0, в чем, собственно, и состоит факт dE
достаточно хорошей фокусировки по энергии для группы ионов с размазанной энергией E . Величина min K характеризует полное время пролета в условиях фокусировки и вместе с аберрацией второго
d2 K порядка, пропорциональной , d E 2
задает разре-
шающую способность прибора.
Если где-нибудь в дрейфовую трубку встроить электронно-оптический элемент со сквозным про-
ходом: линзу, конденсатор, — то независимо от природы его действия (тормозит он или ускоряет) к функции K добавится аддитивный положительный член, всегда имеющий вид падающей с ростом Е функции. При этом дно ямы (2) всегда поднимается, а плато возле дна деформируется и может приобрести вид достаточно протяженной площадки при большой вариации Δ Е . Именно к "пологости" дна и должен стремиться конструктор прибора.


Рис. 1. Масс-рефлектрон (а) и профиль потенциала в нем (б)

Рис. 2. Функция K ( Е ) при различных µ
Итак, мы будем стараться простыми средствами деформировать яму (2), выбирая подходящую полевую структуру.
Как известно, локальная форма кривых характеризуется рядом Тейлора с центром разложения в выбранной точке. Мера близости кривой в окрестности центра разложения к горизонтальной прямой характеризуется величиной соответствующих коэффициентов Тейлора. В случае обнуления коэффициентов до какого-либо порядка n мы имеем фрагмент кривой тем ближе к горизонтальной, чем выше этот порядок n. При этом говорят о фокусировке n-го порядка. Поэтому, желая освободиться от влияния разброса энергии на время пролета ионного пакета, мы должны стремиться к уничтожению как можно большего числа производных в ряде Тейлора.
Логика нашего рассуждения требует взять в качестве достойного преобразователя систему, проще которой не бывает, а именно двойной электрический слой со скачком потенциала Ф 1 , и расположить его на расстоянии h от старта параллельно зеркалу (рис. 3, а). Входную сетку зеркала запитаем потенциалом Ф 1 , а его второй электрод потенциалом Ф 2 . Все эти величины еще подлежат определению. Ход потенциала вдоль оптического пути имеет форму, как на рис. 3, б. Таким образом, ион летит с постоянной скоростью отрезок h , далее скачком меняет энергию на величину Q 1 = = qФ 1 , причем в зависимости от знака Ф 1 либо тормозится ( Ф 1 > 0), либо ускоряется ( Ф 1 < 0), и отрезок ( H–h ) до зеркала летит с другой дрейфовой скоростью. Далее ион отражается от зеркала и совершает свой путь до детектора D в обратном порядке. В результате система приобретает новые и несколько неожиданные свойства. Мы исследуем все это, двигаясь от простого к сложному, и начнем с идеальной схемы с бесконечно тонким двойным слоем.


Рис. 3. Идеальный модифицированный масс-рефлектрон (а) и профиль потенциала в нем (б)
ИДЕАЛЬНЫЙ ВАРИАНТ
Пусть двойной слой будет тормозящим ( Q 1 > 0). Составим выражение для полного времени пролета:
mm tn — 2 h + 2( H — h)--+
D 2E E ^/2( E — Q 1 )
+ 2l- 4 2 m ( E — Q J,
Q 2
d K d2 K
Вычислим и 2 и приравняем их к нулю. d w d w 2
Получим линейную алгебраическую систему относительно величин в и Y , дающую условия фокусировки второго порядка ионных пакетов по энергии Е . В приведенной форме она такова:
где
Q 2 — q ф — ф ), Q i — q Ф 1 . (4)
Для удобства выкладок преобразуем (3) к виду tD — h mK(w), (5)
Q 1
где к—+в Ww^+ + Y—, (6)
V w Ww — 1
Ее корни:
( w — 1) в — Y —
( w — 1) в — 3 Y —
3( w — 1)12
в 5/ ’
2 w 2
3 w — 1 А 2
I ,
w )
5 w — 1 А 2
.
w
( w — 1) 32 (3 — 2 w )
Y 5/
2 w 2
.
E lQ w — —, в — 2--L,
Q 1 hQ 2
Y —
H — h h
По физическому смыслу система может работать только в том случае, если E > Q 1 , т. е. w > 1. С другой стороны, из геометрии в (7) всегда у > 1, но тогда выражение (9) обязано быть положительным. Следовательно, интервал w , в котором достигается фокусировка второго порядка по w (а соответственно и по Е ) определяется неравенством
разрешающей способности, которая с помощью соотношений (5) и (6) примет вид
Вычислим теперь с помощью (6):
d3 K производные , d w 3
d4 K d w 4
A m _ 2 A tD _ 2 A K mtD K
По формуле Тейлора A K в условиях фокусировки имеет представление:
d3 K _ 3
d w 3 8
d4 K _ 15
d w 4 16
7 w 2
5Y
( w -1/2 ( w -1/2
,
A K = -d- K ( A w ) 4 . (20)
4! d w 4 ( )
9 w 2
7Y
( w - 1/2 ( w - 1/2
.
Соединяя (17, 18, 20) в выражение (16), получим
Далее, подставив в (11), (12) и (6) значения в из условий фокусировки второго порядка (9) лучим выражения:
d3 K _ 3 ( 4 w - 5 )
d w3 8W%A -- A2’
d4 K _ 5 - 12 w2 + 21 w - 7 d w4 16 w92f1 -- 1? ,
4 w - 3
K _ —5
w 2
.
Первое, что бросается в глаза, — это обраще-d3K ние в ноль производной при dw3
окончательно и у
, по-
A m 4 4 ---= —(A w ) . m 5 |
(21) |
|
Но |
E w _ — Q 1 |
(22) |
и |
a A E A w _ . Q 1 |
(23) |
Из (22) |
и (16) получаем |
|
Q i _ 4 E - 15 |
(24) |
|
Подставляя Q 1 из (24) в (23), получим |
w _ — .
Это значение попадает в физически допустимый интервал (10), и, следовательно, в системе осуществляется фокусировка третьего порядка. Факт замечательный, если учесть, как скромно мы вмешались в дрейфовое движение при помощи тормозящего двойного слоя.
Вычислим (14, 15) при энергии фокусировки (16). Получим
5 A E A w _-- . 4 E |
(25) |
|
Подставим A w |
из (25) в (21) и |
запишем формулу |
разрешающей |
способности |
нового масс- |
рефлектрона: |
A m _ 125 ( A E m " 64 I e |
4 I - (26) |
d4 K _ 3 • 210
d w4 w _ 5 " 12575 , w 2
K 5 _--- r
1 w _ 2 2575
Из (24) следует, что на тормозящем двойном слое должно гаситься 4 5 от первоначальной энергии Е . Если принять, что в зеркале ионы поворачивают назад непосредственно у второй пластины с потенциалом Ф 2, то надо положить
Этих данных уже достаточно, чтобы оценить разрешающую способность построенной схемы масс-рефлектрона в режиме фокусировки третьего порядка. Воспользуемся стандартной формулой для
qФ 2 _ E - (27)
Тогда
Q 2 _ qФ 2 - qФ 1 _ 5. (28)
Вычислим еще в, у в режиме фокусировки третьего порядка, положив в (9) w = 4. Получим в = -24= у = 1
25 5 25 5
Соединяя эти значения с формулами (4) для в , Y и используя Q1 из (28), мы можем записать уравнения, в которые входят неизвестные пока величины h и l. Разрешив их, мы получим l = -^ h = 0.054h,
25 5
H - h = h = 0.0179 h.
25 5
В классическом масс-рефлектроне с одинарным зеркалом расстояние между пластинами составляет 50 % от длины дрейфовой трубки. В нашем случае двойной слой, дрейфовая промежуточная часть ( H – h ) и размах зеркала l вместе составляют всего 7.2 % от длины h , что весьма удобно с тех-нологически-конструкторской точки зрения. Физическое время пролета в новой системе при одинаковых габаритах с классическим масс-рефлектроном увеличивается примерно в 1.5 раза, что также имеет большое значение при реализации прибора.
Итак, мы подробно изучили теоретическую схему модифицированного масс-рефлектрона с идеальным торможением на двойном электрическом слое. Оценим его разрешающую способ ность, взяв AE = 2.5 эВ. Тогда из (26) получим
— = — f) = 0.76 -10-6 m 64 I 40 I или разрешение R
R = m- = 1.3 - 10 6 .
A m
Сила прибора очень значительная!
РЕАЛЬНЫЙ ВАРИАНТ
Двойной электрический слой в наших предыдущих построениях может восприниматься как математическая абстракция, сомнительная для технической конструкции. Поэтому мы обязаны заменить этот бесконечно тонкий слой более ощутимым толстеньким плоским конденсатором с зазором S между сетками и провести новое, более сложное исследование системы (рис. 4, а). Ход потенциала вдоль оптической оси системы становится более гладким (рис. 4, б); появляется новый участок с тормозящим полем длины S .

Рис. 4. Реальный модифицированный масс-рефлектрон (а) и профиль потенциала в нем (б)
Составим общее выражение для полного времени пролета tD по тем же правилам и с теми же обозначениями параметров и запишем:
tD = h —K ( w ),
D Q 1 ,
где K по сравнению с (6) несколько усложнится и появится новый коэффициент а , причем изменится и содержание величин а , в и у :

Система (36) переходит в новую рациональную систему относительно ^ , п и X :
w 2 ^ + ( w - 1)2 п - ( w - 1)2 X = w 2,
- w c + ( w - 1) п - 3( w - 1) X = 3 w , (39)
£ + п + 5 X = 5.
Определители этой системы вычисляются очень просто. Мы опустим короткие элементарные выкладки и сразу же запишем решение:
„ г л 4 w 2 + w . w
£ = 5 - 4 w , п =-----—, X =---- . (40)
w - 1 w - 1
в = 2 lQ 1 - 2 - , hQ 2 h
Из (38) с помощью (40) находим значения а , в и y , отвечающие условиям третьего порядка, аберрационный член (37) и, наконец, K по формуле (34). Имеем:
а, в и у можно считать независимыми параметрами, подлежащими определению из дополнительных условий. Здесь естественно попытаться выявить фокусировку третьего порядка, вычислив dK d2K d3K производные , и и приравняв их dw dw2d к нулю. Получится система алгебраических уравнений относительно а, в и у, которая приводится к виду а + в
Vw Vw - 1 (w -1)32
OL^Y 3
3/ + 3/3 5/5/ w22 (w -1)/2 (w -1)/2
а + в - 5 Y= _5_ w 52 (w -1)52 (w -1)% w72
Если эти уравнения удовлетворяются, то остаточный член в выражении AK определится величиной d4K = 15 Г_7_ d w 16 w 92
а в 7 Y
7/ , х7/ + , х9/ wл (w -1)/2 (w -1)/2
Решение (36) в приведенном виде представляет довольно-таки громоздкую и малопрозрачную процедуру. Мы чрезвычайно сократим вычисления, если введем следующие искусственные подстановки:
5 - 4 w о ( w - 1 ) 22
а =------, в = 5т— (4 w +1), w w 2(41)
( w - 1 А22
Y = 1I
V w J
' d4K=_JJ___ dw4 8w92 (w -1)2
IK = 4
L w 2 2
Теперь у нас нет дополнительного условия на w , как в случае идеального двойного слоя, и фокусировка третьего порядка может осуществляться при некоторых энергиях, если подобрать нужным образом параметр тормозящего слоя S . Сопоставляя а из (35) и (41) мы видим, что а > 0, и кроме этого, всегда должно быть w > 1, так что w оказывается заключенным в интервале
1 < w < 4.
Учтя все эти новые обстоятельства, вычислим разрешающую способность:
A m _ 2 A K = 5 ( A w ) 4
m ” 64 w 2 ( w - 1 ) 2 .
Эта величина достигает минимума, если w достигает максимума, что в силу неравенства (43) дает w = 4. С другой стороны,

w

Y =

X .
2 S 5 - 4 w а = V =----, hw
и при w = 4 формула (44) переходит в (21), так что неизбежно следует вывод:
в условиях фокусировки третьего порядка наилучшим является вариант с идеальным двойным слоем ( S = 0) в качестве притормаживающего устройства.
На практике S надо выбирать на пределе технологических возможностей. С помощью выражений (35) можно определить (уточнить) параметры конструкции, взяв приемлемо малую толщину S , регламентируемую, например, пробойным напряжением и рассеянием на сетках. Здесь мы этими расчетами заниматься не будем.
ТРЕХСЕКЦИОННОЕ ЗЕРКАЛО
Комбинация узкого тормозящего слоя, следующего за ним потенциального дрейфового промежутка и последнего отражающего каскада на самом деле является частным и даже вырожденным случаем трехсекционного зеркала с зазорами l1, l2, l3 и потенциалами 0, Ф1, Ф2, Ф3 (рис. 5, а). Все предыдущее отвечало условию Ф1 = Ф2. Мы вправе предположить, что появление еще одного дополнительного варьируемого параметра должно изменить всю ситуацию с фокусировкой по энер- гии, и, в частности, может возникнуть фактор уменьшения аберрации четвертого порядка. Ответить на этот вопрос может только точный математический анализ, хотя здесь он будет более длинным.
Рассмотрим только режим торможения (рис. 5, б):
0 < Ф 1 < Ф 2 < Ф 3 . (46)
Пусть H — расстояние от источника до первой сетки зеркала, а буквам Q 1 , Q 2 , Q 3 придадим значения
Q i = qФ1, Q 2 = qФ 2 , Q 3 = qФ з . (47)
Запишем физическое время пролета tD в той расстановке членов, как это следует из последовательного рассмотрения движений на разных участках. Получим
tD = н Im + 242ml^-(4E -EeQ^)+
EQ 1
+ N^mT 1 2 ( V E-Q 1 —V e — Q 2 ) +
Q 1 Q 2
+ 242m ie _ q . (48)
Q 3 - Q 2 N

Рис. 5. Масс-рефлектрон с тройным зеркалом (а) и профиль потенциала в нем (б)
При Q1 ^ Q2 коэффициенты в (44) становятся сингулярными, и требуется переход к пределам, что, собственно, сильно отличает эту ситуацию от предельных выражений, соответствующих ситуации двух дрейфовых промежутков. Снова положим tD = H\mK (w),(49)
Q 1
где

в 'J w - 1 + у A w - S
E Q2
w = —, S = ^2, a = —1,
Q1 Q1
Окончательные выражения для решений таковы:
„ 5S - 2 w (S +1) 2Sw .2 c =----------------, ri =-----, X =--. (56)
S S - 1’ S ( S - 1) v '
Подставляя в (54) эти формулы, получим искомые a, в, Y, задающие условия фокусировки третьего порядка в системе. Но мы в них сейчас не d4K нуждаемся, а для вычисления сначала при-dw4
ведем все к параметрам С,П,X, чтобы пользоваться простыми выражениями (56). Итак, имеем d4K = 15 f Т_ d w4 16 w 92
a в П
77 7
w 22 ( w - 1 )22 ( w - S )22
. (57)



В параметрах С , П , X
d4 K 15 f„ , 4^ =9/1 7 - C d w 16 w 92 1
w
Встраивание (56) в (58) дает
w w - S

Структурно функция (50) очень сильно отличается от (34), поэтому и требуется отдельный подход. Вычисляем d4K dw4
_ 15 S + w ( S + 1) w‘
S
dK 1 f 1 a в у ) ---= ---+ + , + , , d w 2 ^ w 2 ww A w -1 A w - S J d2 K _ 1 f 3 a в y
--- — — --------------- 2 53 3 3, dw 4 [ w2 w92 (w -1)2 (w - S y2
d 3 K 3 f 5 a в y
= 7-7 +5y +ту +ту dw 8 [ w 92 w 92 (w -1) 92 (w - S У2
8 w 2
S
-
S - 1 [ S ( X - S ) w - 1
. (59)
Это выражение счастливо упрощается, и в итоге имеем
d4 K d w 4
15 S
8 w92 ( w - 1 )( w - S )
Приравнивая правые части (53) нулю, мы получим некую линейную систему с иррациональными коэффициентами, которую приведем к рациональной форме подстановками, похожими на (38):
a = C , в = ( w 7/) Л , y = ( w J X ■ (54) w w 2 w 2
По физическому смыслу S > 0 всегда и нигде в нуль не обращается, так что надежда на возможность фокусировки четвертого порядка за счет избыточного параметра S в данной модели рухнула. При любом выборе тормозящих потенциалов Ф 1, Ф 2, Ф 3 достижима только фокусировка третьего порядка.
Вычислим теперь K в условиях фокусировки, используя (56), (54). Опять опуская элементарные выкладки, запишем:
Получающаяся система родственна (39):
K = S w 2
.
w A + ( w - 1)2 ri + ( w - S )2 X = w 2,
- w c + ( w - 1) n + ( w - S ) X = 3 w , (55)
^ + г/ + X = 5.
Определители здесь вычисляются достаточно просто, как и для (39), и мы не приводим выкладки.
Снова строим формулу разрешающей способности по массам m :
2d4 K
A m = 2 A K _ d w4 mK 4! K
Окончательно из (60, 61, 62) следует:
Am _ 5 (Aw)
m 64 w 2 ( w - 1 )( w - S )
Мы получили удивительно простое обобщение Am формулы (44). Из нее следует, что m достигает минимума при наименьшем значении S и макси-Ф мально большом w. Но S = ф > 1 и минимум этой величины суть S = 1, что как раз отвечает формуле (40) и режиму дрейфа ионов в эквипотенциальном пространстве средней секции.
И еще раз убеждаемся, что только при w = 4 мы имеем фокусировку третьего порядка при вырождении 1-й секции в двойной слой из двух очень близко расположенных плоских сеточек, и разрешение при этом оптимально.
Мы здесь не даем исследования двух случаев:
-
1) когда 1-я секция ускоряющая, а 2-я тормозящая;
-
2) когда 1-я секция тормозящая, а 2-я ускоряю-
- щая, —
в силу того что они приводят к физически нереализуемым ситуациям.
Итак, мы сконструировали новую электроннооптическую схему времяпролетного масс-спектрометра под названием "модифицированный масс-рефлектрон" и показали, что она наилучшая в классе систем с тройным зеркалом и является своеобразным исключительным случаем, вырождением этого класса.