Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм. 3. Пути повышения мощности излучения
Автор: Демидов Д.М., Тер-Мартиросян Александр Леонович, Булашевич К.А., Хохлев О.В., Карпов Сергей Юрьевич
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Приборы и устройства
Статья в выпуске: 2 т.23, 2013 года.
Бесплатный доступ
Данная работа продолжает серию обзоров по механизмам ограничения мощности излучения полупроводниковых лазерных диодов [1, 2] и рассматривает возможные пути повышения мощности. Среди них наиболее эффективные: использование лазерных гетероструктур с расширенным волноводом, защита зеркал резонатора и улучшение отвода тепла от активной области лазера. В статье обсуждаются возможные подходы, развитые в каждом из указанных выше направлений, и дается оценка эффективности или перспективности рассмотренных подходов.
Полупроводниковые лазеры, лазерные диоды, мощность излучения, катастрофическое разрушение зеркал, тепловые эффекты, накопление носителей, время жизни носителей, стимулированное излучение
Короткий адрес: https://sciup.org/14264853
IDR: 14264853 | УДК: 621.373.826.038.825.5
High-power laser diodes emitting at 808 nm. 3. Ways to increase the optical output power
This work continues the reviews on the mechanisms limiting the output optical power of semiconductor laser diodes reported in [1, 2]. Here we consider possible ways for improving the optical power. Among them, the most effective ways are the use of large-optical cavity heterostructures, advanced coating of the laser resonator mirrors, and improving the heat sink of the laser diodes. Specific approaches suggested in each of the above directions are discussed in the paper. Assessment of the effectiveness and/or potential of the approaches is given as well.
