Нанооксидирование и нанотравление n-In0.53Ga0.43As с помощью атомно-силового микроскопа
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Оригинальные статьи
Статья в выпуске: 1 т.11, 2001 года.
Бесплатный доступ
Детально исследована применимость нанооксидирования с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) к слою InGaAs на InP с согласованным параметром решетки. На поверхности n-InGaAs сформированы выступы оксида методом АСМ-нанооксидирования. В результате сформированы равномерные оксидные линии высотой более 6 нм и шириной менее 50 нм. Наноканавки на поверхности n-InGaAs могут быть сформированы травлением в растворе HF. Показано влияние полуконтактного режима на улучшение геометрических параметров оксидных точек, а также оксидная природа образования линий и точек.
Похожие статьи в разделе Свойства и структура молекулярных систем
Короткий адрес: https://sciup.org/14264159
IDS: 14264159 | УДК: 539.2;
Nanooxidation and nanoetching of n-In0.53Ga0.43As with an atomic force microscope
Applicability of AFM-based nanooxidation to InGaAs on InP is investigated in details. The oxide protrusions are successfully formed on n-InGaAs with AFM-nanooxidaion. Oxide is easily etched in HF solution. Oxide lines with a height of more than 6 nm and width of less than 50 nm are successfully formed. The influence of the tapping mode on improvement of geometrical parameters of oxide protrusions is demostrated. The oxide nature of lines and dots is shown.
Список литературы Нанооксидирование и нанотравление n-In0.53Ga0.43As с помощью атомно-силового микроскопа
- Okada H., Jinushi K., Wu N.-J., Hashizume T., Hasegawa H.//Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34, N. 2. P. 1315-1319.
- Jinushi K., Okada H., Hashizume T. Hasegawa H.//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35, N. 2. P. 1132-1139.
- Egorov V.A., Petrov N.V., Polyakov N.K., et al.//Book of abstracts 5-th International Conference on Solid Films and Surfaces. Princeton USA, July 9-13, 2000. P. 87.
- Moisson J. M., Houzay F., Barhte F., Leprince L.//Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64, N. 2. P. 196-198.
- Fujikura H., Hasegawa H.//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35, N. 2. P. 1333-1339.
- Takahashi Y., Fujiwara A., Yamazaki K., Namatsu H., Kurihara K., Murase K.//Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38, N. 4. P. 2457-2461.
- Held R., Vancura T., Heinzel T., Ensslin K., Holland M., Wegsheider W.//Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73, N. 2. P. 262-264.
- K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda, J. A. Dagata and J. S. Harris//Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. 477-479.
- S. Sasa, T. Ikeda, K. Anjiki and M. Inoue//Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. 480-482.
- Okada Y., Amano S., Kawabe M.//J. Appl. Phys. 1998. V. 83, N. 4. P. 1844-1847.
- Y. Matsuzaki, K. Yuasa, J. Shirakashi, E. K. Chilla, A. Yamada and M. Konagai//J. Crystal Growth. 1999. V. 201/202. P. 656.
- Ishii M., Matsumoto K.//Ext. Abs. of 1995-th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Osaka, 1995. P. 953-955.
