Нанооксидирование и нанотравление n-In0.53Ga0.43As с помощью атомно-силового микроскопа
Автор: Соколов Д.В.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Оригинальные статьи
Статья в выпуске: 1 т.11, 2001 года.
Бесплатный доступ
Детально исследована применимость нанооксидирования с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) к слою InGaAs на InP с согласованным параметром решетки. На поверхности n-InGaAs сформированы выступы оксида методом АСМ-нанооксидирования. В результате сформированы равномерные оксидные линии высотой более 6 нм и шириной менее 50 нм. Наноканавки на поверхности n-InGaAs могут быть сформированы травлением в растворе HF. Показано влияние полуконтактного режима на улучшение геометрических параметров оксидных точек, а также оксидная природа образования линий и точек.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264159
IDR: 14264159
Список литературы Нанооксидирование и нанотравление n-In0.53Ga0.43As с помощью атомно-силового микроскопа
- Okada H., Jinushi K., Wu N.-J., Hashizume T., Hasegawa H.//Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34, N. 2. P. 1315-1319.
- Jinushi K., Okada H., Hashizume T. Hasegawa H.//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35, N. 2. P. 1132-1139.
- Egorov V.A., Petrov N.V., Polyakov N.K., et al.//Book of abstracts 5-th International Conference on Solid Films and Surfaces. Princeton USA, July 9-13, 2000. P. 87.
- Moisson J. M., Houzay F., Barhte F., Leprince L.//Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64, N. 2. P. 196-198.
- Fujikura H., Hasegawa H.//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35, N. 2. P. 1333-1339.
- Takahashi Y., Fujiwara A., Yamazaki K., Namatsu H., Kurihara K., Murase K.//Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38, N. 4. P. 2457-2461.
- Held R., Vancura T., Heinzel T., Ensslin K., Holland M., Wegsheider W.//Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73, N. 2. P. 262-264.
- K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda, J. A. Dagata and J. S. Harris//Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. 477-479.
- S. Sasa, T. Ikeda, K. Anjiki and M. Inoue//Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. 480-482.
- Okada Y., Amano S., Kawabe M.//J. Appl. Phys. 1998. V. 83, N. 4. P. 1844-1847.
- Y. Matsuzaki, K. Yuasa, J. Shirakashi, E. K. Chilla, A. Yamada and M. Konagai//J. Crystal Growth. 1999. V. 201/202. P. 656.
- Ishii M., Matsumoto K.//Ext. Abs. of 1995-th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Osaka, 1995. P. 953-955.
