О способе увеличения плотности элементов в схемах NOR и OR, формированных на базе полевых гетеротранзисторов
Автор: Панкратов Е.Л., Булаева Е.А.
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 3-1 (6), 2017 года.
Бесплатный доступ
В данной работе проводится анализ возможности увеличения плотности элементов в схемах NOR и OR, сформированных на базе полевых гетеротранзисторов. Предлагается способ увеличения плотности рассматриваемых элементов, базирующийся на формировании гетероструктуры специфической конфигурации, легировании необходимых ее участков с помощью диффузии и ионной имплантации, а также оптимизации отжига примеси и/или радиационных дефектов. Проводится сравнительный анализ формирования данных транзисторов с помощью диффузии и ионной имплантации.
Полевые гетеротранзисторы, схема nor, схема or, оптимизация формирования, аналитическая методика анализа массопереноса
Короткий адрес: https://sciup.org/170190323
IDR: 170190323
Список литературы О способе увеличения плотности элементов в схемах NOR и OR, формированных на базе полевых гетеротранзисторов
- Г. Волович. Современная электроника. № 2. С. 10-17 (2006).
- А. Керенцев, В. Ланин. Силовая электроника. №. 1. С. 34-38 (2008).
- А.О. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, А.В. Саченко. ФТП. Т. 43 (7). С. 897-903 (2009).
- Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. Т. 35 (8). С. 1013-1017 (2001).
- A. Subramaniam, K. D. Cantley, E.M. Vogel. Active and Passive Electronic Components. Vol. 2013, ID 525017 (2013).
