Об одном методе расчета электростатических полей с осевой и трансаксиальной симметрией
Автор: Спивак-Лавров Игорь Феликсович, Доскеев Г.А., Тлеубаева Т.Ж.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Работы, посвященные памяти Ю.К. Голикова
Статья в выпуске: 1 т.24, 2014 года.
Бесплатный доступ
Предложен метод расчета осесимметричных и трансаксиальных полей, основанный на разбиении потенциала на два слагаемых. Основное слагаемое является гармонической функцией двух переменных η = ln(ρ / ρ 0) и z, удовлетворяющей заданным граничным условиям. Гармоническая составляющая потенциала находится аналитически с помощью методов теории функций комплексной переменной. Второе слагаемое является решением неоднородного уравнения с нулевыми граничными условиями Дирихле и может быть найдено численно с необходимой точностью.
Осесимметричные линзы, осесимметричные зеркала, трансаксиальные линзы, трансаксиальные зеркала, гармонические функции двух переменных
Короткий адрес: https://sciup.org/14264916
IDR: 14264916
Текст научной статьи Об одном методе расчета электростатических полей с осевой и трансаксиальной симметрией
Обычно электростатические поля трансаксиальных и осесимметричных корпускулярно-оптических систем описываются в цилиндрической системе координат ρ , ψ , z . Уравнение Лапласа для потенциала φ в цилиндрических координатах имеет вид
1 д д ф 1 д 2 ф д 2 ф .
--р—+т—+—г = 0 р др др р2 ду дzz
В частном случае, когда потенциал φ зависит только от переменных ρ , ψ , можно ввести безразмерную переменную
П = ln р , (2)
ρ 0
где ρ0 — некоторая характерная длина (обычно радиус цилиндрической поверхности). В переменных п, V потенциал ф (п, V) удовлетворяет двумерному уравнению Лапласа д 2ф + д 2ф = о дп2 дуv
Потенциал ф ( п, у ) является гармонической функцией переменных η , ψ , и для его нахождения может быть использован весь арсенал теории функций комплексной переменной (ТФКП).
В случае трансаксиальных и осесимметричных систем потенциал электростатического поля φ за- висит только от переменных ρ, z и удовлетворяет уравнению
1 д д ф д 2ф .
--р —+— = 0 0.
р д р д р д z 2
В монографии [1] рассмотрены различные аналитические методы решения уравнения (4) для расчета трансаксиальных и осесимметричных полей. Как известно, Ю.К. Голиков был приверженцем и знатоком аналитических методов. Особенно ему нравился способ Саулита, позволяющий восстановить пространственное распределение потенциала по его распределению в средней плоскости z = 0 трансаксиальной системы или на оси симметрии z осесимметричных систем.
Наиболее общим методом решения граничных задач для уравнения (4) является стандартный метод разделения переменных [2]. При этом потенциал представляется в виде рядов функций Бесселя. Однако эти ряды обычно плохо сходятся и неудобны для проведения численного расчета траекторий частиц (см., например, [3]).
ОСНОВНАЯ ИДЕЯ МЕТОДА
Если в уравнении (4) перейти к безразмерным переменным п , Z = z/р 0 , используя замену (2), то получим следующее уравнение для потенциала ф ( п,z ) :
е .2 , S ^ +^ = о.
д п2 д Z1
Отметим, что в области р = р0 переменная П = 0 и потенциал ф ( п, Z ) удовлетворяет двумерному уравнению Лапласа. Будем искать потенциал ф ( п, Ф ) в виде суммы двух слагаемых
ф ( п , z ) = ф <о> ( п , z ) + Ф <П ( п , z ) . (6)
Здесь ф(0) ( п, ф ) — гармонический потенциал, удовлетворяющий двумерному уравнению Лапласа
д 2 ф(0) д 2 ф (0) дп2 + д Z г
и заданным граничным условиям. С помощью методов ТФКП он может быть найден в замкнутом виде. Тогда второе слагаемое ф (1) ( п , ф ) удовлетворяет нулевым граничным условиям Дирихле и является решением следующего неоднородного уравнения:
РАСЧЕТ ПОЛЯ ДВУХЭЛЕКТРОДНОЙ ТРАНСАКСИАЛЬНОЙ ЛИНЗЫ
Простейшая иммерсионная трансаксиальная линза схематически изображена на рис. 1, где показана также декартова система координат x , y , z . Трансаксиальная линза представляет собой две параллельные пластины, разрезанные прямым круговым цилиндром радиуса R , ось которого совпадает с осью z [4].
Начало декартовой системы координат находится в средней плоскости линзы z = 0, V 1 и V 2 — потенциалы электродов, d — расстояние между пластинами. Зазор между электродами считается бесконечно узким. Вдали от краев пластин электростатический потенци ал φ зависит только от переменных р = x 2 + у1 и z . Вводя безразмерные переменные η и ζ :
,-2 „ д ф + д 2 ф (1) д п 2 д Zг
= ( 1
- е - 2 п )
д v °
д п 2
п = ln р
Z =—
R ,
В большинстве случаев уже слагаемое ф^0 (п, ф ) является достаточно хорошим приближением для расчета потенциала. Это связано с тем, что большие значения производная д 2 ф(0) д2ф(0) _
---— =--— в правой части (8) принимает в дп2 дZ2
области, где п = 0. В этой области ф(1) (п, ф) приближенно удовлетворяет двумерному уравнению Лапласа получим уравнение для потенциала (5). Решение этого уравнения, удовлетворяющее граничным условиям в рассматриваемой трансаксиальной линзе, представим в виде:
ф ( п , Z ) = V ^+ F ( п , Z ), (11)
где функция F ( η , ζ ) удовлетворяет следующим d граничным условиям в полосе Z =± Z0 =±-- :
д 2 ф(1) д2ф(1) „
—^Г + 7 = 0, дп2 д Z2
V для п > 0, F ( п , ± Z 0 ) =^ v
^ - V для п < 0.
которое при нулевых граничных условиях Дирих-

.
Решение уравнения (5) для функции F ( η , ζ ) представим в виде
F ( n , Z ) = F (0)( n , Z ) + F тП , Z ). (13)
d 2 р (0) у 2 р (0)
a u 2 = a v v
Здесь F (0) ( η ζ ) гармоническая функция удовлетворяющая граничным условиям (12):
2 V ( 1 — u 1 + u I
F (o) ( n , Z ) =- V +—I arctg---- + arctg---- I , (14)
П V v v J
4 V 1 — u 1 + u
---v <-------------- 7 +-------------- 2
n |^ v 2 + ( 1 — u ) 2 J |^ v 2 + ( 1 + u ) 2 J
где
d 2 F (0) d u d v
а слагаемое
u — exp
v — exp
—
nn
V 2 Z o
πζ sin ,
2 ζ 0
—
nn
V 2 Z o
πζ cos ,
2 ζ 0 ,
2 V I v 2 —( 1 — u ) 2 v 2 — ( 1 + u ) 2
П |[ v 2 + ( 1 — u )= ] 2 ’[ v = + ( 1 + „ ) 2 ] 2
F ( 1 ) ( n, Z ) удовлетворяет
следую-
щему уравнению
е
2 (1) 2 (1)
2 n ^- F -i^^-= (1 — е -2 n ) a n 2 a z 2
d 2 f (o)
d n2
и нулевым граничным условиям в полосе Z —± Z o •
Уравнение (16) будем решать численно, перейдя от уравнения в частных производных к системе обыкновенных дифференциальных уравнений для функций F'^ ( Z ) = F (1) ( n k , Z ):
d2 Fk (1) d ζ 2
= (1 — е — n
)
( d 2 F (0) | V d n 2 J k
е — 2 n ‘
I
V d n 2 J k
. (17)
Здесь k — — n , — n + 1,..., n — 1, n , переменная n при
нимает дискретные значения n k — kh индекс " k "
у частных производных означает, что эти производные берутся при значении n — n k , причем
2 (1) (1) (1) (1)
d F _ F k + 2 2 F k + F k — 2
. dn2 к 4 h2
k
где h — шаг дискретности по η . Приведем также выражение для частной производной:
5 2 f (0) d 2 f (0)
d n 2 S u2
■ u I +
Vd n J
„ d 2 F (0) d u d v d 2 F (0)
+ 2---+--— du d v dn Sn Sv
V
2 d v | d n J
.
Используя формулы (15), (16), найдем производные, входящие в (19):
d u d n d v d n
exp 2 ζ 0
—
nn
V 2 Z o
πζ sin ,
2 ζ 0
π
--exp
2 ζ 0
—
nn
V 2 Z o
πζ cos .
2 ζ 0
Систему уравнений (17) можно проинтегрировать численно, задавая нулевые начальные условия на прямой Z _— Z o :
( F1^ I
FZ 1 _ o, -F ^ L -,_ o. (23) k o Z Z
V - Z J o
Отметим, что F o (1) ( Z ) = o.
РАСЧЕТ ПОЛЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ЗЕРКАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ
С ЗАКРЫТЫМИ ТОРЦАМИ
В качестве примера расчета поля осесимметричной системы рассмотрим цилиндрический зеркальный анализатор с закрытыми торцами (ЦЗАЗТ), предложенный в работе [3]. Схематически система электродов такого анализатора представлена на рис. 2. Здесь R 1 , R 2 — радиусы внутренней и внешней цилиндрических поверхностей соответственно, l — расстояние между торцевыми электродами. Будем считать, что потенциал торцов и внутреннего цилиндра равен V o — 1, а потенциал внешнего цилиндра равен V .
Введем безразмерные переменные η и ζ согласно (10), где r — VR7r2 . (24)
В переменных n и Z потенциал ф ( Z , n ) удовлетворяет граничным условиям в симметричном

Рис. 2. Изображение проекции электродов ЦЗАЗТ на плоскость xz сопутствующей декартовой системы координат
Рис. 3. Граничная задача в ζη -плоскости
прямоугольнике, представленном на рис. 3. Потенциал верхнего электрод п = П 0 равен V , а остальные электроды имеют потенциал V 0 = 1. Величины η 0 и ζ 0 на рисунке определяются выражениями:
П о = In

R 1
Интегралы J 1 , J 2 в выражениях (27), (28) являются эллиптическими. Их значения находились численно, причем в δ -окрестности особых точек ± 1, ± а интегралы вычислялись аналитически, что позволило получить точность расчета не хуже, чем δ 2 :
z =—
0 2 R
Отобразим этот прямоугольник на верхнюю полуплоскость комплексной плоскости w = u + i v , используя конформное преобразование [5]:
J- = 7 I d u 2 + ,(29)
\ (1 - u )(1--r) A 21 1
V a V V a )
a - 5
w z + in = iПо + CJ j ^ 2 . (26)
0 w
. (1 - w )(1-- r)
а 2
J 2 = J
d u
I ( u 2 - 1)(1 - u^ )
a 2
+
Здесь точки w -плоскости ± 1 соответствуют вершинам ± Z 0 + i n 0 , а точки ± а — вершинам ± Z 0 - i п 0 . Для определения постоянных нужно вычислить следующие интегралы:
δδ
+ —. Г + —,
J 2 1 1 - 4т I j a ( a 2 - 1 ) 1 1 + 1 I
\ V a ) Xj v 'V a)
CJ , = C J
d u
(1 - и 2)(1 - u 2 )
a 2
= Z 0
В таблице для различных значений параметра а приведены вычисленные значения интегралов J 1 , J 2 , а также их отношение, равное
J l = z 0 .
J 2 2 η 0
а
- i CJ 2 = - i C l" . d u = =- i2 n 0 . (28)
\ ( u 2 -1)(1 --)
a 2
Распределение гармонического потенциала в w -плоскости определяется выражением:
1 V - 1 \ 1 - u 1 + и
F ( ) ( u , v ) = 1 +-----1 arctg----- + arctg-----
П V v v
Значения интегралов J 1 , J 2 в зависимости от величины параметра а
а |
J 1 |
J 2 |
J 1 / J 2 |
1.1 |
2.318616 |
1.639984 |
1.413805 |
1.2 |
2.064762 |
1.712320 |
1.205827 |
1.5 |
1.807818 |
1.900835 |
0.951065 |
2.0 |
1.684159 |
2.153757 |
0.781963 |
3.0 |
1.615925 |
2.5262828 |
0.639645 |
Для нахождения гармонической части потенциала ϕ (0) ( ζ , η ) , определяющей поле ЦЗАЗТ, необходимо в выражении (32) перейти от переменных u , v к переменным ζ , η с помощью конформного преобразования (26). Поправка ϕ (1) ( ζ , η ) удовлетворяет нулевым граничным условиям в прямоугольнике, представленном на рис. 3, и может быть найдена путем решения системы обыкновенных дифференциальных уравнений (17).
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В работе предложен метод расчета поля, позволяющий находить простые замкнутые аналитические выражения для пространственного распределения потенциала в трансаксиальных и осесимметричных линзах и зеркалах. В качестве примера получены аналитические выражения для потенциала двухэлектродной трансаксиальной линзы и осесимметричной зеркальной системы. Хотя полученные выражения для потенциала являются приближенными, они с хорошей точностью отражают основные особенности поля рассмотренных систем.