Об особенностях поведения атомов лантана и гафния в кремнии
Автор: Рзимов О.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 2 (44), 2019 года.
Бесплатный доступ
В даннойстатиизучено наличие атомов редкоземельных элементов, в частности, атомов лантана в кремнии, приводит к снижению эффективности образования термических дефектов и увеличению концентрации электроактивных атомов дополнительно введенного гафния и стабилизации параметров их уровней.
Полупроводник, кремний, лантан, методика, спектр, термообработка, эксперимент, гафний
Короткий адрес: https://sciup.org/140274286
IDR: 140274286
Список литературы Об особенностях поведения атомов лантана и гафния в кремнии
- Vyvenko O.F., Sachdeva R. et.al. Study of diffusivity and electrical proper- tiers of Zn and Hf in silicon // in: Semiconductors Silicon, 2002, The Electro-chemical Society. -Penninigton, 2002. -P. 410-451.
- Mandelkorn J., Schwarts L., Broder J. et. al. Effect of impurities on radiation damage of silicon solar sells // J. Appl. Phys. - 1964. -N 7(35). -P. 2258-2260.
- Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С. Дефектообразование в кремнии. - Т. Университет, 1993. - 192 с.
Статья научная
