Обеспечение радиационной стойкости микросхем энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств

Автор: Орлов Андрей Александрович, Уланова Анастасия Владиславовна, Боруздина Анна Борисовна

Статья в выпуске: 4-5, 2011 года.

Бесплатный доступ

Рассматривается динамика развития энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств (FRAM). Приведены результаты радиационных исследований зарубежных образцов FRAM при импульсном и дозовом воздействиях. Экспериментально подтверждено предположение о том, что уровень радиационной стойкости FRAM определяется стойкостью КМОП периферии.

Сегнетоэлектрическое оперативно-запоминающее устройство, сегнетоактивная керамика типа pzt, радиационная стойкость, импульсное и стационарное излучения

Короткий адрес: https://sciup.org/14967057

IDR: 14967057

Список литературы Обеспечение радиационной стойкости микросхем энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств

George C. Messenger and Floyd N. Coppage R&D «Associates Ferroelectric memories: a possible answer to the hardened nonvolatile question»./IEEE Transactions on Nuclear Science, December 1988. ? Vol. 35. ? No. 6.
Http://www.ramtron.com.
Добрусенко С. Элементная база электроники. Сегнетоэлектрические ОЗУ фирмы Ramtron. Быстроразвивающаяся ЭНП./Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 2003. ? № 4.
Вихарев Л. Перспективные технологии производства памяти. Современное состояние./Компоненты и технологии, 2006. -№ 12.
Зайцев И. Что же с памятью FRAM стало?/Компоненты и технологии, 2007. ? № 8.
Ali Sheikholeslami, MEMBER, IEEE, AND P. Glenn Gulak, SENIOR MEMBER, IEEE. PROCEEDINGS OF THE IEEE. A Survey of Circuit Innovations in Ferroelectric Random-Access Memories. NO. 5, MAY 2000;
Такиев А. Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри./3D News, 2003. ? № 2.
Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства технологии и материалы./Нано-и микросистемная техника, 2008 ? № 10. ? С. 30 ? 42.
Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных схемах. -М.: Энергоатомиздат, 1989. -256 с.
Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. Физические основы лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и ИС: нелинейная модель./Микроэлектроника, 2006. -Т. 35. -№ 3. -С. 164 -177.
Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. ? М.: Радио и связь, 1994. ? 164 с.
TID Testing of Ferroelectric Nonvolatile RAM, D. N. Nguyen, and L. Z. Scheick, 2000 Proceedings of the IEEE, May 2000. ? vol. 88. ? no. 5. ? PP. 667 -689.
Давыдов Г.Г., Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Киргизова А.В., Петров А.Г., Седаков А.Ю., Яшанин И.Б. Методика оперативного неразрушающего контроля дозовой стойкости КМОП БИС на КНС структурах./Микроэлектроника, 2008. -Том 37. -№ 1. -С. 67 -77.
14 http://trs-new.jpl.nasa.gov/dspace/bitstream/2014/13434/1/01-2372.pdf>.

Еще

Статья научная