Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором
Автор: Конаков А.А., Беляков В.а, Бурдов В.А.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Физика, электроника, нанотехнологии
Статья в выпуске: 2 (10) т.3, 2011 года.
Бесплатный доступ
Рассчитываются электронные и дырочные спектры, а также величина оптической щели кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором, сформированных в мат- рице аморфного диоксида кремния. Рассматривается случай сильного однородного легирования нанокристаллов. Показано, что взаимодействие с короткодействующей составляющей поля примеси приводит к расщеплению уровня основного состояния в зоне проводимости на синглет, триплет и дублет, подобно тому, как это происхо- дит в объемном кремнии. В валентной зоне взаимодействие с примесью приводит только к общему сдвигу уровней. При этом величина оптической щели уменьшается с ростом концентрации примеси.
Короткий адрес: https://sciup.org/142185744
IDR: 142185744
Список литературы Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором
- Belyakov V.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Burdov V.A. Improvement of the photon generation efficiency in phosphorus-doped silicon nanocrystals: Г-X mixing of the confined electron states//J. Phys.: Condens. Matter. -2009. -V. 21. -P. 045803-1-045803-5.
- Бурдов В.А. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера//ФТП. -2002. -Т. 36. -С. 1233-1236.
- Wallace R.M., Wilk G.D. Identifying the most promising high-k gate dielectrics//Semiconductor Int. -2001. -V. 24. -P. 227-232.
- Pantelides S.T., Sah C.T. Theory of localized states in semiconductors. I. New results using an old method//Phys. Rev. B. -1974. -V. 10. -P. 621-637.
- Москаленко А.С., Яссиевич И.Н. Экситоны в нанокристаллах Si//ФТТ. -2004. -Т. 46. -С. 1465-1475.
- Belyakov V.A., Burdov V.A. Valley-orbit splitting in doped nanocrystalline silicon: k p calculations//Phys. Rev. B. -2007. -V. 76. -P. 045335-1-045335-12.
- Konakov A.A., Burdov V.A. Optical gap of silicon crystallites embedded in various wideband amorphous matrices: role of environment//J. Phys.: Condens. Matter. -2010. -V. 22. -P. 215301-1-215301-7.
- Belyakov V.A., Burdov V.A. Anomalous splitting of the hole states in silicon quantum dot with shallow acceptor//J. Phys.: Condens. Matter. -2008. -V. 20. -P. 025213-1-025213-13.
