Особенности поведения микросхем памяти на сигнетоэлектриках при воздействии импульсного рентгеновского излучения
Автор: Орлов Андрей Александрович, Согоян Армен Вагоевич, Герасимов Владимир Федорович
Журнал: Спецтехника и связь @st-s
Статья в выпуске: 4-5, 2011 года.
Бесплатный доступ
Рассматриваются особенности поведения базовых ячеек микросхем сигнетоэлектрической памяти при воздействии импульсного рентгеновского излучения с энергией 10…100 кэВ. На основании совместного численного решения системы уравнений термоупругости с учетом пьезоэффекта получены оценки порогов отказов микросхем FRAM.
Короткий адрес: https://sciup.org/14967058
IDR: 14967058
Список литературы Особенности поведения микросхем памяти на сигнетоэлектриках при воздействии импульсного рентгеновского излучения
- Валеев А.С., Дягилев В.Н., Львович А.А. и др. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства./Электронная промышленность, 1994. -вып. 6. -С. 75 -79.
- R.E.Jones Jr., P.Zurcher, P.Chu и др. Memory applications based on ferroelectric and high-permittivity dielectric thin films./Microelectronic Engineering, 1995. -V. 29. -PP. 3 -11.
- Валеев А., Воротилов К. Сегнетоэлектрические пленки. Возможность интеграции с технологией ИС./Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 1998. -Т. 3 -4. -С. 75 -78.
- Мухтеремов Д.Н., Пешиков Е.В. Физика и химия твердого тела. -М.: Изд. НИФХИ им. Л.Я. Карпова, 1972. -Вып. 3.
- Мухтеремов Д.Н., Пешиков Е.В. Методы радиационных воздействий в исследовании структуры и свойств твердых тел. -Ташкент: Фан, 1971. -65 с.
Статья научная
