Peculiarities of silicon reconstructed surface application for STM calibration in objects geometric parameters measurements
Автор: Kuzin A.Y., Todua P.A., Panov V.I., Oreshkin A.I.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Полупроводниковая электроника и нанотехнологии
Статья в выпуске: 3 (15) т.4, 2012 года.
Бесплатный доступ
The possibility to use 7х7-Si(111) surface and monoatomic steps on this surface as reference samples for an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope has been demonstrated.
Scanning tunneling microscope, reconstruction, silicon, ultrahigh vacuum
Короткий адрес: https://sciup.org/142185858
IDR: 142185858
Статья научная
