Особенности применения реконструированной поверхности кремния для калибровки СТМ при измерении геометрических параметров объектов
Автор: Кузин Александр Юрьевич, Тодуа Павел Андреевич, Панов Владимир Иванович, Орешкин Андрей Иванович
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Полупроводниковая электроника и нанотехнологии
Статья в выпуске: 3 (15) т.4, 2012 года.
Бесплатный доступ
Продемонстрирована возможность использования реконструированной поверхности 7х7-Si(111) и монотоатомных ступеней на этой поверхности в качестве эталонных объектов для калибровки сверхвысоковакуумного сканирующего туннельного микроскопа.
Сканирующий туннельный микроскоп, реконструкция, кремний, сверхвысокий вакуум
Короткий адрес: https://sciup.org/142185858
IDR: 142185858
Список литературы Особенности применения реконструированной поверхности кремния для калибровки СТМ при измерении геометрических параметров объектов
- Oreshkin A.I., Oreshkin S.I., Savinov S.V., Maslova N.S., Muzychenko D.A., Mancevich V.N., Panov V.I., Arseev P.I.//JETP Letters. -2007. -85, N 1. -P. 40-45.
- Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников/под редакцией д.ф.-м.н. И.П. Звягина. -М.: Мир, 1990.
- Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Takahashi S.//Surf. Sci. -1985. -164. -P. 367.
- The UHV STM 1 User's Guide, Version 1.3, October 02, (2003).
- Creswell M.W., Dixon R.G., Guthrie W.F., Allen R.A., Murabito C.E., Park B., Martinez de Pinillos J.V., Hunt A. CD Reference Features with Sub-five Nanometer Uncertainty//Proceedings of the International Society for Optical Engineoring (SPIE), Microlithography. -2005. -P. 295.
Статья научная
