Параметрическая модуляция излучения, отраженного от полупроводника

Исследуется влияние высокочастотного модулированного греющего поля на электронную температуру полупроводника. Рассматривается динамика эффективной температуры в гистерезисной области, когда велика роль электрон-ионных столкновений. Показывается возможность реализации коротких температурных импульсов гармонического вида с большой амплитудой. Проводится анализ минимальных времен таких импульсов. Исследуются возможности управления параметрами излучения, отраженного от полупроводника с модулированным температурным профилем. Приводятся оптимальные параметры, обеспечивающие значительную глубину амплитудной и фазовой модуляции отраженного сигнала.