Перфорированный графен как носитель информации: перфо-карта атомного масштаба
Автор: Заркевич Николай Андреевич
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Полупроводниковая электроника и нанотехнологии
Статья в выпуске: 3 (15) т.4, 2012 года.
Бесплатный доступ
Перфорированные двумерные кристаллы рассматриваются как носители информации. Для графена вычислена максимальная теоретическая плотность записи: 7х1014 байт/см2, или 2х1021 байт/см3, или 1021 байт/г. Наноперфокарты могут сворачиваться или штабелироваться в пористый кристалл без потери информации. Информация также может храниться в перфорированных графеновых нанолентах - аналогах перфолент атомного масштаба. Для перфорации годятся любые двумерные кристаллы; графен - лишь один из них.
Перфокарта, двумерный кристалл, графен, нанотехнология, вакансия, плотность информации
Короткий адрес: https://sciup.org/142185857
IDR: 142185857
Список литературы Перфорированный графен как носитель информации: перфо-карта атомного масштаба
- Karsakof S. Apercu d'un proc/ed/e nouveau d'investigation au moyen de machines `a comparer les id/ees. -St. Petersbourg, 1832.
- Корсаков С.Н. Начертание нового способа исследования при помощи машин, сравни-вающих идеи/пер. с франц.; под ред. А.С. Михайлова. -М.: МИФИ, 2009.
- Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V. [et al ]. Electric field effect in atomically thin carbon films//Science. -2004. -V. 306. -P. 666-669.
- Abanin D.A., Morozov S.V., Ponomarenko L.A. [et al ]. Giant nonlocality near the Dirac point in graphene//Science. -2011. -V. 332, N 6027. -P. 328-330.
- Novoselov K.S., Jiang D., Schedin F., Booth T.J., Khotkevich V.V., Morozov S.V., Geim A.K. Two-dimensional atomic crystals//PNAS. -2005. -V. 102, N 30. -P. 10451-10453.
- Meyer J.C., Kisielowski C., Erni R., Rossell M.D., Crommie M.F., Zettl A. Direct imaging of lattice atoms and topological defects in graphene membranes//Nano Lett. -2008. -V. 8, N. 11. -P. 3582-3586.
- Gass M.H., Bangert U., Bleloch A.L., Wang P., Nair R.R., Geim A.K. Free-standing graphene at atomic resolution//Nature Nanotechnology. -2008. -V. 3. P. 676-681.
- Ландау Л.Д. К теории фазовых переходов. II//ЖЭТФ. -1937. -Т. 7. -С. 627.
- Meyer J.C., Geim A.K., Katsnelson M.I., Novoselov K.S., Booth T.J., Roth S. The structure of suspended graphene sheets//Nature. -2007, V. 446. -P. 60-63.
- Robinson J.T., Burgess J.S., Junkermeier C.E. [et al ]. Properties of Fluorinated Graphene Films//Nano Lett. -2010. -V. 10, N 8. -P. 3001-3005.
- Hahn J.R., Kang H. Vacancy and interstitial defects at graphite surfaces: Scanning tunneling microscopic study of the structure, electronic property and yield for ion-induced defect creation//Phys. Rev. B. -1999. -V. 60. -P. 6007-6017.
- Krasheninnikov A.V., Nordlund K., Sirvio M., Salonen E., Keinonen J. Formation of ionirradiation-induced atomic-scale defects on walls of carbon nanotubes//Phys. Rev. B. -2001. -V. 63. P. 245405.
- Telling R.H., Heggie M.I. Radiation defects in graphite//Phil. Mag. 2007. -V. 87. -P. 4797-4846.
- Turchanin A., Weber D., Benfeld M., Kisielowski C., Fistul M.V., Efetov K.B., Weimann T., Stosch R., Mayer J., Golzhauser A. Conversion of self-assembled monolayers into nanocrystalline graphene: Structure and electric transport//ACS Nano. -2011. -V. 5, N 5. -P. 3896-3904.
- Coleman J.N., Lotya M., O'Neill A [et al ]. Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials//Science. -2011. -V. 331, N 6017. -P. 568-571.
- Hansma P.K., Schitter G., Fantner G.E., Craig Prater C. High-Speed Atomic Force Microscopy//Science. -2006. -V. 314, N 5799. -P. 601-602.
- Schitter G., Rost M. Scanning probe microscopy at video-rate//Materials Today. -2008. -V. 11. -P. 40-48.
- Esch F., Dri C., Spessot A [et al ]. The FAST module: An add-on unit for driving commercial scanning probe microscopes at video rate and beyond//Rev. Sci. Instrum. -2011. -V. 82, N 5. -P. 053702 (7 pages).
- Fennimore A.M., Yuzvinsky T.D., Han W.-Q., Fuhrer M.S., Cumings J., Zettl A. Rotational actuators based on carbon nanotubes//Nature. -2003. -V. 424. -P. 408-410.
- Fukuda K., Watanabe Y., Makino E. [et al ]. A 151mm2 64Gb MLC NAND flash memory in 24nm CMOS technology//Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), 2011 IEEE International. -20-24 Feb. 2011. -P. 198-199.
Статья научная
