Перспективы использования анизотропных магниторезистивных преобразователей при скважинном каротаже

Уфимский ГАТУ, г. Уфа, Россия

Известно, что современная промышленность располагает достаточно широким рядом информационно - измерительных устройств и систем, построенных на базе различных магниторезистивных эффектов, как следствие, с той или иной точностью обеспечивая регистрацию параметров магнитных полей в некотором амплитудно-частотном диапазоне. Среди упомянутых магниторезистивных эффектов в первую очередь следует выделить следующие:

• –    физический и геометрический эффекты магнитосопротивления;

• –    гигантский магниторезистивный эффект ( GMR -эффект);

• –    магниторезистивный эффект спин-зависимого туннелировония;

• –    анизотропный магниторезистивный эффект (АМР-эффект).

Из представленных эффектов магнитосопротивления, в настоящее время наибольшее распространение в области построения прецизионных магнитных датчиков, получил AMR-эффект. Такая ситуация, в первую очередь, связана со следующими, присущими этим датчикам качествами:

• –    высокая разрешающая способность (Δ B =2.7 нТл);

• –    высокий показатель чувствительности (γ = 4 мВ/В/Тл·10^-4);

• –    линеаризованная выходная характеристика датчика в рабочем диапазоне;

• –    чувствительность к знаку измеряемого магнитного поля;

• – относительно широкий частотный диапазон

  ( f =0-1000 Гц);

• – широкий диапазон рабочих температур (-

• 55…+150 °C);

• –    низкое сопротивление  ( R ~850  Ом), что

• минимизирует;

• –    тепловой    шум    магниторезистивного

преобразователя.

Кроме этого, к преимуществам анизатропных магниторезистивных датчиков следует отнести: малые массогабаритные показатели, высокую технологичность производства, относительно низкую стоимость, а также высокие показатели надежность и срока эксплуатации [1-5]. Все перечисленное выгодно выделяет этот тип магнитных датчиков среди аналогичных устройств и значительно расширяет области и перспективы их применения.