Положительные и отрицательные аспекты перехода на транзисторы с трехмерной структурой затвора
Автор: Бутенко Е.Е.
Журнал: Форум молодых ученых @forum-nauka
Статья в выпуске: 1-1 (29), 2019 года.
Бесплатный доступ
В данной статье рассматриваются основные негативные эффекты, проявляющиеся в каналах МОПТ, спровоцировавшие переход на новый тип транзистора. Так же перечисляются трудности, связанные с разработкой и производством микросхем, в которых применяется новая технология транзистора с трехмерной структурой затвора.
Интегральная микросхема, транзистор, пороговое напряжение, короткоканальные эффекты, электрическое поле
Короткий адрес: https://sciup.org/140284532
IDR: 140284532
Список литературы Положительные и отрицательные аспекты перехода на транзисторы с трехмерной структурой затвора
- Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Издание 2-е, исправленное. Изд-во Москва: Техносфера, 2011. - 800 с.
- Зебрев Г. И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие для вузов / Г. И. 3ебрев. - М.: Изд-во БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с.
- Гуртов, В. А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие / В. А. Гуртов. - Изд-во Москва, 2005 - 492 с.
Статья научная
