Получение фотоактивных структур Si( N +)/Si( P)/Si( P +) методом ионно-лучевой кристаллизации
Автор: Варавка Валерий Николаевич, Чеботарв Сергей Николаевич, Пащенко Александр Сергеевич, Ирха Владимир Александрович
Журнал: Вестник Донского государственного технического университета @vestnik-donstu
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 5-6 (74) т.13, 2013 года.
Бесплатный доступ
Разработана физико-математическая модель массопереноса при ионно-лучевой кристаллизации. Рассмотрено получение фотоактивных структур Si(n +)/Si(p)/Si(p +) на подложках 100 мм методом ионно-лучевой кристаллизации. Определены оптимальные условия этого процесса: остаточное давление в ростовой камере — 10 −4 Па; температура подложки — 550 °C; плотность ионного тока — 2 мА/см 2; ускоряющее напряжение пучка — 400 В; расстояние «мишень — подложка» — 150 мм. Данные сканирующей электронной микроскопии показывают, что выращенные фотоструктуры имеют практически бездефектную поверхность. Установлено, что фотоструктуры Si(n +)/Si(p)/Si(p +) характеризуются внешним квантовым выходом более 90 % в диапазоне длин волн 550—900 нм (спектр AM 1,5) при следующих условиях: толщина фронтального слоя Si(n +) 100 нм, уровень легирования n + = 5·10 18 см −3, толщина слоя Si(p) 130 мкм, уровень легирования p = 2·10 16 см −3, толщина слоя Si(p +) 500 нм, уровень легирования p + = 1·10 18 см −3.
Ионно-лучевая кристаллизация, фотоактивная структура, внешний квантовый выход
Короткий адрес: https://sciup.org/14250011
IDR: 14250011 | DOI: 10.12737/1283
Список литературы Получение фотоактивных структур Si( N +)/Si( P)/Si( P +) методом ионно-лучевой кристаллизации
- Алфёров, Ж. И. Тенденции и перспективы развития солнечной энергетики/Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Д. Румянцев//Физика и техника полупроводников. -2004. -Т. 38, вып. 8. -С. 937-948.
- Структуры GaAs c квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии/В. Н. Неведомский [и др.]//Физика и техника полупроводников. -2009. -Т. 43, вып. 12. -С. 1662-1666.
- Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии/В. М. Лантратов [и др.]//Физика и техника полупроводников. -2007. -Т. 41, вып. 6. -С. 751-755.
- Чеботарёв, С. Н. Моделирование зависимостей функциональных характеристик кремниевых солнечных элементов, полученных методом ионно-лучевого осаждения от толщины и уровня легирования фронтального слоя/С. Н. Чеботарёв, А. С. Пащенко, М. Л. Лунина//Вестник Южного научного центра. -2011. -Т. 7, № 4. -С. 25-30.
- Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоёв кремниевых солнечных элементов/Л. С. Лунин [и др.]//Неорганические материалы. -2012. -Т. 48, № 5. -С. 517-522.
